芯片設計公司聯(lián)發(fā)科（MediaTek）在近期的臺北國際電腦展（Computex Taipei）期間宣布了一項重要進展。公司副董事長兼首席執(zhí)行官蔡力行在主題演講中確認，聯(lián)發(fā)科計劃于 2025 年 9 月將其首款采用 2nm 制程工藝的芯片產(chǎn)品在臺積電（TSMC）完成流片。

蔡力行在其演講中，圍繞人工智能等技術趨勢，闡述了聯(lián)發(fā)科的布局。其中，2nm 芯片的推進是其技術規(guī)劃中的一個關鍵環(huán)節(jié)。盡管這款 2nm 芯片的具體應用和詳細規(guī)格目前尚未公開，但據(jù)推測，它很可能將作為聯(lián)發(fā)科下一代旗艦級移動處理器，歸屬于其天璣（Dimensity）系列，可能是天璣 9600。

圖丨蔡力行在 Computex 2025（來源：YouTube）

聯(lián)發(fā)科將 2nm 芯片的流片時間定在 2025 年 9 月，這個時間點也與臺積電 2nm（N2）工藝節(jié)點的量產(chǎn)計劃相吻合。臺積電此前曾表示，其 N2 工藝預計在 2025 年下半年開始投入大規(guī)模生產(chǎn)。這意味著，如果一切順利，搭載聯(lián)發(fā)科 2nm 芯片的商用終端設備有望在 2026 年面市。值得注意的是，這意味著聯(lián)發(fā)科的旗艦移動處理器將首次與蘋果最新的 A 系列處理器在制程技術上保持同步，不再存在制程代差，預計雙方都將在 2026 年推出基于 2nm 工藝的商用產(chǎn)品。

據(jù)此前公布的相關信息臺積電的 N2 工藝在技術上實現(xiàn)了多項突破，它是其首次采用多層堆疊的環(huán)繞柵極（GAA，Gate-All-Around）納米片（Nanosheet）晶體管結構的制程技術。與此前廣泛使用的鰭式場效應晶體管（FinFET，F(xiàn)in Field-Effect Transistor）的柵極三面包裹溝道不同，GAA 納米片晶體管的柵極材料能夠 360 度完全包裹每一層納米片構成的溝道，從而實現(xiàn)更優(yōu)異的靜電控制特性。

這種結構上的革新，有助于在晶體管尺寸持續(xù)縮小、集成度不斷提高的同時，有效抑制漏電流（leakage current），顯著改善短溝道效應（short-channel effects），最終在芯片層面實現(xiàn)更顯著的性能提升、功耗降低和晶體管密度增加。根據(jù)臺積電官方提供的數(shù)據(jù)，相較于其 N3E（3nm 增強版）工藝，N2 工藝預計能在同等功耗下帶來 10% 至 15% 的性能提升，或在同等性能下降低 25% 至 30% 的功耗，同時邏輯密度和整體芯片密度也將有顯著提高。

圖丨臺積電 20 廠將成為主要的 2nm 芯片生產(chǎn)設施（來源：TSMC）

此外，為了應對先進制程下日益復雜的電源輸送挑戰(zhàn)，N2 工藝還將集成用于優(yōu)化芯片內(nèi)部電源輸送網(wǎng)絡的超高性能金屬-絕緣體-金屬（SHPMIM，Super High Performance Metal-Insulator-Metal）電容器。這些嵌入式電容器對于維持高速運算下的電壓穩(wěn)定、減少電壓降（IR drop）至關重要。

與前代的 SHDMIM 設計相比，新的 SHPMIM 電容器提供了兩倍以上的電容密度，并在關鍵的片電阻（Rs）和通孔電阻（Rc）方面實現(xiàn)了高達 50% 的降低。這些改進將直接轉化為更穩(wěn)定的供電、更低的功率損耗以及支持更高工作頻率的能力，從而有望明顯提升芯片的峰值性能和持續(xù)性能表現(xiàn)，并改善整體功耗。

對于聯(lián)發(fā)科而言，積極導入 2nm 工藝，是其近年來持續(xù)提升產(chǎn)品定位、加強高端市場競爭力的延續(xù)。過去數(shù)年，聯(lián)發(fā)科通過天璣系列芯片，在高端智能手機市場取得了顯著進展，其產(chǎn)品性能和市場份額均有提升，“發(fā)哥”的稱號也已經(jīng)慢慢從調(diào)侃變成了認可。

例如，目前市場上的天璣 9400 系列芯片，憑借其性能和能效表現(xiàn)，已經(jīng)獲得了部分市場和消費者的認可。即將推出的 2nm 芯片，預計將在性能、能效，特別是在 AI 運算能力等方面帶來進一步的提升，這將有助于聯(lián)發(fā)科在與高通等主要競爭對手的旗艦級產(chǎn)品比拼中，保持競爭力。

圖丨天璣 9400（來源：MediaTek）

除了智能手機芯片這一核心業(yè)務，聯(lián)發(fā)科也在積極將其領先的芯片技術拓展到汽車電子（Dimensity Auto 平臺）、物聯(lián)網(wǎng)（Genio 平臺）、AI PC 以及數(shù)據(jù)中心等新興領域，并與英偉達等行業(yè)領導者在 AI 基礎設施方面展開深度合作。未來，2nm 這樣的先進制程技術，憑借其帶來的 PPA（性能、功耗、面積）優(yōu)勢，也可能逐步應用到這些對高性能和低功耗有嚴苛需求的新興市場產(chǎn)品中。

在 2nm 時代，聯(lián)發(fā)科能否進一步鞏固其在高端市場的地位，并對行業(yè)領導者發(fā)起更強有力的挑戰(zhàn)，值得我們持續(xù)關注與期待。

參考資料：

1.https://www.reuters.com/world/asia-pacific/mediatek-tape-out-2nm-chip-tsmc-sept-mediatek-ceo-says-2025-05-20/

2.https://www.tomshardware.com/tech-industry/tsmcs-2nm-n2-process-node-enters-production-this-year-a16-and-n2p-arriving-next-year

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