【摘要】近日，英諾賽科發布2024年年報。從本次財報成績看，英諾賽科以其獨特的管理模式、技術研發協同演進路徑、廣泛的氮化鎵應用生態建設，正直接受益于全球氮化鎵需求爆發帶來的巨大紅利，該公司的經營模式，也改寫了長期困擾全球半導體IDM企業的盈利難題。

以下為正文：

近日，英諾賽科發布2024年年報。年報顯示，英諾賽科2024年完成營業收入8.29億元，同比增長39.8%。

利潤率方面，毛損率由2023年的-61.6%大幅縮減至2024年的-19.5%，提升42.1個百分點。全年交付晶片6.6億顆，出貨量增長態勢明顯。

作為全球首家大規模量產8英寸晶圓的氮化鎵IDM企業，英諾賽科以其獨特的經營理念，成立僅7年時間，向市場交出了令人驚艷的答卷，同時，截至2024年末，英諾賽科晶圓產能達1.3萬片/月，2025年計劃將產能擴充至2萬片晶圓/月。

可以說，英諾賽科用其經營業績，也讓功率半導體行業重新定義和審視IDM模式經營的內核：IDM模式不僅是功率半導體行業最佳商業模式，而且經營存在最優解。

01

盈利能力提升，核心優勢進一步擴大

據2024財報，英諾賽科芯片整體良率在2024年達到95%，單位制造成本下降近40%，盈利能力正在加速提升。

IDM廠商本身是成本費用高企，企業往往在初期需要面對重資產的折舊攤銷和固定運營費用壓力，且要靜待市場端收入的緩慢增長，英諾賽科本年度成本的迅速下降，也側面證明了公司運營模式正在走入成熟期。

從本年度財報綜合公開資料看，消費電子領域，英諾賽科已經將氮化鎵芯片產品的應用從傳統充電器、適配器市場拓展到手機、筆記本、電視、空調、音頻系統、廚房電器等細分市場。2024年，消費電子營收同比增長48%。

值得一提的是，英諾賽科本年度在新能源汽車、AI、人形機器人等戰略新興領域取得的成績頗為亮眼。

須知，智能汽車、數據中心、人形機器人等產業的高速發展，本質上都需要高質量的車規芯片、電源芯片和電機驅動產品作為基礎設施，唯有如此，整個產業才能逐漸做大，氮化鎵作為新興的第三代半導體材料，對于高新技術企業發展至關重要，客戶端普遍都在尋找優質供應商。

新能源汽車領域，英諾賽科汽車電子增長迅猛，公司的車規級芯片交付數量同比增長986.7%。

具體而言，面向汽車激光雷達的性能需求，英諾賽科推出了封裝更小的100V車規器件，降低了功率損耗和溫升，更好的滿足車載激光雷達的需求；2024年，英諾賽科還發布了100V半橋合封芯片，在提高電源效率和功率密度、減少器件占用空間和散熱需求的同時，降低電源制造成本。這款芯片能夠適應數據中心和電動汽車48V電壓轉換系統，且在機器人伺服器方面展現巨大應用潛力。

AI與數據中心方面，英諾賽科近期推出的100V增強型GaN功率器件INN100EA035A，是全球首個實現大規模量產的100V級GaN解決方案，并通過雙面散熱封裝與優化設計，重新定義了電源系統的性能邊界。

據2024財報，公司伺服器電源芯片出貨量持續增長，應用于48V轉12V的氮化鎵新品量產，AI及數據中心芯片交付數量同比增長669.8%。

人形機器人領域，英諾賽科推出的150V/100V氮化鎵產品，能夠覆蓋關節以及靈巧手電機驅動，智能電源轉換及電池管理應用。其中，100W關節電機驅動產品已經實現量產。

從這份階段性成果看，英諾賽科已經跨越周期，正憑借自身優勢快速滲透傳統硅基功率芯片市場及新興應用市場。

02

以超越傳統經營理念創造IDM加速度

當傳統IDM企業在“短期財務虧損”和“長期占據市場領先”經營選擇中左右為難時，英諾賽科的經營數據值得深思：

根據公司近日公布的業績公告，2024年銷售收入8.29億元，同比增長39.8%，同時受益于銷售規模快速攀升，產能利用率繼續提升，同時，截至2024年末，英諾賽科晶圓產能達1.3萬片/月，2025年計劃將產能擴充至2萬片/月。

