散英魂寄千萬雄鷹翱翔神州，

　　盡智魄載十億慧芯呼喚華夏。

　　——《國務院給予江上舟同志挽聯》

　　01

　　前沿導讀

　　臺積電前工程師，胡正明教授在訪談中說到：

　　到了1nm以后應該怎么去做？我們不要把321這個數字看得太仔細，幾納米這個數字已經沒有意義了，只是代表了一個時代而已。這個技術總是會有限度了，我相信在以后的10年之內，我們不單會把晶體管做成三維的，我們甚至會把線路設計成兩層三層的，在同一個晶圓上面疊加上去，這個方法可以將晶體管的數目繼續增加。

　　02

　　未來的技術方向

　　芯片工藝的更新迭代，取決于晶圓內部晶體管的堆疊水平。現在的發展趨勢就是在同一個尺寸的晶圓內部，或者尺寸更小的晶圓內部，設計更多的晶體管。

　　目前最先進的工藝已經發展到了3nm，這些工藝采用的技術手段，還是胡正明教授在1999年開發的Fin FET技術。

　　這項技術有效的改善了電路控制以及漏電的情況，并且縮短了晶體管的閘長，可以在后來的發展中不斷地堆疊更多的晶體管。

　　這項技術被臺積電、三星等國際大廠使用，一直到現在為止，各大廠所量產的先進工藝芯片，依然選擇采用這種技術。不過據消息稱，三星第二代3nm工藝、未來的2nm工藝，將會使用GAA FET的技術。

　　GAA FET對比Fin FET，有著更好的控制表現，但是代價也非常大，不但工藝復雜，而且良品率很低。

　　這項技術現在是臺積電和三星爭相追趕的技術項目，但是臺積電為了求穩，在為蘋果代工a17pro芯片的時候，還是選擇采用之前的Fin FET技術。

　　這樣雖然良品率高，可以保證出貨量，但是在性能的增長、功耗的控制上面，還達不到消費層面的預期，也被許多人稱為“擠牙膏”。

　　三星的情況跟臺積電類似，三星掌握GAA FET技術的時間比臺積電早半年，但是三星目前為止并，沒有將這項技術應用到消費產品上面。

　　一方面是臺積電的工藝比較穩，功耗控制較好，合作商都選擇跟臺積電合作，另一方面就是三星自己對這項技術還沒有信心，自家的Exynos2400芯片，都選擇采用了Fin FET技術的4nm工藝。

　　03

　　各企業的發展

　　目前來說，掌握著核心技術的兩大代工廠商就是臺積電和三星，這兩家在晶圓加工領域有著深厚的技術基礎。

　　國內發展最好的晶圓企業是中芯國際，但是中芯國際拿不到高端的制造設備，以至于掌握了先進的制程技術，但是沒辦法進行制造測試。

　　只能是繼續打磨老工藝，或者采用n+1的方式盡可能的增加芯片內部的晶體管數量。

　　未來的發展趨勢必然是晶體管疊加的技術，蘋果早在m1 ultra上面就已經進行了測試，將兩塊m1 max進行封裝，重新設計內部的零部件和集成線路，以實現更強性能的芯片疊加技術。

　　這種技術的優勢是可以極大提升性能，劣勢則是需要重新進行內部設計，如果設計水平出現了偏差，那么這個產品的功耗就控制不住了。

　　不過從蘋果m1 ultra和m2 ultra這兩代產品來看，蘋果的設計水平和優化水平已經是行業頂級的水平了，甚至在功耗上面大幅度超過了英特爾和AMD的同期產品。

　　還有就是華為最新的麒麟芯片，在國內外媒體機構的拆解當中，得出結論，麒麟9000s和麒麟9010是等效7nm工藝的芯片。雖然說是等效7nm，但是實際的制造工藝水平達不到7nm的水準。

　　而且這兩款芯片支持超線程，相當于把服務器上面的芯片放在手機上面使用。必須要重新對軟件系統進行優化適配，這個技術難度和工作量相當大。

　　也只能是通過這種方式，突破工藝的限制，盡可能地持平產品的性能和功耗。