IT之家 6 月 22 日消息，英特爾在 2025 年超大規模集成電路技術與電路研討會（Symposium on VLSI Technology and Circuits）上披露下一代 Intel 18A 工藝節點技術細節。

該節點將取代現有 Intel 3 節點，優化頻率與電壓調節能力，后續將應用于消費級處理器“Panther Lake”以及服務器處理器 Clearwater Forest（純 E 核 Xeon）等產品。

據英特爾工程師介紹，采用 RibbonFET（全環繞柵極 GAA）與 PowerVia（背側供電）技術的 Intel18A 制程相較 Intel 3 實現了 30% 以上密度提升與“全節點性能進步”，同時提供高性能（HP）、高密度（HD）庫，兼具完整設計能力與易用性。

得益于 RibbonFET 技術，Intel 18A相較于使用 FinFET 的 Intel 3 實現大幅跨越。RibbonFET 主要優勢在于：

• 優化柵極靜電特性，單位面積有效寬度更大、寄生電容更低，設計靈活性進一步提升；
• 為 180H / 160H 庫引入多種 Ribbon 寬度，通過 DTCO（設計工藝協同優化）平衡邏輯功耗 / 漏電與性能，為 SRAM 定制 Bitcell 優化的 Ribbon 寬度 —— 全面增強 18A 節點芯片性能與設計潛力。

另外，18A 采用了 PowerVia 技術，以背側供電走線替代前側走線，實現供電網絡解耦與獨立優化，從而實現多重增益：

• 邏輯密度提升
• 標準單元利用率改善
• 信號 RC 值降低
• 電壓降（droop）收縮
• 設計靈活性進一步實現拓展

英特爾 18A 規格
HP / DR 庫高度180/160nm接觸式多晶硅柵極間距50mm金屬零層（M0）間距32nmHCC / HDC SRAAM 面積0.023/0.021 μm2正面金屬層數量10ML（低成本、高密度），14-16ML（高性能）
背面金屬層數量3 ML + 3 ML

通過這些改進，Intel 18A 相比 Intel 3 實現了超過 15% 的單位功耗性能提升：

• 性能能效：1.1V 電壓下，18A 同頻性能較 Intel 3 提升約 25%；且支持 0.65V 以下低電壓運行，同頻功耗最多降 38%。
• 密度提升：18A 較 Intel 3 最高實現 39%（平均 30%）密度提升，背側供電使單元利用率提 8-10%，單元利用率提高 8-10%，并將極端 IR 電壓降收縮至原來的 10%。
• 參數對比：HP 庫高度從 Intel 3 的 240nm 降至 180nm，HD 庫從 210nm 降至 160nm；M0 / M2 金屬層間距從 30/42nm 優化為 32/32nm。
• SRAM 縮放：18A 的高電流單元（HCC）密度較 Intel 3 提升 30%，HCC、HDC SRAM 面積分別達 0.0230μm2、0.0210μm2。

英特爾表示，18A 工藝將持續迭代：2026-2028 年將推出 18A-P 和 18A-PT 衍生版本（IT之家注：已于 2025 年 Direct Connect 大會公布），并開放客戶基于這些節點實現芯片量產。