顯然，英諾賽科已經在IDM經營模式上，探索出成長路徑，并體現在靚麗的經營數據中。

芯流智庫觀察員認為，該公司的發展模式成功可能來自幾個方面：

其一，IDM研發與制造相輔相成，實現技術的內生式迭代和進化。

公司是全球首家量產8英寸硅基氮化鎵晶圓，量產能力為公司大量自主創新研發、新品應用驗證提供了得天獨厚的保障。從公司專利數量來看，截至2024年末，公司擁有超過700項專利及專利申請，覆蓋芯片設計、制造工藝、可靠性等方面，僅就專利數量而言，量產催生質變，制造能力讓公司的技術研發實力躍居行業前列。

而研發綜合能力的不斷強化，又反哺公司的制造能力，不僅體現在公司芯片制造綜合成本的優化、交付速度的加快，而且也促進公司工藝技術平臺的迭代。

研發與制造，如同英諾賽科經營中的左右手，相輔相成，共同推動公司持續向市場交付更優質、更有市場競爭力的芯片產品。

其二，卓有成效的成本和費用管控，最小化IDM經營耗損。

從公開披露信息來看，公司擁有一支產品研發和工藝整合經驗豐富的工程師團隊，管理層耕耘半導體領域多年，擁有豐富的管理和運營經驗。

優秀的經營管理團隊，不斷開發真正解決客戶需求和行業應用痛點的芯片產品，持續優化制造工藝，整合供應鏈資源并有效降低運營成本。

以良率指標來衡量，該公司的8英寸硅基氮化鎵晶圓較傳統的6英寸晶圓，不僅單位晶圓的晶粒產出數提升80%，單顆芯片成本降低30%。而且能夠在穩定大規模出貨的情況下，產線的良率超過95%。可以說即使在同行業都屬少有的管理范例。

其三，依托中國本土供應鏈優勢，構建強悍市場競爭力。

得益于中國完整的供應鏈資源優勢，公司在制造自主可控、工程師團隊等方面，相較于競爭對手擁有便利，這也為公司在市場競爭中提供了先手。

以消費電子產品中的充電頭產品為例，公司作為芯片公司，已經與中國眾多知名品牌建立了密切合作關系，在下游客戶新產品開發、大規模出貨上，英諾賽科憑借IDM模式的天然優勢，將采用Fabless的競爭對手遠遠甩在身后。

而從今年的業績表現看，隨著消費電子領域的成功，英諾賽科已經將市場鋒線深入數據中心、新能源汽車、人形機器人等前沿熱門應用領域，并且將該公司的供應鏈優勢發揮到極致。

其四，超前建設氮化鎵下游應用生態，卡位氮化鎵需求爆發紅利。

公司成立以來，一直致力于建設廣泛的氮化鎵應用生態，只要有森林，繁榮是必然。公司近年來面向下游應用，不斷推出創新產品。

以最新推出的100V半橋氮化鎵功率芯片ISG3201為例，其適用于48V功率系統、電動工具等高頻高功率場景。VGaN系列產品INN040W048A屬于全球首款雙向導通氮化鎵器件，能夠應用于智能手機USB/無線充電端口。

03

全球功率半導體新篇章的譜寫者

英諾賽科的異軍突起只是開始，隨著AI算力革命、新能源汽車普及和人形機器人熱潮席卷全球，功率半導體對高頻、高功率的需求愈加迫切，傳統硅芯片受制于材料極限和工藝瓶頸，應用空間逐漸力不從心，而氮化鎵的應用正冉冉升起。

據弗若斯特沙利文預測，2023年全球氮化鎵功率半導體市場規模達17.6億元，預計2028年將突破500億元，復合增長率98.5%。這一增長背后，是氮化鎵在效率、能耗、體積上的絕對優勢。

產業政策層面，中國“十四五”規劃將第三代半導體列為戰略產業，扶持力度持續加碼。

可以說，英諾賽科憑借過往的潛心經營，正站在氮化鎵時代的門口，擁抱大規模市場需求。

以英諾賽科對功率半導體IDM經營模式的管理創新，可以看到，每一次技術的革命，不僅僅是對舊技術的顛覆，也蘊含著商業規則和秩序的突破。

從市場應用上，氮化鎵的星星之火，不斷從消費電子的快充，燃到新能源汽車的車載芯片，再到人工智能GPU電源芯片的能效躍遷，創造了一個新的萬億級的市場，也撼動了舊有硅功率芯片市場。

而英諾賽科在技術演化之外，建立了“全供應鏈”、“研發與制造協同”、“全產品應用生態”的全新經營矩陣，以中國速度改寫功率半導體IDM企業盈利速度，也重新詮釋了全球功率半導體未來的競爭新格局。