在工程實踐中，氮化鎵（GaN）器件的高開關頻率和低導通電阻特性，為電源設計帶來了顯著的效率提升和功率密度優勢，使得我們在電源設計方面有了更大的選擇空間。但實際應用的要求也越來越嚴苛，以電動汽車電源系統為例，車載充電系統和充電樁的設計面臨前所未有的挑戰。以800V平臺為代表的高壓系統正在成為主流，為了提升充電效率，整車和配套設施往往需要支持1000V以上的直流母線輸入，同時輸出多路低壓控制電壓。這要求電源不僅具備極高的耐壓能力，還要在緊湊空間內完成多路高精度輸出，并滿足嚴苛的車規級要求。

傳統設計通常依賴碳化硅器件或多級DC-DC轉換架構來實現高壓耐受與輸出精度，但這類方案不僅電路復雜、體積大、成本高，還在效率和散熱方面存在明顯短板。尤其是在1000V以上的直流母線場景下，現有方案往往需要多個高壓器件串聯才能勉強滿足設計要求，同時引入更多的驅動、隔離和保護電路，導致系統可靠性下降，設計周期拉長。這種“堆料式”的電源方案在現代應用中正面臨越來越多的限制。

那么，是否存在更優的方案解決上述問題呢？

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招招瞄準行業痛點

InnoMux2-EP，基于PI自主開發的PowiGaN技術，是目前唯一具備1700V耐壓能力的氮化鎵集成開關芯片，將氮化鎵從以往擅長的中低壓市場擴展到了更具挑戰的高壓工業和新能源應用場景。接下來，我們結合實際工作應用痛點，來看看InnoMux2-EP是如何進行技術創新的。

痛點一：動輒高達1000V的直流母線電壓應用

在1000V以上直流母線的高壓應用場景中（如光伏逆變器、工業電機驅動、儲能PCS、電動汽車充電樁等），現有方案依賴多器件串聯架構，面臨著均壓問題、驅動電路復雜度指數升級、保護電路可靠性下降、開關損耗占比陡增、EMI治理難度大、熱管理復雜度高、測試驗證成本劇增等諸多壓力。

相較于碳化硅材料復雜的制造工藝和居高不下的成本，PI PowiGaN技術通過一種創新的級聯結構，將氮化鎵晶體與MOSFET器件高效結合，成功實現了增強型常關結構，徹底解決了氮化鎵天然常通的問題。同時，這種結構不僅保障了器件在高壓環境下的安全性和可靠性，更在制造成本上有明顯優勢。

如下表所示，InnoMux2-EP將內部集成的氮化鎵開關耐壓擴展到1700V。

InnoMux2-EP采用的1700V PowiGaN技術，可輕松應對高達1000V的直流母線電壓，甚至能夠穩定抵抗電網波動和瞬態尖峰電壓的沖擊。根據實際測試數據，這款芯片在1360V工作條件下仍保留了約80%的裕量降額空間，這意味著在實際應用中，設備的可靠性得到了明顯增強，有效降低了工程師對傳統碳化硅器件的依賴。如下圖所示，InnoMux2-EP在1000V以上輸入電壓時，具有顯著的優勢。

值得一提的是，實際測試顯示，InnoMux2-EP芯片的極限耐壓值甚至達到了2100V，這充分展現了該技術在高壓電源應用中的潛力。對于工程師而言，這意味著在應對電網波動、突發尖峰電壓等復雜工況時，有了更多的安全冗余空間和設計靈活性。因此，無論是從性能可靠性、經濟效益，還是未來應用拓展的角度來看，1700V PowiGaN都代表著氮化鎵技術在高壓電源領域的重大突破，不失為一種新的選擇。

痛點二：“兩級架構”所帶來的效率損耗、成本增加

傳統的多路輸出電源方案通常采用“兩級架構”，也就是先通過前級AC-DC或高壓DC-DC實現初步降壓，再經多個獨立的DC-DC穩壓模塊分別提供不同電壓等級的輸出。這種方案雖然能保證每路輸出的精度，但對工程師而言，這種設計結構復雜、元件數量多，效率損耗明顯，整體成本也相對較高。此外，器件數量的增加也給電源設計的可靠性和系統能效帶來了挑戰。

如下圖所示，InnoMux2-EP采用了單級反激式多路輸出架構，配合次級側數字控制技術，可以在單一的變換級內精準控制最多三路獨立輸出。具體而言，InnoMux2-EP通過次級側控制IC實現對每一路輸出電壓的獨立監測和調節，電壓精度可控制在±1%以內，尤其適合5V與24V等不同電壓等級同時輸出的精密電壓需求場景。這種設計省去了傳統后級額外的DC-DC穩壓電路，減少了元器件數量，提升了整體能效，降低了設計成本，同時大幅減小了PCB布局空間。

此外，由于減少了轉換級數，系統整體的熱損耗明顯降低。這使得電源即使在沒有散熱片或復雜散熱裝置的情況下，也能保持高效且可靠地運行，尤其適合在工業環境或空間受限的應用場景使用。

痛點三：功率開關損耗高

在高壓、高頻電源設計中，功率開關的損耗一直是影響整體效率的關鍵因素之一。特別是工業電源應用，由于輸入電壓通常較高，開關器件的損耗更加明顯。傳統的解決方案往往需要增加有源鉗位或其他復雜電路來實現軟開關，但這種方式無形中增加了成本與電路復雜度，也給系統可靠性帶來了額外的挑戰。

