前言

Tenda騰達推出一款自主設計的全千兆非網管PoE交換機套裝，其支持AF/AT標準PoE供電方式，并可智能識別受電設備。此外支持單口最大30W以及整機120W輸出，可為8個PoE高清網絡攝像頭、千兆AP等提供數據傳輸和供電。

在實際拆解時，我們發現該套裝的配套電源適配器基于先進的氮化鎵方案設計，在初級側使用了致能ZN65C1R120L、ZN65C1R200L兩款氮化鎵器件，詳細參數將在下文為您介紹。

騰達119.3W氮化鎵電源適配器

騰達這款PoE交換機套裝包裝內含騰達10口千兆光電上聯PoE供電交換機以及電源適配器，整體采用工包封裝，包裝非常簡潔。

配套的電源適配器自帶DC輸出線纜，輸入端為線體分離設計，機身采用PC阻燃材質塑料外殼，邊緣倒角設計，表面磨砂工藝處理。機身輸入端采用8字接口母座，并且為獨立模塊設計。

簡單看過產品外觀，充電頭網繼續為您介紹其內置的致能氮化鎵器件。

致能ZN65C1R120L

配套電源內置的PFC開關管來自ZIENER致能，型號ZN65C1R120L，這是一顆氮化鎵功率器件，耐壓650V，導阻120mΩ，采用DFN8*8封裝，該器件結合了致能最新的高壓氮化鎵和低壓硅MOS，具有卓越的可靠性和性能。

致能ZN65C1R120L符合JEDEC標準，采用無鹵素材料封裝，符合RoHS規范，適用于PD快充、通信電源、數據中心、燈光照明等多場景應用。

致能ZN65C1R200L

初級開關管也是來自致能，型號ZN65C1R200L，這是一款650V、200m?的氮化鎵功率器件，采用DFN8x8封裝。該器件為常關型設計，結合了致能最新的高壓氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）與低壓硅基MOSFET，可提供卓越的可靠性和性能表現。

致能ZN65C1R200L符合JEDEC標準，采用無鹵素材料封裝，符合RoHS規范，適用于PD快充、通信電源、數據中心、燈光照明等多場景應用。

充電頭網總結

充電頭網了解到，騰達這款PoE交換機適配器內置致能ZN65C1R120L與ZN65C1R200L氮化鎵功率器件，二者均具備650V耐壓，分別有著120mΩ與200mΩ的導阻，采用DFN8*8封裝，以常關型設計結合高壓氮化鎵和低壓硅基MOS，可靠性和性能雙優。此外，兩款器件均符合JEDEC、RoHS標準，以無鹵素材料封裝，廣泛適用于多種場景。

廣東致能半導體有限公司成立于2018年12月，公司總部位于深圳，在徐州、廣州、上海等地設有研發基地和市場銷售中心。公司致力于第三代半導體氮化鎵功率器件的研發與產業化。公司自主創新的產品，涵蓋從低壓到高壓的氮化鎵功率器件，其設計及性能均達到或超越國際先進水平，具有創新性強、可靠性高、應用廣泛的特點，在消費電子、電動汽車、照明驅動、儲能電源等領域具有重要應用價值。

公司由具有20多年半導體研發經驗的海外歸國專家領銜創立，集合了國內外半導體器件設計制造領域的研發及產業化人才，組建了頂尖的研發團隊，在常關型、垂直溝道氮化鎵功率器件等方面擁有多項獨特技術發明，具有完全自主知識產權，已有發明專利170多項。公司被評為國家級高新技術企業、廣東省專精特新中小企業，廣東省科技型中小企業、廣州未來獨角獸企業，以及榮獲“中國氮化鎵器件十強企業獎”等諸多獎項。致能科技憑借獨特的創新技術及廣闊的市場前景獲得資本市場的青睞，吸引了高榕資本、中科創星、新潮資本、博世創投、歌爾股份等眾多知名資本投資。