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來源：內(nèi)容 編譯自 eenews 。

臺灣晶圓代工廠臺積電將在歐洲建立其首個設計中心，并希望在汽車應用的內(nèi)存技術上實現(xiàn)重大飛躍。

歐盟設計中心（EUDC）將設在慕尼黑，預計將專注于汽車領域，但也將支持工業(yè)應用、人工智能（AI）、電信和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）的芯片設計。

根據(jù)路透社5月27日周二援引臺積電歐洲區(qū)總裁保羅·德博特（Paul de Bot）的話稱，臺積電將在德國慕尼黑開設芯片設計中心。

這將代表臺積電的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變，該公司通常只專注于芯片制造，但此舉或許是由于歐洲缺乏尖端設計專業(yè)知識，以及需要“手把手”地指導客戶，以充分利用臺積電正在德累斯頓建設的晶圓廠。該晶圓廠預計將于2027年投產(chǎn)。

臺積電高管在荷蘭阿姆斯特丹舉行的臺積電 2025 年歐洲技術研討會開幕式上表示，該設計中心將于 2025 年第三季度開放。

德博特表示：“其目的是支持歐洲客戶設計高密度、高性能和節(jié)能的芯片，重點再次關注汽車、工業(yè)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)領域的應用。”

該設計中心將支持臺積電對歐洲半導體制造公司 (ESMC) 的 100 億歐元投資。ESMC 位于德累斯頓，由臺積電運營，臺積電持有 70% 的股份，恩智浦、英飛凌和博世各持有 10% 的股份。該工廠最初并不打算在尖端工藝上投入運營，而是專注于采用 28/22nm 和 16/12nm 節(jié)點制造汽車和工業(yè)應用芯片。

然而，歐洲政界人士和致力于人工智能和高性能計算芯片的公司希望看到 ESMC 迅速轉(zhuǎn)向 6nm 和 3nm，以提供國內(nèi)生產(chǎn)更先進芯片的能力。

臺積電通常不提供設計服務，但在臺灣，許多公司紛紛涌現(xiàn)，能夠為無晶圓廠芯片公司提供幫助，或為其客戶提供交鑰匙設計服務。其中一家公司就是環(huán)球晶圓公司。

歐洲不存在能夠在半導體制造前沿領域運營的類似服務提供商。

此外，ESMC預計將為歐洲小型公司和大學提供機會，這些公司和大學可能也缺乏尖端的設計專業(yè)知識。慕尼黑中心可能會成為芯片開發(fā)和技能轉(zhuǎn)移的重點。

臺積電進軍設計服務領域，將為歐洲客戶提供更全面的設計流程和更快速的芯片交付支持。

5nm的MRAM和RRAM，要來了

考慮到這一點，臺積電已將其 28 納米電阻式 RRAM 存儲器認證用于汽車應用，預計 12 納米版本將滿足同樣嚴格的汽車質(zhì)量要求，并計劃推出 6 納米版本。臺積電還計劃推出 5 納米 MRAM 磁性存儲器。與 MRAM 一樣，RRAM 是 16 納米以下工藝技術上閃存的關鍵替代品。臺積電的 22 納米 MRAM 正在量產(chǎn)中，16 納米 MRAM 已準備好為客戶提供，而 12 納米 MRAM 正在開發(fā)中。

然而，臺積電也在驗證MRAM和RRAM未來分別可擴展至5nm和6nm的工藝。這對于擴展車載ADAS和AI芯片的內(nèi)存至關重要。

EUDC 加入了臺積電現(xiàn)有的遍布臺灣、美國、加拿大、中國大陸和日本的九個全球設計中心網(wǎng)絡，預計將于 2025 年第三季度開業(yè)。

汽車是臺積電今天在阿姆斯特丹舉行的技術研討會上的重點關注點，臺積電預計其 3nm 工藝將在今年晚些時候獲得汽車應用認證。這將用于下一代中央 AI 和 ADAS 芯片，以及 12nm 電阻式 RRAM 存儲器。

智能汽車技術包括汽車級先進封裝、橫向溢流積分電容器 (LOFIC) 圖像傳感器，用于高動態(tài)范圍以處理光照條件的突然變化，由臺積電的 3D 高密度金屬絕緣體金屬 (MiM) 電容器實現(xiàn)

對于汽車 ADAS，它提供了超過 100 dB LED 無閃爍動態(tài)范圍，同時不影響光性能和產(chǎn)生。

在物聯(lián)網(wǎng)領域，臺積電已開始探索性開發(fā)其 4nm N4e 工藝，旨在將電壓從目前的 0.4V 進一步降低，接近閾值電壓。此外，臺積電還在研究超低漏電 SRAM 和邏輯電路，以進一步降低漏電功率，從而延長電池壽命。

N3 預計將成為一個高產(chǎn)量且長期運行的節(jié)點，截至 2025 年 4 月，已有超過 70 個新流片。N3E 已實現(xiàn)旗艦移動和 HPC/AI 產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)。N3P 已于 2024 年第四季度實現(xiàn)量產(chǎn)。

N3A 面向汽車應用，包括駕駛輔助和自動駕駛技術。目前，該產(chǎn)品正在進行最終缺陷改進，并有望獲得 AEC Q100 一級認證，預計將于 2025 年下半年投入生產(chǎn)。

該公司表示，到2030年，汽車將占據(jù)1萬億美元市場的15%，領先于物聯(lián)網(wǎng)的10%。數(shù)據(jù)中心和人工智能當然是增長的驅(qū)動力，預計到2030年，憑借A16和A14制程技術，它們將占據(jù)45%的市場份額，即4500億美元的市場規(guī)模。臺積電將于今年晚些時候在臺灣臺中市啟動Fab 25晶圓廠，專門生產(chǎn)這些技術。

A16 和 A14 預計將采用互補場效應晶體管 (CFET) 設計，將 nFET 和 pFET 垂直堆疊，CFET 的密度幾乎增加一倍。

在顯示技術方面，臺積電宣布推出業(yè)界首個FinFET高壓平臺，將應用于可折疊/輕薄OLED和AR眼鏡。與28HV相比，16HV預計可將DDIC功耗降低約28%，并將邏輯密度提升約41%。

https://www.eenewseurope.com/en/tsmc-looks-to-5nm-mram-plans-first-european-design-centre/

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