針對這一問題，InnoMux2-EP直接在芯片內部集成了零電壓開關（ZVS）技術。具體而言，InnoMux2-EP利用其自主研發的同步整流零電壓開關技術，通過在初級開關管導通之前，讓次級側的同步整流MOSFET短暫導通，從而在變壓器次級繞組中建立一個反向電流。這個反向電流再通過變壓器耦合回初級側，幫助初級側的功率開關實現零電壓開啟。這種設計有效地從源頭降低了開關損耗，尤其在高壓輸入和高頻開關條件下，其效果更為顯著。這種集成的零電壓開關技術不僅簡化了電路結構，減少了元器件數量和成本，同時也提升了電源整體可靠性和使用壽命。

痛點四：反饋控制精度不足、響應速度慢

傳統的隔離式電源設計一般使用光耦或輔助繞組進行反饋控制，但這些方法存在精度不足、響應速度較慢以及長期使用性能易衰減等缺點，尤其是在多路輸出應用場景中，難以精確獨立地控制每一路輸出電壓。

為了解決這些問題，PI FluxLink磁感耦合隔離技術，通過磁感耦合的方式將次級側的控制信號安全可靠地傳遞給初級控制器，不需要使用光耦或額外的反饋隔離電路。與傳統方案相比，FluxLink在長期穩定性、溫度穩定性和動態響應速度方面都有明顯優勢。

具體到InnoMux2-EP系列產品，FluxLink不僅實現了基礎的反饋和隔離功能，更進一步實現了對多路輸出之間的精準協調控制。次級側控制器通過FluxLink快速準確地向初級側反饋功率需求信號，從而確保每一路輸出電壓都能精準地進行獨立調節。實際測試顯示，每路輸出電壓的控制精度能達到±1%以內，這一指標在目前的多路輸出電源設計中處于領先水平，特別適用于工業儀器、通信設備、家電控制等高精度應用領域。

此外，得益于FluxLink技術，InnoMux2-EP的安全隔離性能也得到了顯著提升，并順利通過了嚴苛的4000VAC絕緣強度認證，滿足UL1577和TUV（EN62368）等國際安全標準。對于工程師而言，這不僅提升了設計的安全裕量，更大幅簡化了整體的電源方案設計過程。

如下圖所示，InnoMux2-EP具有出色的穩壓精度。

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PI InnoMux2-EP性能表現

90%以上整體能效

電源的效率一直都是工程師在進行設計時最為關注的指標之一。InnoMux2-EP系列通過結合先進的1700V PowiGaN技術與創新的零電壓開關（ZVS）設計，成功實現了在最高1000VDC電壓輸入條件下穩定達到90%以上的整體能效。如下圖所示，在200-1000VDC的輸入電壓范圍內，InnoMux2-EP的滿載效率都穩定地超過了90%。

低待機/空載功耗：應對嚴苛節能法規

InnoMux2-EP芯片內部集成了EcoSmart高效節能技術和精確的功率管理機制，即使在極低負載甚至空載情況下，也能保持極佳的能效表現。如下圖所示，InnoMux2-EP在輸入功率僅為300mW的極輕載條件下，其輸出功率仍能達到203mW；而在1000VDC輸入電壓下，空載功耗甚至低至60mW以下。

可靠性更進一步

InnoMux2-EP依靠創新的1700V PowiGaN技術，單芯片即可承受高達1700V的電壓。這樣不僅大幅減少了元器件數量，也從根本上消除了因多個元器件串聯導致的不一致性風險。此外，該芯片還內置了全面的保護機制，包括輸入過壓保護（OVP）、輸入欠壓保護（UVP）、過溫保護（OTP），以及每一路輸出都具備獨立的過載保護功能。這些保護功能通過芯片內部的初級和次級控制器實時監測并作出快速反應，進一步提高了電源系統在復雜環境下的穩定性與安全性。

性價比之選：可替代碳化硅方案

長期以來，碳化硅材料因成本較高、制備工藝復雜，造成產品整體成本難以下降，制約了其在產業中進一步普及應用的步伐。InnoMux2-EP系列產品通過引入氮化鎵技術，提供了一種高性價比的替代方案。氮化鎵在材料、生產工藝和封裝成本方面均具備明顯優勢。PI自主研發的PowiGaN工藝技術，成功地使1700V氮化鎵器件的成本更接近傳統硅MOSFET的水平，同時性能和可靠性均明顯優于碳化硅。

小型化：提升功率密度

InnoMux2-EP采用的單級反激多路輸出架構，省去了額外的DC-DC穩壓模塊，大幅減少了元器件的使用數量與電路布局面積。更高的集成度帶來了更緊湊的系統設計，使設備功率密度顯著提升，滿足當前工業設備、電動車充電系統、太陽能逆變器等對空間和布局要求嚴格的場景。如下圖所示，InnoMux2-EP的封裝具有小型化的特點，功率密度高，同時降低了PCB設計復雜度。

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總結

總的來說，InnoMux2-EP系列的發布，讓氮化鎵第一次真正走進了以前一直由碳化硅主導的高壓領域，讓氮化鎵芯片也能輕松應對高電壓場景。

對用戶和開發人員而言，這意味著我們用更少的成本，就能實現過去只有碳化硅才能做到的性能，而且產品使用起來更省電、更耐用、維護也更少。InnoMux2-EP可以說為工業設備、電動車、新能源系統甚至家電產品提供了一個性能更好又更經濟實惠的選擇。

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