今年上半年的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，傳來(lái)的大都是消極的情緒。

“需求疲軟”“庫(kù)存高企” ，英飛凌、安森美等巨頭更是直言“傳統(tǒng)業(yè)務(wù)承壓”。

但有意思的是，國(guó)產(chǎn)功率芯片公司的體感似乎并不相同。

01

功率半導(dǎo)體公司，排名變了

根據(jù)英飛凌發(fā)布的2025財(cái)年第二季度財(cái)報(bào)，2024年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)總規(guī)模縮小至323億美元。
中國(guó)的士蘭微電子以3.3%的市場(chǎng)占有率躍升至全球第六，而比亞迪則首次躋身全球前十，市場(chǎng)份額達(dá)到3.1%位列第七。
英飛凌作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，其在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的市占率仍位居全球第一，但2024年同比下降了2.9個(gè)百分點(diǎn)，降至17.7%。排名第二的安森美半導(dǎo)體市占率也下降了0.5個(gè)百分點(diǎn)，為8.7%；排名第三的意法半導(dǎo)體市占率下降了1個(gè)百分點(diǎn)，為7%。相比之下，2024年全球功率半導(dǎo)體市占率前十的企業(yè)，只有士蘭微、比亞迪兩家企業(yè)市占率相比2023年提升。

士蘭微電子功率半導(dǎo)體營(yíng)收從2023年的9.28億美元增長(zhǎng)至2024年的10.66億美元，市占率從2.6%提升至3.3%，穩(wěn)居國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體龍頭地位。
比亞迪則主要得益于其汽車(chē)整車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)量的快速增長(zhǎng)，2024年，比亞迪全年銷(xiāo)量超過(guò)427萬(wàn)輛，其中新能源乘用車(chē)銷(xiāo)量超過(guò)425萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng)41.1%。此外，排名第四的是三菱電機(jī)(市占率4.7%)，排名第五的是富士電機(jī)(市占率3.9%)，威世半導(dǎo)體(市占率2.7%)、東芝(市占率2.7%)、NXP(市占率2.6%)分列第八、第九、第十。

從數(shù)據(jù)看，市占率攀升正讓本土企業(yè)在全球競(jìng)爭(zhēng)中權(quán)重漸顯。而今年一季度，當(dāng)多家功率芯片龍頭對(duì)市場(chǎng)前景持保守態(tài)度時(shí)，國(guó)產(chǎn)功率芯片公司的表現(xiàn)尤為值得關(guān)注。

02

大漲1072.43%，國(guó)產(chǎn)功率芯片再度飄紅

筆者統(tǒng)計(jì)了十家國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體公司的Q1最新業(yè)績(jī)，這些數(shù)據(jù)印證了筆者上述的觀點(diǎn)。

今年Q1，國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體公司業(yè)績(jī)集體飄紅。統(tǒng)計(jì)中的十家公司中，除蘇州固锝外，其余九家的營(yíng)收同比均為上漲，歸母凈利潤(rùn)數(shù)據(jù)來(lái)看，除斯達(dá)半導(dǎo)體外，其余九家公司的歸母凈利潤(rùn)營(yíng)收也均呈現(xiàn)上漲趨勢(shì)。

其中，表現(xiàn)最亮眼的便是士蘭微。報(bào)告顯示，士蘭微一季度營(yíng)業(yè)收入為30.00億元，同比增長(zhǎng)21.70%；歸母凈利潤(rùn)為1.49億元，同比增長(zhǎng)1072.43%；扣非歸母凈利潤(rùn)為1.45億元，同比增長(zhǎng)8.96%；基本每股收益0.09元。華潤(rùn)微、宏微科技、華微電子、蘇州固锝也均實(shí)現(xiàn)三位數(shù)的歸母凈利潤(rùn)同比增幅。

從當(dāng)前功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的復(fù)蘇節(jié)奏來(lái)看，國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體公司與國(guó)際廠商的節(jié)奏似乎并不相同。

國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)復(fù)蘇，在去年就已有明顯跡象。

早在去年Q2，筆者就曾觀察到有業(yè)內(nèi)人士表示“功率半導(dǎo)體的價(jià)格開(kāi)始企穩(wěn)，晶圓代工廠產(chǎn)能利用率開(kāi)始回升。”其中，各晶圓代工廠、IDM（即設(shè)計(jì)制造垂直一體化）廠，都是接近滿產(chǎn)狀態(tài)。

華潤(rùn)微在接待機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，公司6英寸及8英寸產(chǎn)線的產(chǎn)能利用率達(dá)到90%以上，其中部分產(chǎn)品線已在95%以上；12英寸產(chǎn)線處于爬坡上量以及客戶驗(yàn)證階段。揚(yáng)杰科技表示，公司已經(jīng)處于滿產(chǎn)滿銷(xiāo)狀態(tài)。

