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原文來自原創書籍：《硬件設計指南 從器件認知到手機基帶設計》

1. NMOS LDO原理概括

圖2-16是一個NMOS LDO的基本框圖，在1.4節中已經介紹了NMOS特點，在開關結構電源中MOS是工作在開關狀態，在LDO電源中MOS工作在飽和區，注意：LDO一定是工作在飽和區（特殊情況會在可變電阻區），所以VG要大于VS，因此NMOS LDO除了有Vi引腳，一般還會有個Vbias引腳來給MOS的G極提供高壓驅動源；或者只有一個Vi，而LDO內部集成了CHARGE BUMP (電荷泵)來為G極提供高壓驅動源。LDO大體工作流程如下：當Vo下降時，反饋回路中的VFB也會下降，誤差放大器輸出端VG就會增加，隨著VG增加，MOS的電流IDS電流也增加，負載電流Io也會跟著增加，最終使得Vo又恢復到原始電平，總結狀態如下：

Vo↓——>VFB↓——>VG↑——Io↑——>Vo↑

圖2-16 NMOS LDO結構框圖

2. NMOS LDO原理詳細分析

NMOS LDO詳細工作原理見圖2-17，圖中是NMOS的輸出特性曲線，讓我們結合圖2-16圖2-17分析。假設一開始LDO工作狀態在A點，當負載電流突然增加時Vo下降，Vi不變，由于VDS=Vi-Vo，那么VDS就會增加，MOS工作點由A轉移到B；緊接著反饋回路開始工作，Vo減小，VFB電壓也跟著減小，經過誤差放大器后，VG增加，由于VGS=VG-VS=VG-Vo，那么VGS也增加，從圖2-17可以看到，隨著VGS增加，MOS的電流IDS逐漸上升，進而使得VO逐漸升高、VDS逐漸減小，MOS工作點由B轉移到C，LDO又回到原始工作電平，最終看到的現象就是VO的電壓先降低，而后由上升回原始電平，實現了穩壓的作用。

圖2-18為某LDO工作過程的實測波形，從波形可以看到當負載電流突然增大時，LDO的輸出電壓被瞬間拉低，而后逐漸上升會原始的電平，實現了穩壓電源的作用。

圖2-17 NMOS LDO工作狀態轉移圖

圖2-18 實際LDO工作波形

3. NMOS LDO仿真

下面我們對NMOS LDO進行仿真，圖2-19是簡單的5V轉3V的NMOS LDO仿真原理圖，LDO的輸入電壓是5V；VBIAS偏置電壓是7V，用于產生內部參考電壓，經過330Ω的電阻限流后，使用穩壓管穩定在2.25V，供給誤差放大器。在輸出是3V的前提下，經過反饋回路的分壓電阻R1(333Ω)R3(1KΩ)作用下，VFB反饋電壓是3*1000/(333+1000)=2.25V等于誤差放大器同向端電壓，當輸出電壓變化時VFB也會變化，進而使得誤差放大器輸出變化從而調節LDO的輸出。換句話說，我們可以通過匹配反饋電阻R1和R3來設置輸出電壓。根據探針2可以看到，LDO輸出直流電壓是3.01V。

圖2-19 NMOS LDO仿真原理圖

圖2-20是LDO輸出波形圖，淺色曲線是輸出電壓，當負載電流從37mA增加到200mA (1mV=1mA)過程中，LDO的輸出電壓基本不變，實現了我們需要的穩壓功能。

圖2-20 NMOS LDO輸出波形

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