2025年5月11日，中國第三代半導體龍頭企業英諾賽科在與德國芯片巨頭英飛凌的專利訴訟中取得關鍵勝利。最高法一錘定音，終審裁定駁回英飛凌中國公司及無錫公司提出的管轄權異議上訴，確認江蘇省蘇州市中級人民法院對案件的管轄權。

英諾賽科表示，這一裁定為案件進入實體審理掃清障礙，標志著英諾賽科在捍衛自主知識產權的法律戰中邁出重要一步。

案件背景

此次裁定是源于今年一月份，英諾賽科向英飛凌發起的一起專利訴訟。

2025年1月，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司及全資附屬公司向蘇州中院提起訴訟，指控英飛凌中國公司、英飛凌無錫公司及芯沃科公司侵犯其兩項核心專利。兩項專利涉及：202311774650.7 號專利涉及氮化鎵（GaN）功率器件及其制備方法，202211387983.X 號專利涉及氮化物基半導體器件及其制造方法。

英諾賽科指出，英飛凌通過官網展示、進口及銷售相關侵權產品，芯沃科作為分銷商參與其中，構成專利侵權。

英飛凌方隨后以管轄權為由提出異議，主張案件應由其他法院審理，但蘇州中院一審駁回其請求。英飛凌不服上訴至最高人民法院。最高院的終審裁定為本案的管轄程序畫上句號。

圖片由AI生成

雙方糾紛由來已久

本案是第三代半導體領域的技術話語權爭奪的一個縮影。英諾賽科是全球產能最高的氮化鎵器件廠商，作為中國第三代半導體企業，英諾賽科的技術突破直接沖擊了英飛凌的市場地位。在市場競爭面前，專利無疑成為了英飛凌的重要武器。

早在2024年3月，英飛凌已在美國加利福尼亞北區地方法院對英諾賽科提起了專利侵權訴訟。

2024年6月，向德國慕尼黑提起相應訴訟，同時對英諾賽科德國分銷商提起了其他訴訟。時正值英諾賽科在德國參加展會，但是慕尼黑地方法院發布的初步禁令，使得英諾賽科不得在展會上展示侵權產品。

2024年7月，英飛凌在美國，對英諾賽科在現有訴訟基礎上，追加了三件專利的新訴訟請求（不過后續撤回了兩項）。

到此次，英諾賽科向蘇州中院起訴英飛凌，正是對英飛凌的一次反訴。

值得注意的是，英諾賽科雙線作戰，還面臨美國GaN廠商EPC公司的專利訴訟，不過，英諾賽科頂住壓力，成功排除了專利風險，獲得了終極勝利。

意義與啟示

隨著國內半導體產業鏈自主化進程加速，以英諾賽科為代表的科技企業正通過技術創新與法律手段雙輪驅動，推動中國在全球半導體競爭格局中占據更主動地位。英諾賽科在國際知識產權訴訟中取得的階段性勝利，也為國內同行應對跨國專利訴訟提供了參考。

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來源 | 北京高沃知識產權（ID: gaowoip-com)

編輯 | 北京高沃知識產權（ID: gaowoip-com)

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