2025年以來，全球DRAM市場正經歷一場深刻的結構性調整。三星、SK 海力士、美光三大存儲原廠相繼宣布加速退出DDR4市場，引發產業鏈上下游震動。據行業數據顯示，2025年Q1 DDR4占全球DRAM產量比重已降至35%，較2023年下降20個百分點，一場由頭部企業主導的技術迭代與市場重構正在上演。

三星電子作為全球DRAM市場份額第一的廠商，已正式停止接收DDR4新訂單，并計劃于 2025年底前全面停產。這一決策并非孤立，SK海力士將DDR4產能占比從30%壓縮至20%，美光則停止服務器用舊版DDR4供應，僅保留工業、汽車等特定領域的定制化產能。三大原廠的同步行動，標志著DDR4進入“淘汰倒計時”。

雖然全球DDR4產能下降超過20%，但同期需求僅下降8%，供需缺口從5%迅速擴大至17%，渠道庫存周轉天數從90天驟降至30天，這為DDR4價格暴漲埋下伏筆。

據集邦咨詢調研數據顯示，5月份標準型8GB DDR4芯片環比上漲27%，自3月低點以來累計漲幅已達53%，創下了自2017年1月以來的最大單月漲幅紀錄。而現貨市場的價格波動更為劇烈，部分16Gb DDR4顆粒的價格甚至飆升至6美元，高出同規格DDR5的5.8美元，今年初至今的累計漲幅已接近90%。

集邦咨詢進一步預測，若三季度美國關稅政策落地且產能無法及時補充，DDR4價格的漲幅可能會進一步擴大。其中，2025Q2 PC與server DDR4價格將繼續上漲，預期漲幅將分別達到13%~18%和18%~23%，而2025Q3的預期漲幅則可能分別達到18~23%和8~13%。

行業專家普遍認為，DDR4徹底退出市場將需要3至5年的時間，在此期間，價格的高位波動可能將成為常態。為了應對這一輪存儲芯片的波動風險，下游企業或許需要加快構建具備彈性的供應鏈，并加速技術的更新迭代。

技術、利潤與成本的三角博弈

在全球存儲產業的發展進程中，技術革新、市場需求與成本控制始終是驅動行業變革的核心力量。當前，國際原廠加速戰略調整，大規模退出DDR4市場，這一決策背后蘊藏著技術、利潤與成本等多重維度的深度考量。

首先，存儲技術迭代存在不可逆壓力。DDR5憑借6400MT/s的理論帶寬（達DDR4的2倍）和20%的功耗優勢，已成為下一代存儲應用風向標。英特爾第14代酷睿平臺與AMD銳龍7000系列全面轉向DDR5支持，主板廠商如華碩、微星的新機型DDR5滲透率超90%。這種硬件生態的集體轉向，使DDR4在主流市場的技術兼容性迅速弱化，淪為“過時技術”。

其次，行業利潤導向下的產能再分配。高帶寬內存（HBM）正在重塑存儲行業的利潤格局。HBM單價達DDR4的5-10倍，SK海力士2025年HBM產能已全部售罄，銷售額預計同比翻倍。三星、美光亦將先進制程產能向HBM、DDR5傾斜，三星將1Y納米工藝的16Gb DDR4產能轉向DDR5后，毛利率較DDR4時代提高12個百分點。

最后，老舊生產線成本優化存在長期邏輯。DDR4產線的折舊成本已成為原廠利潤的沉重負擔。以三星為例，其早期1X納米工藝產線的單位生產成本比1Y工藝高35%，而轉向DDR5后，單顆芯片的材料成本降低22%。美光財報顯示，停止服務器DDR4供應后，其高端存儲業務毛利率提升至45%，驗證了“砍舊推新”的成本優化成效。

從技術迭代的強制驅動，到利潤分配的市場選擇，再到成本控制的生存需求，國際原廠對 DDR4市場的戰略調整，本質上是存儲產業在技術演進、市場需求變化與企業經營策略之間尋求動態平衡的必然結果。DDR5與HBM技術將勢必成為未來存儲產業的核心賽道，先進制程與高附加值產品的研發能力，將決定企業在全球競爭中的地位。

DDR4在汽規、工控領域應用存在不可替代性

然而，DDR4在工業、汽車等細分領域的“長尾需求”仍將延續，原廠的戰略收縮直接引發產業鏈連鎖反應。一方面，工業控制、汽車電子等領域的剛性需求仍在，車載信息娛樂系統、自動駕駛域控制器這類場景占當前DDR4需求的60%以上；另一方面，AI服務器市場的爆發式增長進一步放大了供需矛盾。

