廣東
前言
2025年4月22日，英飛凌宣布推出Cool GaN G5中壓晶體管，這是全球首款集成肖特基二極管的工業用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產品能提升功率系統性能，減少不必要死區損耗，提高系統效率，簡化功率級設計，降低用料成本。
集成肖特基二極管GaN晶體管優勢
在硬開關應用里，因GaN器件有效體二極管電壓（VSD）較大，基于GaN的拓撲結構易產生高功率損耗，若控制器死區時間長，效率會低于目標。目前工程師常用外部肖特基二極管與GaN晶體管并聯或縮短死區時間，但都費時費力又增成本。而英飛凌的Cool GaN G5晶體管集成肖特基二極管，能有效解決這些問題，適用于服務器、電信中間總線轉換器、DC-DC轉換器、USB-C電池充電器同步整流器、高功率電源和電機驅動等場景。
英飛凌科技中壓GaN產品線副總裁AntoineJalabert表示：隨著GaN技術在功率設計中廣泛應用，英飛凌不斷改進提升技術，以滿足客戶需求。集成肖特基二極管的Cool GaN G5晶體管展現了英飛凌以客戶為中心的創新和推動寬禁帶半導體材料發展的決心。
GaN晶體管因缺乏體二極管，反向傳導電壓（VRC）受閾值電壓（VTH）和關斷態下柵極偏置偏壓（VGS）影響，且VTH通常高于硅二極管導通電壓，反向傳導工作時存在劣勢。采用新型CoolGaN晶體管后，反向傳導損耗降低，與更多高邊柵極驅動器兼容，死區時間放寬，控制器兼容性廣，設計簡化。
首款集成肖特基二極管的GaN晶體管是3x5mmPQFN封裝的100V1.5mΩ晶體管。工程樣品和目標數據表可按要求提供。
充電頭網總結
充電頭網了解到，英飛凌此次推出的集成肖特基二極管的Cool GaN G5中壓晶體管，具備提升功率系統性能、降低損耗、簡化設計及降低成本等方面的優勢，將助力工程師更從容應對復雜的工業級電源設計挑戰，加速氮化鎵器件在各類功率轉換場景中的普及，為行業邁向高效、緊湊的電源解決方案提供了有力支持，具有里程碑般的意義。
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