AI 時(shí)代存儲(chǔ)技術(shù)從參數(shù)競(jìng)爭(zhēng)轉(zhuǎn)向體驗(yàn)革新。
今日,在2025世界移動(dòng)通信大會(huì)·上海(MWC上海2025)上,長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)處嵌入式業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人楊帆分享了AI時(shí)代,長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)于存儲(chǔ)未來(lái)發(fā)展的看法。
在他的演講中,我們獲取了以下關(guān)鍵信息:
- eMMC等相似產(chǎn)品,長(zhǎng)江存儲(chǔ)已累計(jì)出貨量超過2億顆
- 其自主研發(fā)的Xtacking架構(gòu)從1.0到4.0不斷升級(jí)
- 長(zhǎng)江存儲(chǔ)未來(lái)計(jì)劃推出更高的旗艦級(jí)產(chǎn)品UFS4.1 及后續(xù)的 5.0
AI+時(shí)代,手機(jī)存儲(chǔ)向更快接口,更大容量發(fā)展。楊帆表示,隨著AI時(shí)代的到來(lái),無(wú)論是個(gè)人使用的手機(jī)還是各種智能化終端設(shè)備,用戶對(duì)硬件的需求已經(jīng)從單純的堆砌參數(shù),轉(zhuǎn)向更注重使用體驗(yàn)。人們希望設(shè)備更快、更好、更智能,這不僅體現(xiàn)在性能提升和影像設(shè)備的進(jìn)步,也包括設(shè)備之間的交互方式以及對(duì)AI能力的支持。
在AI 時(shí)代,數(shù)據(jù)端口發(fā)展迅猛,從 eMMC 時(shí)代到 UFS3.1、UFS4.1 時(shí)代乃至未來(lái)的 5.0 時(shí)代,終端設(shè)備的存儲(chǔ)體驗(yàn)隨技術(shù)進(jìn)步不斷升級(jí)。以手機(jī)為例,128GB、256GB、512GB 乃至 5GB 容量的機(jī)型不斷涌現(xiàn),用戶對(duì)存儲(chǔ)的需求已從單純追求硬件參數(shù)(如更大屏幕、更流暢性能、更好散熱等),轉(zhuǎn)向?qū)χ悄芑w驗(yàn)的追求,包括設(shè)備性能提升、影像功能增強(qiáng)、跨設(shè)備交互及對(duì) AI 的支持等。
如今,每個(gè)人可能擁有不止一臺(tái)手機(jī),還有可穿戴設(shè)備、智能家居等個(gè)性化感知設(shè)備。這些設(shè)備需要通過語(yǔ)言識(shí)別、行為分析等方式更懂用戶,從而帶來(lái)更好的交互體驗(yàn)。而這一切的背后,離不開存儲(chǔ)技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)。
面對(duì)日益增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求,長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了多種解決方案,滿足游戲、社交媒體、移動(dòng)辦公、高清攝影、離線影音及大模型應(yīng)用等多方面需求。他介紹道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過先進(jìn)的封裝技術(shù)和高集成設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了在極小空間內(nèi)的大容量存儲(chǔ),例如1TB容量的存儲(chǔ)芯片厚度僅0.85毫米,為輕薄化、折疊屏等新型手機(jī)提供了技術(shù)支持。
此外,在性能方面也實(shí)現(xiàn)了顯著突破,將帶寬從4.2G提升至10G,大幅降低了數(shù)據(jù)處理的延遲,使得手機(jī)運(yùn)行更流暢。同時(shí),在高效存儲(chǔ)管理方面也進(jìn)行了優(yōu)化,如系統(tǒng)日志保護(hù)、多級(jí)分區(qū)存儲(chǔ)、硬件快照等功能,有效解決了長(zhǎng)期使用后設(shè)備變慢的問題,并增強(qiáng)了數(shù)據(jù)安全性與隱私保護(hù)。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)為“AI+”提供澎湃的存力,其中的關(guān)鍵在三點(diǎn):好架構(gòu)(Xtacking)、好顆粒、好產(chǎn)品。
從架構(gòu)上來(lái)說(shuō),長(zhǎng)江存儲(chǔ)自研Xtacking架構(gòu),從1.0到4.0不斷創(chuàng)新突破。這一技術(shù)采用晶圓鍵合工藝,將CMOS與存儲(chǔ)陣列進(jìn)行混合鍵合,實(shí)現(xiàn)了更高的密度、更小的面積以及更快的速度。該架構(gòu)已獲得國(guó)際認(rèn)可,成為全球存儲(chǔ)行業(yè)的領(lǐng)先方案之一。Xtacking 4.0能夠?qū)崿F(xiàn)IO速率3600MT/s。
從顆粒上,長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出X4 - 9060 的 TLC、9070 的 TLC 及 QLC 存儲(chǔ),從 SLC、MLC 過渡到 TLC,未來(lái)將邁入 QLC 時(shí)代,為消費(fèi)者帶來(lái)更大容量、更流暢的存儲(chǔ)體驗(yàn)。
從產(chǎn)品上,長(zhǎng)江存儲(chǔ)為客戶提供全方位的嵌入式存儲(chǔ)解決方案。從eMMC 通用技術(shù)到 UFS2.2、3.1、4.1,實(shí)現(xiàn)大規(guī)模突破。
其中,基于晶棧Xtacking3.0架構(gòu),長(zhǎng)江存儲(chǔ)明星產(chǎn)品UFS3.1嵌入式閃存芯片 UC341,已經(jīng)已量產(chǎn)于國(guó)內(nèi)準(zhǔn)旗艦手機(jī)型號(hào)。廣泛應(yīng)用于主流旗艦手機(jī)、高端平板電腦及消費(fèi)數(shù)碼,滿足中高端消費(fèi)需求。相比上一代獨(dú)顯性能提升 36%,功耗降低 20%。
基于晶棧Xtacking4.0架構(gòu),長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出全新UFS2.2嵌入式閃存芯片 UC260。這是業(yè)界首顆512GB UFS2.2,功耗相比上一代能效比提升20%,性能處于業(yè)內(nèi)第一梯隊(duì)。
此外,長(zhǎng)江存儲(chǔ)還有eMMC產(chǎn)品。其eMMC5.1嵌入式閃存芯片 EC150,同樣基于Xtacking4.0架構(gòu),寫入壽命高達(dá)256TBW (256GB),閃存接口速度達(dá)3600 IOPS。目前該方案成熟,兼容性超強(qiáng)可快速適配主流SOC平臺(tái),幫助智能終端方案靈活選型,縮短開發(fā)周期并降低驗(yàn)證成本。據(jù)稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)相似產(chǎn)品出貨量已超2 億顆。
楊帆透露未來(lái),長(zhǎng)江存儲(chǔ)還將推出新一代UFS4.1嵌入式存儲(chǔ)及后續(xù)的 5.0,性能將再加倍提升。
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