行業周知，汽車電子行業對內存芯片的可靠性與穩定性要求近乎嚴苛。所有應用于車載信息娛樂系統、自動駕駛域控制器等關鍵場景的內存產品，必須通過AEC-Q100 Grade 2等國際標準認證，確保能在- 40℃至+ 105℃極端溫度環境下穩定運行，并承受劇烈震動與電磁干擾。這一認證流程通常需要 3 年以上的測試與驗證周期，涵蓋材料可靠性、電氣性能、環境適應性等數十項指標。

DDR5雖在帶寬與功耗上具備優勢，但其高容量規格（如64GB起步）與新型接口標準，與現有車載系統的主板架構、電源管理模塊存在兼容性矛盾。若要將車載中控系統升級至 DDR5，不僅需重新設計硬件電路、調整散熱方案，更要針對整車電子架構進行系統性測試與驗證，這一過程至少耗費24個月，且改造成本將大幅增加。

而DDR4內存恰好能滿足車載系統對數據處理速度、存儲容量的實際需求，其成熟的技術方案與供應鏈體系，使其占據當前汽車電子內存市場60%以上的份額。

在工業設計、智能制造等場景中，設備對內存的性能要求呈現“定制化”特點。諸如，三維建模、實時數據處理等應用場景，既需要內存具備每秒10GB以上的數據吞吐量，又要求其容量適配性高，避免因過度配置造成成本浪費。DDR4內存單條容量從8GB到256GB的靈活選擇，恰好能滿足不同規模工業設備的需求，而DDR5最小64GB的容量規格，往往導致3倍以上的資源浪費。

更關鍵的是，工業設備的更新換代成本極高。高端設備其控制系統若因DDR4芯片停產而進行升級改造，不僅面臨數百萬元的硬件更換費用，還需投入大量時間進行設備調試與生產流程適配，這使得企業即使面臨DDR4價格上漲300%的壓力，也不得不選擇高價采購，以維持生產線的正常運轉。

因此，在技術迭代與市場需求的博弈中，DDR4在汽車電子與工業控制領域的不可替代性，本質上是行業技術標準、成本效益與應用場景深度耦合的結果。這種局面短期內難以改變，也為DDR4在細分市場的持續需求提供了堅實支撐。

中企逐步鞏固市場話語權

隨著三星、SK 海力士、美光相繼加速收縮DDR4產能，全球存儲市場形成了約160億美元的真空地帶，這成為中國存儲企業實現戰略突圍的關鍵機遇。

南亞科技、華邦電子等臺系廠商憑借成熟的技術儲備與靈活的市場策略，迅速調整產能布局。

其中，南亞科技位于臺灣桃園的晶圓廠將10nm第二代制程產線全面向DDR4傾斜，8Gb DDR4 顆粒月產能已提升至12萬片，較2024年增長40%。公司內部人士表示，南亞科技2025年DDR4位元產出占比預計超過30%，并計劃在年底前將10nm工藝良率從85%提升至92%，進一步強化成本競爭力。

華邦電子則采取“差異化產能擴張”策略，在保留部分NOR Flash產能的同時，將旗下三座工廠中的兩座產線轉向DDR4生產。其車規級LPDDR4產品線已實現4Gb顆粒量產，工作頻率達4266MHz，適配ADAS前置攝像頭、智能座艙等場景。2025年Q2，華邦電子DDR4月產能環比增長25%，并計劃在合肥研發中心增設測試實驗室，加速產品導入市場。

中國內地大廠長鑫存儲、兆易創新同樣通過規模量產降低單位成本，紫光集團和瀾起科技則分別以行業認證和接口技術構建競爭壁壘。

以長鑫存儲為例，集邦咨詢2025年Q1報告顯示，其合肥工廠一期+二期總產能達20萬片/月（折合12英寸晶圓），依托自主研發的19nm制程工藝和國內成熟的供應鏈體系，將單顆DDR4芯片的生產成本極致壓縮。這一顯著優勢不僅源于原材料采購和人力成本，更得益于對生產流程的精細化管理。憑借突出的成本競爭力，市場分析機構Counterpoint最新預測顯示，長鑫存儲今年DRAM出貨量將同比增長50%，其在整體DRAM市場的出貨份額預計將從第一季度的6%增至第四季度的8%。

進入2025年，DDR4供需矛盾加劇，三大國際巨頭減產和長鑫存儲的擴張，這種結構性變化為長鑫存儲的價格調整創造了條件，長鑫存儲在保障利潤空間的同時，進一步鞏固了市場話語權。

盡管國際原廠在采用1Z/1Y納米工藝的DDR4高端產品上仍具優勢，且DDR5技術迭代壓力持續存在，但對中國企業而言，短期內能通過供需錯配實現營收增長，更借此完成技術認證積累與市場份額突破，為存儲產業國產化替代奠定基礎。