前言

近期，東科半導體與2025（春季）亞洲充電大會帶來DK87xxAD系列半橋GaN產品，該系列產品針對傳統硅基器件調試難度大、占板空間大、損耗高等痛點逐一擊破，是目前業界唯一的All in One全合封不對稱半橋GaN方案，外圍極簡，能夠滿足市場對高效率、高功率密度氮化鎵PD適配器的需求。

東科半橋GaN產品優勢

東科半導GaN系列產品創新性的將高壓GaN上管、高壓GaN下管、半橋控制、半橋驅動等模塊整合封裝進單顆芯片中，寄生參數更低，且外圍非常精簡，有效降低工程師調試的研發成本以及時間成本。

東科GaN產品具備專利的上管自適應關斷技術，能夠實現最小的負電流關斷，同時實現主功率管的ZVS/ZCS，顯著降低開關損耗，系統效率業界領先；內置自適應死區調整，可確保東科半橋GaN產品在任何場景均有最高效率，同時保證上下兩管不會因為共通導致失效，以實現高頻、高效轉換，降低系統散熱成本；另外，該系列產品具備全方位保護功能，采用負壓采樣技術和前沿消隱藏設計，以確保系統可靠性。

在實際應用上，東科半橋GaN相比傳統反激結構，體積降低30%，占板空間更低，同時次級側可采用單功率器件設計，能夠進一步降低硬件成本；而在實際開發中，東科該方案與傳統反激一樣簡單；相較于LLC機構，半橋AHB支持3.3~60V寬電壓輸出，直接滿足電池包充電需求，無需外置充電電路；同時東科該系列產品與高壓快充協議可以無縫結合， 滿足“智能終端”需求。

東科DK87xxAD系列半橋GaN

東科DK87xxAD系列是業界目前唯一All in One全合封不對稱半橋解決方案，采用DFN 8×8封裝，內置兩顆700V GaN HEMT以及半橋驅動電路以及相關控制電路，支持最高800KHz開關頻率，上管自適應關斷，下管自適應死區時間，無需外圍調節，外圍精簡，占板空間可以減少50%。改了器件待機功率小于50mW，自適應四種負載端模式，能夠滿足市場推廣的七級能效需求。

東科DK87xxAD擁有四款量產型號，分別對應100-180W輸出情況，適合PD快充、筆電適配器、LED電源、家電電源、電動自行車充電器等場景應用。另外，相較于友商半橋GaN方案，東科DK87xxAD方案，芯片數量最少，外圍最精簡，整體開發、制造成本遠低于友商方案。

東科半導體DK87xxAD系列芯片通過調節Vcs、脈沖數量和工作頻率，實現從空載到高負載下高效、穩定的電源管理，并具備過載保護功能，保障系統安全可靠運行。

東科提供一站式GaN電源解決方案，從功率因數校正到同步整流，東科均有對應芯片方案。該方案最高支持PD3.1 140W輸出，功率密度達1.82W/cm3，高壓環境下最高效率可達95.4%，90V低壓環境下效率也可以達到93.5%。在半密閉環境下主芯片溫度83.1℃，其他器件溫度則保持比較一致。此外，該方案沒有高頻諧振干擾，因此在EMI方面同樣擁有較好的表現，輕松滿足EN55022B要求，便于開發調試。

充電頭網總結

東科DK87xxAD系列半橋GaN產品，為氮化鎵PD適配器領域帶來了全新高功率密度解決方案，該方案具備高效率、高功率密度、外圍極簡等優勢，攻克了傳統硅基器件的諸多痛點，降低了研發與生產成本，并其多場景下展現出的出色適配性，以及一站式GaN電源解決方案的完善性，具備強大的市場競爭力。