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2025年5月22日，SK海力士（SK hynix）正式發(fā)布了全球首款321層1Tb三層單元（Triple-Level Cell，TLC）4D NAND閃存的UFS 4.1移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案，旨在滿足旗艦智能手機(jī)及其他移動(dòng)設(shè)備對(duì)高性能、低功耗存儲(chǔ)的需求。

所謂321層4D NAND，是指在傳統(tǒng)三維（3D）NAND的堆疊基礎(chǔ)上，進(jìn)一步將存儲(chǔ)單元垂直堆疊至321層，并在存儲(chǔ)陣列旁邊集成外圍控制電路，以提升整體存儲(chǔ)密度和訪問速度。TLC架構(gòu)意味著每個(gè)存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ)3位二進(jìn)制數(shù)據(jù)（共8個(gè)電荷狀態(tài)），相較于單層存儲(chǔ)（SLC）或雙層存儲(chǔ)（MLC），TLC在同等面積下的數(shù)據(jù)容量更大，但對(duì)制造工藝和數(shù)據(jù)糾錯(cuò)能力提出了更高要求。

在性能方面，新一代UFS 4.1解決方案的最大連續(xù)讀取速度可達(dá)4300 MB/s，接近于主流PCIe Gen3 NVMe固態(tài)硬盤的水平；相比上一代基于238層4D NAND的產(chǎn)品，其隨機(jī)讀取和隨機(jī)寫入速度分別提升了15%和40%，能夠顯著改善應(yīng)用啟動(dòng)、界面切換及后臺(tái)任務(wù)并發(fā)執(zhí)行的流暢度，同時(shí)，封裝厚度較上一代產(chǎn)品減少了15%，從1.00 mm降至0.85 mm，使其更易集成于超薄機(jī)身設(shè)計(jì)中。

功耗方面，新方案較前代產(chǎn)品功耗效率提升約7%，在高強(qiáng)度讀寫場(chǎng)景中更能明顯降低整機(jī)能耗，有助于延長(zhǎng)移動(dòng)設(shè)備續(xù)航時(shí)間。SK海力士通過優(yōu)化存儲(chǔ)控制器算法，并結(jié)合低應(yīng)力材料與自動(dòng)校準(zhǔn)技術(shù)，確保在多層堆疊和高密度集成情況下維持優(yōu)良良率和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

產(chǎn)品容量方面，本次UFS 4.1解決方案將提供512 GB和1 TB兩種規(guī)格，滿足從中端到旗艦機(jī)型的不同需求。

SK海力士計(jì)劃于2025年下半年完成客戶認(rèn)證，并于2026年第一季度起啟動(dòng)大規(guī)模出貨，屆時(shí)不僅應(yīng)用于智能手機(jī)，也將推廣至平板、可穿戴、車載及虛擬現(xiàn)實(shí)設(shè)備等多種終端。