近日，新區(qū)企業(yè)江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司（后文簡稱“超芯星”）有好消息傳來：憑借自主研發(fā)的碳化硅長晶技術(shù)，超芯星團(tuán)隊(duì)從全球近40個國家及地區(qū)的1000多項(xiàng)發(fā)明成果中脫穎而出，拿下第50屆日內(nèi)瓦國際發(fā)明展金獎。

作為世界三大發(fā)明展之一，日內(nèi)瓦國際發(fā)明展以評選嚴(yán)格、標(biāo)準(zhǔn)專業(yè)著稱，被譽(yù)為“國際科技創(chuàng)新成果的最高競技場”，每年吸引眾多頂尖科研團(tuán)隊(duì)和創(chuàng)新成果參展。

超芯星的碳化硅長晶技術(shù)

厲害在哪？

未來還有哪些布局和突破？

跟小北一起來看看

01

在介紹超芯星的獲獎技術(shù)之前，先做個小小科普。

當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正迎來迭代升級的關(guān)鍵時刻，以碳化硅等為代表的第三代半導(dǎo)體材料也成為焦點(diǎn)。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，碳化硅耐高溫、耐高壓、抗酸堿，由其制造的半導(dǎo)體器件也具備大功率、低能耗等優(yōu)勢，在新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

例如，在超芯星展廳內(nèi)，可以看到兩代材料的直觀對比：采用碳化硅功率器件的汽車動力控制系統(tǒng)，相較傳統(tǒng)硅材料，體積縮小80%、損耗降低70%、重量減少65%。但美中不足的是，碳化硅單晶只能依靠人工合成獲得，不僅技術(shù)壁壘高，單晶生長等設(shè)備也多依賴進(jìn)口。很長一段時間里，高質(zhì)量襯底的生產(chǎn)幾乎被歐美廠商壟斷。

“本次我們獲獎的技術(shù)，正是直擊碳化硅襯底制備的關(guān)鍵挑戰(zhàn)，通過自主創(chuàng)新的工藝設(shè)計(jì)與方法，實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。”超芯星半導(dǎo)體創(chuàng)始人、CEO劉欣宇介紹。2019年，這位海歸博士回國創(chuàng)業(yè)，瞄準(zhǔn)高溫化學(xué)氣相沉積法（HTCVD）這一創(chuàng)新技術(shù)，決心要在各環(huán)節(jié)上都力爭形成自主知識產(chǎn)權(quán)。

“選擇HTCVD，是因?yàn)檫@項(xiàng)技術(shù)能確保碳化硅生產(chǎn)過程的穩(wěn)定與高效，產(chǎn)出晶體純度高、生長速度快，可以為大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用打下基礎(chǔ)。”劉欣宇介紹，超芯星團(tuán)隊(duì)以自主研發(fā)為主線，先后突破了低應(yīng)力、低缺陷晶體生長及低損耗晶片加工技術(shù)等多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)，形成了一整套具有自主知識產(chǎn)權(quán)的工藝，覆蓋設(shè)備、粉料、晶體生長、晶體加工及晶片檢測全流程……

自主研發(fā)、自主可控，也就不難理解超芯星的碳化硅長晶技術(shù)為何能拿下金獎。正如劉欣宇感慨，本次參展，也是希望展示中國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的自主創(chuàng)新實(shí)力。

02

如今，超芯星已成為世界唯三、全國唯一掌握HTCVD創(chuàng)新技術(shù)的創(chuàng)業(yè)公司，也是國際少數(shù)幾家能夠批量供應(yīng)碳化硅襯底片的企業(yè)之一。但在超芯星團(tuán)隊(duì)看來，本次獲評金獎，亦是新的起點(diǎn)，他們要做的還有許多。

“我們一直認(rèn)為，沒有‘芯’材料，何談自主創(chuàng)‘芯’。”劉欣宇表示，“以技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動產(chǎn)業(yè)發(fā)展”是超芯星的新目標(biāo)。

近年來，新區(qū)已構(gòu)建起覆蓋“襯底—外延—器件—封裝—模組—應(yīng)用”的全鏈條產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系，并聚集各環(huán)節(jié)頭部企業(yè)。這不僅為團(tuán)隊(duì)技術(shù)成果轉(zhuǎn)化提供了有力支撐，也是推動產(chǎn)業(yè)能級飛躍的關(guān)鍵。

作為一家覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的碳化硅材料公司，超芯星希望充分發(fā)揮鏈主企業(yè)作用，積極推動上下游合作，共同構(gòu)建更完善的產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。扎根新區(qū)，這支團(tuán)隊(duì)還將走向更遠(yuǎn)。

素材來源 | 研創(chuàng)園、超芯星、南京日報

轉(zhuǎn)載字：南京江北新區(qū)

- End -

AI 浪潮席卷而來，你準(zhǔn)備好了嗎？

7 月 12 日蘇州 ICDIA 2025 創(chuàng)芯展 AI 開發(fā)者大會，破解工程化難題，預(yù)見未來藍(lán)海！摩爾線程等大咖分享，速來搶占先機(jī)，掃碼報名。

RISC-V 2030 研究報告

芯榜正撰寫《RISC-V 2030 研究報告》白皮書，意義重大，誠邀企業(yè)加入共構(gòu)生態(tài)。RISC-V 是中國打破芯片技術(shù)封鎖、實(shí)現(xiàn)自主可控的關(guān)鍵，可降企研發(fā)成本。有意者加微信 105887（注明 RISC-V）共筑未來。

【點(diǎn)擊下載】DC/DC Buck降壓電路設(shè)計(jì)指南（頁面最后需公司郵箱）