本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

這是美國歷史上對基礎(chǔ)半導(dǎo)體制造的最大投資。

德州儀器宣布，計劃對其美國7家半導(dǎo)體工廠投資超過600億美元，擴大其在美國的制造產(chǎn)能，以滿足日益增長的半導(dǎo)體需求，推動從汽車到智能手機再到數(shù)據(jù)中心等關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新。這也將是美國歷史上對基礎(chǔ)半導(dǎo)體制造業(yè)最大的投資。

據(jù)悉，這筆超過600億美元的投資將惠及美國德克薩斯州和猶他州3個制造巨型工廠的7個美國半導(dǎo)體工廠，將每天生產(chǎn)數(shù)億顆美國制造的芯片，支持6萬多個新的美國工作崗位。

與生產(chǎn)尖端AI芯片的英偉達不同，德州儀器是美國最大的基礎(chǔ)芯片制造商，生產(chǎn)模擬和嵌入式處理芯片。這些芯片對智能手機、車輛、數(shù)據(jù)中心、衛(wèi)星和幾乎所有其他電子設(shè)備都至關(guān)重要，擁有蘋果、福特為代表的消費電子、汽車廠商組成的龐大客戶群。

值得注意的是，目前德州儀器尚未公布這項巨額投資的具體時間表。

德州儀器此次投資的七大工廠

此次投資涉及到的七家工廠分布在得克薩斯州謝爾曼、理查森和猶他州利哈伊的三個制造基地。

其中，在得克薩斯州謝爾曼，德州儀器的首座新晶圓廠SM1將于今年投入生產(chǎn)，距其破土動工僅三年；第二座新晶圓廠SM2的外墻也已完工。此外，德州儀器還計劃增建兩座晶圓廠SM3和SM4，以滿足未來的需求。

在得克薩斯州理查森，德州儀器第二家晶圓廠RFAB2繼續(xù)全面投產(chǎn)，2011年公司在該州推出了全球首家300毫米模擬晶圓廠RFAB1。

在猶他州利哈伊，德州儀器正在加速首座300毫米晶圓廠LFAB1的建設(shè)。此外，與LFAB1相連的利哈伊第二座晶圓廠LFAB2的建設(shè)也正在順利進行中。

德州儀器總裁兼首席執(zhí)行官哈維夫·伊蘭表示：“公司正在大規(guī)模建設(shè)可靠且低成本的300毫米晶圓生產(chǎn)能力。這一投資計劃旨在支持幾乎所有電子系統(tǒng)所需的核心組件——模擬芯片和嵌入式處理芯片。隨著智能手機、汽車電子和物聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，對這些芯片的需求不斷增加，德州儀器的擴建計劃將有助于滿足市場日益增長的需求?！?/p>

美國商務(wù)部長霍華德·盧特尼克表示：“近一個世紀以來，德州儀器一直是推動技術(shù)和制造業(yè)創(chuàng)新的美國基石公司。特朗普總統(tǒng)已將發(fā)展美國半導(dǎo)體制造業(yè)作為優(yōu)先事項，其中包括那些用于人們?nèi)粘Ｊ褂玫碾娮赢a(chǎn)品的基礎(chǔ)半導(dǎo)體。我們與德州儀器的合作將在未來幾十年為美國芯片制造業(yè)提供支持?！?/p>

芯片大廠的美國投資新計劃

除了德州儀器，格芯、臺積電和美光等企業(yè)也宣布了在美國的新投資計劃。

2025年3月，臺積電宣布追加1000 億美元投資，使其在美國的總投資達到1650 億美元。這一計劃包括亞利桑那州 Fab 21 園區(qū)擴建，新建3 座晶圓廠（涵蓋 2nm 及更先進制程）、2 座先進封裝廠及1 座研發(fā)中心，最終形成6 座晶圓廠的集群。其中，封裝廠將引入臺積電核心的CoWoS 技術(shù)，實現(xiàn) AI 芯片的高密度集成。研發(fā)中心則聚焦于現(xiàn)有工藝優(yōu)化（如 2nm 量產(chǎn)準備），而非下一代技術(shù)探索。

2025年6月，格芯宣布計劃在美國投資160億美元，以擴大其在紐約和佛蒙特兩州工廠的半導(dǎo)體制造和先進封裝能力，推動基本芯片制造回流。這輪投資分為兩部分，其中超過130億美元用于擴建其紐約和佛蒙特州的設(shè)施，并為新成立的紐約先進封裝和光子中心提供資金，另外30億美元則關(guān)注封裝、硅光子和下一代氮化鎵的高級研發(fā)計劃等方面。

2025年6月，美光宣布將美國投資總額從 1250 億美元增至2000 億美元。其中1500 億美元用于制造，包括在愛達荷州博伊西新建2 座 DRAM 晶圓廠、紐約州克萊建設(shè)4 座超級晶圓廠（潔凈室總面積達 5.57 萬平方米），以及對弗吉尼亞州馬納薩斯工廠的現(xiàn)代化升級；500億美元用于研發(fā)，重點突破 HBM（高帶寬內(nèi)存）、3D NAND 及下一代 DRAM 技術(shù)，鞏固美光在存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

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