“功率半導(dǎo)體復(fù)蘇得比預(yù)期要早，我們的產(chǎn)線也已經(jīng)基本上處于滿載狀態(tài)。”晶圓代工廠方面，芯聯(lián)集成相關(guān)人士曾表示。

功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的需求穩(wěn)步增長(zhǎng)，主要得益于兩方面：一方面，消費(fèi)電子行業(yè)在今年Q1明顯復(fù)蘇；另一方面，高端的汽車(chē)電子、AI帶動(dòng)的高性能計(jì)算及高速通信等需求，給產(chǎn)業(yè)帶來(lái)新的成長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力。這一點(diǎn)在下文部分公司的財(cái)報(bào)中也得以體現(xiàn)。

當(dāng)前，國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體已在眾多領(lǐng)域應(yīng)用，特別是低端產(chǎn)品，如二極管、三極管、晶閘管、低壓MOSFET（非車(chē)規(guī)）等，已初現(xiàn)“規(guī)模化效應(yīng)、國(guó)產(chǎn)化相對(duì)較高”等特點(diǎn)。在中高端領(lǐng)域，如SJ MOSFET、IGBT、碳化硅等，特別是車(chē)規(guī)產(chǎn)品，由于起步晚、工藝相對(duì)復(fù)雜以及缺乏車(chē)規(guī)驗(yàn)證機(jī)會(huì)等問(wèn)題，國(guó)內(nèi)廠家依然在追隨海外廠家技術(shù)發(fā)展路線。但近年來(lái)，市場(chǎng)逐漸從依賴進(jìn)口向國(guó)內(nèi)自給自足轉(zhuǎn)變，國(guó)產(chǎn)廠商的市場(chǎng)空間正進(jìn)一步擴(kuò)容。

相比功率半導(dǎo)體市場(chǎng)國(guó)內(nèi)企業(yè)取得的顯著進(jìn)展，汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)仍由外企主導(dǎo)。英飛凌財(cái)報(bào)顯示，其在汽車(chē)半導(dǎo)體及汽車(chē) MCU 領(lǐng)域均位列第一，且市場(chǎng)前五名企業(yè)均為外企。

汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)空間巨大，尤其是隨著汽車(chē)行業(yè)電子化程度的提高，汽車(chē)芯片的需求量快速增長(zhǎng)。國(guó)際數(shù)據(jù)公司（IDC）預(yù)計(jì)，隨著高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）、電動(dòng)汽車(chē)（EV）和車(chē)聯(lián)網(wǎng)（IoV）的日益普及，汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模到2027年將超過(guò)880億美元。而根據(jù)英飛凌數(shù)據(jù)，2024年全球汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為684億美元。這意味未來(lái)三年全球汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)近29%。

中國(guó)汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)增速更為可觀。據(jù)悉，2024年中國(guó)汽車(chē)芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1200億元，預(yù)計(jì)2030年突破3000億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率超25%。增長(zhǎng)主要源于：新能源汽車(chē)滲透率提升至40%，帶動(dòng)功率芯片需求；L2級(jí)以上智能駕駛滲透率超50%，推動(dòng)主控芯片需求；智能座艙普及率超60%，拉動(dòng)存儲(chǔ)和模擬芯片需求。

在多家國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體公司的財(cái)報(bào)中，“汽車(chē)”均是一個(gè)關(guān)鍵詞。

華潤(rùn)微財(cái)報(bào)顯示，MOSFET、IGBT、SiC MOS、功率 IC 等系列化車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品及模塊產(chǎn)品，已通過(guò)產(chǎn)品組合形成解決方案進(jìn)入國(guó)內(nèi)頭部車(chē)企及汽車(chē)零部件Tier1 的供應(yīng)鏈體系，應(yīng)用于如動(dòng)力控制、車(chē)身電子及智能駕駛輔助等多個(gè)核心系統(tǒng)，并不斷提升市場(chǎng)份額和競(jìng)爭(zhēng)力。消費(fèi)電子方面，其功率IC、IPM 模塊、MCU 等核心產(chǎn)品，在家電、手機(jī)、計(jì)算機(jī)、智能穿戴等領(lǐng)域的頭部客戶端穩(wěn)定上量。

揚(yáng)杰科技表示，汽車(chē)電子業(yè)務(wù)持續(xù)高速增長(zhǎng)，Q1營(yíng)業(yè)收入較去年同期增長(zhǎng)超70%。此外，隨著經(jīng)濟(jì)形勢(shì)向好及國(guó)家“兩新”政策推廣，消費(fèi)類(lèi)電子市場(chǎng)需求旺盛，公司Q1消費(fèi)電子領(lǐng)域營(yíng)業(yè)收入較去年同期增長(zhǎng)超27%。

