當全球半導體先進制造進程邁向2nm競速階段，EUV（極紫外光）光刻膠無疑是最核心、也最難取代的一環(huán)，近期美國針對日系高階材料擬增征進口關(guān)稅，無異于向供應鏈競賽發(fā)起變數(shù)，也為材料勢力版圖帶來潛在重構(gòu)契機。

政策成為新變因，EUV成本壓力首要因素

報告研究指出，若美國對來自日本的EUV與ArF光刻膠課征10～25%關(guān)稅，將導致進口價格上漲10～24%，以目前EUV光刻膠報價每加侖1500美元計算，一旦課稅25%，最終成本將在2015年增加近400美元。

然而，EUV光刻膠具備高技術(shù)導向與使用環(huán)境極為嚴格的要求，無法輕易替代，因為即使關(guān)稅阻礙成本攀升，包括臺積電、英特爾、三星等先進晶圓制造商仍需依賴日系供應商的安全出貨，才能確保先進制造進度的良率與量產(chǎn)進度。目前面臨著「被迫接受高成本」的現(xiàn)實困境。

若關(guān)稅政策趨于常態(tài)，或有政策延伸至其他特化材料領(lǐng)域，可能引發(fā)日系廠在價格談判、出貨條件、地區(qū)設(shè)廠等方面的政策調(diào)整，也將進一步牽動全球特化材料供應鏈的區(qū)域布局與貿(mào)易結(jié)構(gòu)。

EUV市場高速增長，美國需求紅利浮現(xiàn)

全球光刻膠市場正進入結(jié)構(gòu)性增長階段，2025年市場產(chǎn)值接近65～70億美元，占全球半導體材料約8～10%，其中相當于2nm和3nm制程的EUV光刻膠，年復合增長率高達35%，遠超過其他ArF、KrF等成熟產(chǎn)品的4～5%。

意思是，美國光刻膠市場年均增長率達到6%，除了全球平均，也達到中國大陸的7%，隨著臺積電硅谷廠逐步擴產(chǎn)，至2027年，美國2nm制程產(chǎn)能占全球比重預期將大幅提高到21%，這樣的需求結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變，使美國光阻消費由「非主力市場」轉(zhuǎn)為「戰(zhàn)略重點市場」，若關(guān)稅制度加強，美國將極大推動原材料產(chǎn)能發(fā)展，或吸引日系大廠赴美設(shè)廠擴產(chǎn)，進一步推動光阻消費在地化的可能性。

日廠穩(wěn)居龍頭，臺廠切入時機浮現(xiàn)

EUV光阻技術(shù)主題高吸光率、低缺陷密度與高精密選擇比等物理特性，加上驗證期長、量產(chǎn)入口高，市場長期受JSR、東京應化、信越化學三大日廠壟斷，市占率超過九成。美系大廠如杜邦與陶氏雖然現(xiàn)在ArF、KrF保有市占，但在EUV該領(lǐng)域幾乎無法與日廠抗衡，首要高階光阻市場具備「高價值、高粘著、高進入城鎮(zhèn)」的特性，毛利率與對抗貢獻極高。

正因為進入城鎮(zhèn)高，若臺廠能掌握物資儲備與客戶驗證節(jié)奏，將有機會從「代理角色」升級為「供應角色」，目前臺積電使用的光刻供應鏈主要仍來至三大日廠，崇越代理信越化學光阻產(chǎn)品，總共占比重達四成，隨臺積電擴產(chǎn)、信越市占位提升與美系需求轉(zhuǎn)移，崇越作為地接可望優(yōu)先支援；新應材布局KrF光刻市場，預計2026年開始開始出貨，并已打入評估2奈米制程的BARC與EBR材料供應鏈，目標成為中國臺灣首家出貨核心光刻材料的廠商；家登（3680-TW）為全球 EUV光罩盒龍頭，作為臺積電、ASML等大廠主要供應商，隨EUV制程滲透率提升，光罩負載需求大增；其他如帆宣、意德士、永光等，受惠臺積電擴散產(chǎn)線與供應鏈化趨勢，預計將隨全球EUV制程滲透率提升，推動營收與獲利的長期增長機會。

材料卡位戰(zhàn)，剛剛開始

當市場聚焦于晶圓設(shè)計與先進制造工藝時，實際決定制造工藝穩(wěn)定度與良率的材料層往往被忽視，EUV光刻膠替代的先進材料之一，未來鏈變局將成為產(chǎn)業(yè)權(quán)力轉(zhuǎn)移的前哨戰(zhàn)，從目前趨勢可觀察三大關(guān)鍵：供應鏈重整速度、成本轉(zhuǎn)嫁能力、誰能從「代理」升級到「供應」角色，未來材料戰(zhàn)略將勢勢上升，需從結(jié)構(gòu)性優(yōu)勢出發(fā)，認識進一步材料問題的轉(zhuǎn)變趨勢，才能掌握先進制造進程全球化的核心動能。