廣東
上個月，臺積電（TSMC）在2025年北美技術論壇上公布了下一代A14制程工藝，計劃2028年投產，相比于N2帶來了重大進步。隨后有報道稱，臺積電已經決定在A14制程工藝上不引入High-NA EUV光刻技術，仍然堅持使用原有的EUV光刻設備。不過外界對臺積電的做法依然持懷疑態度，畢竟原來的說法是EUV只能到A16制程工藝。
據TomsHardware報道，近日臺積電在荷蘭阿姆斯特丹舉行的歐洲技術研討會上重申了這一點，下一代制程工藝不需要最高端的光刻系統，無論A16還是A14都不需要High-NA EUV的參與。
臺積電表示，技術團隊會繼續尋找一種方法來延長當前EUV光刻設備的使用壽命，同時獲得擴展優勢，而A14獲得的增強功能即便不使用High-NA EUV的情況下收益也是非常客觀的。不過具體如何實現，臺積電沒有說明。臺積電并非排除High-NA EUV，什么時候引入要看其是否帶來有意義、可衡量的好處，暫時沒有時間表。
A14制程工藝將采用第二代GAA晶體管，并通過NanoFlex Pro技術進一步提高靈活性。不過首發的A14制程工藝不支持超級電軌（Super Power Rail，SPR）架構，也就是背面供電技術，臺積電會在2029年帶來加入背面供電的版本，滿足高性能客戶端和數據中心應用的需求。
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A14系列的主要優勢之一是支持NanoFlex Pro技術，為芯片設計人員提供了靈活的標準元件，通過微調晶體管配置，以實現特定應用或工作負載的最佳性能、能耗和面積（PPA）指標。
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