宏微科技也表示，已完成光伏用 IGBT&FRD 芯片、車(chē)規(guī)級(jí)IGBT&FRD 芯片開(kāi)發(fā)及認(rèn)證。SiC 產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)展迅速，1200V 40mohm SiC MOSFET 芯片研制成功，已通過(guò)可靠性驗(yàn)證，量產(chǎn)在即；車(chē)規(guī)級(jí) SiC 模塊銀燒結(jié)工藝通過(guò)驗(yàn)證，SiC SBD 芯片完成客戶系統(tǒng)級(jí)測(cè)試，產(chǎn)能持續(xù)釋放。

03

下半年，功率半導(dǎo)體走向何方？

對(duì)于下半年的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，筆者觀察到三點(diǎn)趨勢(shì)。

第一點(diǎn)，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，有望迎來(lái)復(fù)蘇。

在整體周期性復(fù)蘇方面，海外功率大廠紛紛表示，短期功率器件仍前景難料，行業(yè)恢復(fù)仍需時(shí)間。不過(guò)已有不少龍頭將行業(yè)復(fù)蘇的矛頭對(duì)準(zhǔn)今年。

英飛凌首席執(zhí)行官約亨-哈內(nèi)貝克（Jochen Hanebeck）表示，“除人工智能外，我們的終端市場(chǎng)目前幾乎沒(méi)有任何增長(zhǎng)動(dòng)力，周期性復(fù)蘇被推遲。因此，我們準(zhǔn)備在2025年實(shí)現(xiàn)低迷的經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)”。

東芝電子設(shè)備和存儲(chǔ)業(yè)務(wù)總經(jīng)理Noriyasu Kurihara表示，目前對(duì)功率芯片的需求緩慢，因?yàn)樵O(shè)備制造商仍在消耗庫(kù)存，但2025年業(yè)務(wù)應(yīng)該會(huì)回暖。

隨著下半年，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的整體好轉(zhuǎn)，國(guó)產(chǎn)廠商或迎來(lái)更快地發(fā)展機(jī)遇。在這一點(diǎn)上，他們已做好準(zhǔn)備。

第二點(diǎn)，國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體公司，持續(xù)放量。

士蘭微、捷捷微電、中芯集成、華虹公司等本土IDM和ODM廠商正興建產(chǎn)能，保證出貨量，同時(shí)不斷迭代新產(chǎn)品。

士蘭集昕公司“年產(chǎn)36萬(wàn)片12英寸芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目”已有部分設(shè)備到廠并投入生產(chǎn)，并且加快轉(zhuǎn)12英寸產(chǎn)線量產(chǎn)的進(jìn)度；士蘭集科加快車(chē)規(guī)級(jí)IGBT芯片、超結(jié)MOSFET、高性能低壓分離柵MOSFET芯片的產(chǎn)出和上量，已具備月產(chǎn)2萬(wàn)片IGBT芯片的生產(chǎn)能力。

捷捷微電宣布對(duì)全資子公司捷捷半導(dǎo)體有限公司投建的“功率半導(dǎo)體6英寸晶圓及器件封測(cè)生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”增加投資，由最初的5.1億元上調(diào)至8.1億元。6寸線目前具備30000片/月產(chǎn)能，現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)約20000片/月產(chǎn)出。

中芯集成在去年6月表示，將發(fā)力高端功率半導(dǎo)體代工市場(chǎng)。中芯集成已經(jīng)建成了國(guó)內(nèi)最大車(chē)規(guī)級(jí)IGBT制造基地，預(yù)計(jì)IGBT產(chǎn)能在今年底前超過(guò)12萬(wàn)片/月。

隨著產(chǎn)業(yè)鏈庫(kù)存出清，需求進(jìn)一步回暖，消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、高性能計(jì)算、高端通信及新能源等領(lǐng)域?qū)⑹枪β拾雽?dǎo)體行業(yè)增長(zhǎng)主要驅(qū)動(dòng)力，而擁有高端產(chǎn)品的廠商將成為產(chǎn)業(yè)景氣度回溫的主要受益者。

第三點(diǎn)，國(guó)產(chǎn)SiC器件，加速上車(chē)。

碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導(dǎo)體的核心代表，憑借其高頻、高效、耐高溫、耐高壓等特性，正在新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源等領(lǐng)域加速替代傳統(tǒng)硅基器件。

2024年為國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET主驅(qū)規(guī)模放量的元年，8英寸線逐漸落地，預(yù)計(jì)溝槽型SiC MOSFET也逐步追趕國(guó)際大廠。其中，性能指標(biāo)（包括比導(dǎo)通電阻/短路耐受時(shí)間等）、產(chǎn)能（優(yōu)先考慮產(chǎn)能供給充沛廠商）以及高可靠性成為終端車(chē)企關(guān)注重點(diǎn)。

芯粵能CTO相奇表示，2025年或?qū)⒊蔀閲?guó)產(chǎn)SiC芯片規(guī)模量產(chǎn)上車(chē)的元年。