近日，韓國媒體《Newdaily》報道稱，中國存儲器半導體企業(yè)可能在兩年內實現第五代高帶寬存儲器（HBM3E）的量產。報道指出，受美國出口管制影響，中國加速自主存儲技術研發(fā)，并成功實現了DDR5量產。在中國國內AI投資熱潮的推動下，存儲需求快速增長，韓國媒體預測中國或將對韓國在全球存儲領域的領先地位構成挑戰(zhàn)。

具體來看，報道中提到，中國某頭部存儲廠商有望在2027年量產HBM3E；同時，長鑫存儲已采用15納米制程開始生產最新一代DRAM DDR5。這一系列動態(tài)讓韓國存儲產業(yè)感受到一定壓力。

不過，事實真的如此嗎？國產HBM和DDR5是否已具備威脅三星、SK海力士的實力？答案顯然是否定的。無論從技術水平、產品成熟度還是市場份額來看，三星和SK海力士仍穩(wěn)居全球存儲半導體市場主導地位。

從最新進展來看，國際主流標準制定機構JEDEC剛剛發(fā)布了HBM4標準。作為HBM3的升級版，HBM4在帶寬、能效及容量等方面均實現了進一步提升。而在HBM4領域，三星、SK海力士及美光三大巨頭早已展開布局：

• SK海力士已宣布將在2024年下半年量產HBM4 12Hi產品，且HBM4測試良率已提升至70%，高于行業(yè)預期。SK海力士目前是英偉達主要的HBM供應商，并已向其交付HBM3E 12Hi及HBM4樣品。
• 三星電子緊隨其后，預計將在今年第二季度開始供應HBM3E 12Hi，2025年下半年批量生產HBM4芯片。
• 美光科技相對進度稍慢，預計將在2026年實現HBM4量產。根據美光CEO Sanjay Mehrotra的表態(tài)，美光HBM4產品在帶寬上將比HBM3E提升60%以上。

綜合三大巨頭的布局情況，當前HBM3E已經在規(guī)模量產，HBM4則將在2025年進入大規(guī)模應用。而國產廠商，即便順利推進，HBM3E也至少要到2027年才能實現量產，且在HBM4方面尚無明確研發(fā)節(jié)點。換言之，國產在HBM領域整體落后全球領先水平2-3年以上。韓國媒體所謂“中國威脅論”，更像是一種夸大的“捧殺”策略。

在DRAM領域，國產廠商雖然取得突破，例如長鑫存儲采用15nm制程量產DDR5，但與國際巨頭相比仍有代差。三星已進入10nm級第六代（1c）DRAM研發(fā)階段，SK海力士也已量產第六代（1b）DRAM。工藝節(jié)點上，國產廠商仍落后至少一代以上。

從市場份額來看，全球存儲市場仍然由“三巨頭”高度壟斷。據Counterpoint Research數據顯示，2025年第一季度全球DRAM市場份額為：

• SK海力士：36%
• 三星電子：34%
• 美光科技：25%

三者合計占據全球DRAM市場約95%的份額。而在高端的HBM市場，SK海力士市占率高達70%，三星約20%，其余由美光及其他廠商瓜分。國產廠商在全球高端市場的存在感仍然有限。

總體來看，雖然國產存儲產業(yè)在快速進步，但要真正縮小與全球領先企業(yè)的差距，仍需時間與技術積累。韓國媒體渲染“威脅論”，更多是出于產業(yè)競爭下的焦慮，而非現實的市場變局。

未來，國產廠商唯有在技術創(chuàng)新、量產能力、市場開拓上持續(xù)突破，方能真正站上全球競爭舞臺。