前沿導讀

2014年，我國提出了“中國制造2025”計劃。該計劃的目的則是以10年為基準，建設全新的國產芯片產業鏈。到2025年，70%的核心基礎零部件、關鍵基礎材料實現自給自足，重塑出一條具有中國特色發展路線的芯片產業鏈。

盡管在發展的道路上面遍布荊棘，但是該扶持計劃也成功促進了一些國產芯片公司的發展。

阻止中國技術

美國對中國技術的限制開始于2017年初，奧巴馬政府準備對中國發起的制造2025計劃進行相應的壓制，但是真正的反擊行動落在了繼任者特朗普總統的身上。不過與奧巴馬總統不同的是，特朗普總統希望先結束對中國的貿易逆差，然后在進行下一步的政策推進。

2019年，美國商務部工業與安全局發布出口禁令，將華為公司列入了實體清單當中，禁止其采用一定比例的美國技術來制造消費產品。隨著制裁一步步加深，美國最終選擇對整個中國大陸的芯片產業實施制裁條例，封鎖先進的設備出口、封鎖高性能芯片的出口。

據美國政府的安全顧問蒂姆·莫里森表示，我們放任華為走的太遠了，以至于華為提前預判了會有被制裁的一天，并為此做好了應對的準備。

美國對中國企業實行的單邊出口管制，迫使中國企業找尋除美國外的其他供應商，這給美國企業造成了極大影響，讓其損失了大約三分之一的經濟收入。

高通、英偉達、應用材料等公司紛紛警告美國政府，這種對華制裁措施將會導致美國的芯片產業與國際市場脫鉤。

中國市場是美國芯片企業的重要國際市場，美國企業需要依靠中國市場來獲得經濟增長，一旦中美之間在芯片產業上面不再互相依賴，那么美國的技術地位將會進一步被降低。

針對中國華為公司日益強盛的通訊技術與消費電子產品，美國經濟顧問推動政府與戴爾、微軟、美國電話電報公司的合作，加速研發出“反華為”的相關技術設備。美國司法部長威廉·巴爾還建議美國持有歐洲網絡供應商愛立信和諾基亞的控股權，以此來極大削弱華為在國際市場上面的市場占有率。

2020年5月，在特朗普宣布禁止臺積電為華為制造麒麟芯片后，臺積電的收入大幅度縮水，順便還牽連了位于荷蘭費爾德霍芬的ASML公司。

由于其他企業擔心受到美國制裁，除華為以外的許多中國企業開始大量采購海外的芯片，這加劇了全球市場對于ASML光刻機的需求。

中國技術發展

據美國經濟學家克里斯·米勒表示，在2018年期間，中國最大的晶圓制造商中芯國際的CEO梁孟松在上海與ASML簽訂協議，以1.2億美元的價格采購了一臺EUV光刻機。但是由于美國的限制，該設備并未交付給中國企業。

美國對于EUV設備的嚴防死守，強行逼迫ASML公司與中國切斷了在先進設備上面的貿易合作。

盡管無法獲取EUV設備，但是中國企業依然可以依靠曾經采購的DUV浸潤式設備通過多重曝光技術制造更加先進的芯片，這需要用到更加先進的刻蝕機與沉積設備進行輔助。

在中國的長江存儲開發出了先進的閃存芯片后，美國的蘋果公司曾考慮過從長江存儲采購閃存芯片，但是美國政府認為該合作涉及技術敏感區，強行逼迫蘋果公司放棄了該采購計劃。

在中國制造2025的推動下，北方華創、中芯國際、中微半導體等企業均實現了大幅度的自主設備發展，并且在先進芯片的技術發展上，也展示出了驚人的意志力。

2021年，中芯國際風險測試7nm芯片。

2022年，中芯國際開始量產7nm芯片。

2023年，搭載中芯國際7nm技術的國產芯片在市場上面銷售。

中國芯片產業已經在多重圖案化技術上面實現了突破，在使用DUV設備的前提下成功量產了具有7nm工藝特性的先進芯片。但是這種技術制造的芯片在成本和能效上面均沒有優勢，甚至還會快速面臨著技術瓶頸，來到一個技術無人區。

根據浸潤式技術的發明人林本堅在其所著書籍《optical lithography here is why》中表示，對于浸潤式技術來說，晶圓產率和套刻性能正在被逐步提高，除了對生產效率和封裝密度的持續需求外，對于45nm-7nm的芯片制造，不再擔憂這些問題。

而中國企業無法獲得先進的設備，又在制造材料上面被重重封鎖，想要實現7nm芯片的量產，需要對產能、套刻精度、封裝密度等多個范圍的技術環節進行大力攻堅。

據國際技術機構Techinsights對華為芯片的拆解分析后表示，中國企業在被制裁的情況下開發出了等效7nm工藝的芯片，刷新了國際芯片產業的一個新記錄，完成了一個看似不可能完成的技術項目。