4月14日，美國商務(wù)部依據(jù)《貿(mào)易擴(kuò)展法》第232條款啟動半導(dǎo)體制造設(shè)備進(jìn)口國家安全調(diào)查，此舉被視為美國將關(guān)稅壁壘從芯片產(chǎn)品向全產(chǎn)業(yè)鏈延伸的關(guān)鍵動作。業(yè)內(nèi)分析指出，在臺積電、三星、SK 海力士等企業(yè)完成美國本土晶圓廠投資后，美國正通過 "關(guān)稅大棒" 迫使半導(dǎo)體設(shè)備及零部件企業(yè)赴美建廠，三星電子、美光科技等存儲巨頭首當(dāng)其沖。

產(chǎn)能重鎮(zhèn)遭遇關(guān)稅風(fēng)暴

作為三星全球最大的 NAND Flash 生產(chǎn)基地，西安工廠承擔(dān)著其40%以上的產(chǎn)能，2024年晶圓年產(chǎn)量達(dá)57萬片，占比44%。一旦美國實(shí)施設(shè)備進(jìn)口關(guān)稅，該基地的原材料供應(yīng)和生產(chǎn)成本將受到直接沖擊，進(jìn)而影響全球存儲芯片產(chǎn)能供給。

美國持續(xù)的監(jiān)管收緊正在重塑產(chǎn)業(yè)生態(tài)。Tech in Asia指出，不斷攀升的合規(guī)成本與政策不確定性，正迫使三星重新評估全球布局。盡管2024年中國市場貢獻(xiàn)了其31%的銷售額（主要得益于HBM芯片囤貨需求）。

同時(shí)，美國本土項(xiàng)目的推進(jìn)困境更為棘手：總投資170億美元的德克薩斯州泰勒工廠已完成99.6%的基建工程，卻因設(shè)備進(jìn)口關(guān)稅時(shí)間窗口與投產(chǎn)計(jì)劃重疊，投產(chǎn)時(shí)間從2024年底推遲至2026年，形成長達(dá)兩年的"產(chǎn)能真空期"，加劇了本就承壓的資金鏈壓力。

成本轉(zhuǎn)嫁策略面臨市場考驗(yàn)

3月17日，三星電子會長李在镕發(fā)出警告，稱公司“失去內(nèi)生動力，正處于生死存亡關(guān)頭”，并要求高管“應(yīng)對危機(jī)不留余地”。

據(jù)悉，面對內(nèi)外部壓力，三星管理層正采取激進(jìn)的價(jià)格策略，公司已啟動DRAM、NAND及HBM產(chǎn)品的漲價(jià)談判，預(yù)計(jì)漲幅3%-5%。官方聲明稱這是 "市場需求驅(qū)動的價(jià)格調(diào)整"，但業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，這實(shí)為轉(zhuǎn)嫁關(guān)稅成本的無奈之舉——作為占公司營收34%的核心業(yè)務(wù)，DRAM的大宗商品屬性使其成為價(jià)格傳導(dǎo)的首選載體。

此舉或?qū)⒁l(fā)產(chǎn)業(yè)鏈連鎖反應(yīng)。終端消費(fèi)電子廠商的成本壓力將直接影響產(chǎn)品定價(jià)，而服務(wù)器廠商對HBM的剛性需求可能推高AI基礎(chǔ)設(shè)施成本。更深遠(yuǎn)的影響在于，價(jià)格體系的重構(gòu)可能打破存儲芯片市場的供需平衡。

新簽公司亦難逃困境 巨額游說竹籃打水一場空

在當(dāng)前國際貿(mào)易環(huán)境愈發(fā)復(fù)雜嚴(yán)峻的背景下，三星的政治公關(guān)投入創(chuàng)下紀(jì)錄。2024年高達(dá)698萬美元的游說支出中，部分資金流向了對華強(qiáng)硬派議員邁克?加拉格爾，他曾多次向拜登政府施壓，要求進(jìn)一步加強(qiáng)對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的限制措施，例如提議將中國的半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)長鑫存儲等納入出口管制名單，并嚴(yán)格限制美國技術(shù)向這些中國企業(yè)出口。

2025年3月與Continental Strategy的新合作協(xié)議，試圖通過裙帶關(guān)系（該公司合伙人與白宮幕僚長為親屬）影響政策，卻因特朗普政府宣稱廢除《芯片法案》補(bǔ)貼政策而收效甚微。

顯然，三星前期的游說投入和戰(zhàn)略布局似乎并未取得預(yù)期效果，反而使其陷入了更加復(fù)雜的困境。