近日，第二屆粵東西北知識產權創新創業大賽結果公布，河源市眾拓光電科技有限公司（以下簡稱“眾拓光電”）“面向大功率電力電源的GaN單片集成整流芯片”項目獲評發明專利組金獎和最具投資價值獎。

眾拓光電是一家擁有國際領先的第三代化合物半導體產業化技術的國家高新技術企業。近年來，該公司不斷地加大人才、資金的投入，在GaN大功率LED芯片、GaN功率器件領域，從材料生長到器件制作及集成應用都取得了相應的成果，相關技術成果還獲得了國家技術發明二等獎、廣東省技術發明一等獎、大灣區高價值專利大賽金獎等在內的省部級以上科技獎勵10項，具有強大的行業競爭優勢。

“公司長期致力于第三代半導體材料與器件的研究，擁有30多位頂尖人才組成的高水平團隊，開創了完全獨立自主的全鏈條硅基氮化鎵（GaN on Si）、氮化鋁（AlN）為代表的第三代半導體材料與芯片技術，已形成完整的核心專利池，已申請專利150余件。”眾拓光電副總經理陳小雪說，今年在設備上整體研發投入超過了1500萬元，今后還將持續加大研發投入，提升企業核心競爭力，以更具競爭力的IDM模式和高品質專業化服務，打造有中國自主知識產權的中國芯，鑄就第三代半導體芯片國際領導者。

據悉，自眾拓光電成立以來，該公司已建成國家博士后科研工作站分站、廣東省博士工作站、廣東省院士工作站、廣東省高速寬帶通信芯片設計與制造工程技術研究中心、河源市第三代半導體材料與器件技術研究中心、河源市半導體材料與器件企業重點實驗室等科研創新平臺。目前該公司量產的Si基GaN大功率LED芯片，已廣泛應用于戶外照明、汽車照明、超高清電視背光源以及國內外重大照明工程，可替代國外同類進口產品，其最新研發的可應用于電力電源、新能源汽車等領域的核心產品高性能氮化鎵整流芯片，目前已與多家國內知名企業達成推廣合作，已累計產生500萬元銷售收入。

陳小雪表示，公司研發的高性能氮化鎵整流芯片在技術上設計了Ⅲ-V族半導體新型異質外延結構，GaN整流芯片能量轉化效率提升超20%?！巴ㄟ^GaN整流器制作新工藝，提升了芯片性能及可靠性，實現高性能器件產業化，解決了整流芯片效率低、可靠性差的難題?！标愋⊙┱f。