Nikkei消息,軟銀(SoftBank)與英特爾宣布成立合資公司Saimemory。
主要開發適用于AI的堆疊式動態隨機存取存儲器原型,目標是在兩年內將功耗降低50%,同時實現與高帶寬內存相當的性能表現。
當前多數AI處理器依賴HBM存儲大量臨時數據,因其帶寬優勢顯著,但存在制造復雜、成本高、功耗大及發熱快等痛點。為解決這些問題,軟銀與英特爾聯合東京大學等機構,依托日本學術機構的專利技術成立Saimemory。
雙方將向該公司投資7000萬美元,其中軟銀初期注資約30億日元并成為最大股東。
Saimemory的核心技術方向是DRAM堆疊技術,通過優化內部布線效率,目標使功耗較HBM降低最多50%。該技術基于英特爾與美國國防部合作開發的成果。與三星、NEO Semiconductor等企業聚焦提升單芯片容量的3D堆疊DRAM路線不同,Saimemory更側重低功耗和低成本——前者計劃利用東京大學的“高速大數據交換技術”進一步壓縮成本。
軟銀布局此舉旨在優先獲取適配自有數據中心的高效能AI內存芯片。其此前已與OpenAI合作啟動“Stargate”項目,計劃在美國建設AI數據中心,盡管尚不確定Saimemory的產品是否會應用于該項目,但其對低功耗內存的需求與合資公司目標高度契合。
英特爾則試圖通過此次合作重返內存市場。作為全球首個商用DRAM芯片的推出者,英特爾曾在20世紀80年代中期因市場競爭退出該領域,后續雖通過NAND和SSD業務維持參與,但相關業務已分別出售給SK海力士和停止開發。
隨著AI驅動的內存需求激增,技術媒體CapacityMedia指出,若Saimemory的HBM替代方案得以普及,英特爾有望打破當前三星、SK海力士、美光三足鼎立的HBM市場格局。
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