DDR5內存相比DDR4很多人感覺超頻更難，尤其是內存、小參優化更復雜，使用限制也更多，這是為什么呢？其實，這與DDR5的新技術和生態現狀密切相關。

超頻為啥更難？

DDR5內存規范中的工作電壓為1.1V（XMP/EXPO配置多為1.35V~1.45V），但具體涉及到內存的電壓其實多達5處（CPU有3處、內存有2處），而留給用戶的電壓調節空間卻小了很多，超頻稍不注意就容易不穩。加上DDR5引入了板載電源管理芯片PMIC——這個原本在主板上的芯片來提升電源效率，但是對超頻來說，將其轉移到DDR5內存本體上讓調節電壓成了越發困難的事情。

同時，DDR5內存顆粒的體質差異也很大，像三星C-die超頻潛力一般，而SK海力士M-die更強等等。此外，DDR5高速率（如4800MT/s起甚至9000MT/s+）往往伴隨高時序（CL40+），頻率和延遲的優化平衡讓超頻更像“技術活”。

使用限制從哪來？

DDR5生態早期，主板和CPU（如Intel 12代/13代或AMD Zen 4）的內存控制器支持不夠完善，BIOS更新頻繁，兼容性問題多——甚至會出現部分版本BIOS因為修改了CPU供電電壓預設，導致原本支持的高頻內存出現不穩定情況，用戶只能刷回老版本（所以為什么有些老玩家會推薦電腦使用沒有問題就不推薦刷新版BIOS）。

更難繃的是在新一代CPU上，DDR5內存依舊存在著這樣那樣的制約——Intel 酷睿Ultra 200系列因為修改了核心結構設計，雖然能夠支持更高速率的DDR5內存，但是延遲大幅增加；AMD 銳龍 9000系列相比于銳龍7000/8000系列內存控制器變化不大，內存帶寬表現一直是相對弱項。換句話說，現在沒有任何一個平臺可以100%完美釋放DDR5內存的基本性能。

此外，因為DDR5內存的速率提升，它對主板的布線設計也提出了更高要求，一些主板可能無法穩定支持高頻DDR5，尤其是在四條內存或雙通道配置下，超頻難度更大——千萬別小看PCB布線設計，這需要極為深厚的設計經驗，小廠只能照本宣科設計，不敢進一步優化布線；另外就是非旗艦主板也沒有必要在這方面下注更多財力、精力。

優化&超頻DDR5 做好這幾點

如果你希望自己的DDR5內存超頻成功率高一點，做好以下幾點是必不可少的：

選好顆粒：優先SK海力士M-die或美光顆粒，超頻潛力大，超低價內存、尤其是雜牌內存慎買；

調節電壓：耐心調整五個電壓參數，分別為CPU的SA電壓（1.25V~1.35V，決定IMC穩定性）、VDDQ電壓（又稱 IVR，1.40V~1.45V，影響數據總線）、VDD2 電壓（又稱 MCV，1.35V~1.40V，控制命令總線），以及內存上的兩個電壓DRAM VDD 、VDDQ，偶爾還要用到 VPP。需要注意遵循“VDDQ≥VDD2+0.05V”的補償關系，否則會導致tRCD/tRP時序異常；

優化時序小參：時序小參同樣非常繁瑣，需要極大的耐心，以最小步進進行測試優化；

注意散熱：優質散熱片或風冷輔助，保持溫度穩定，DDR5內存多了PMIC芯片，其工作溫度閾值為85℃，保持內存工作溫度≤65℃為最好的狀態——每降低5℃可提升100MT/s超頻余量；

選好主板：高端主板（如Z790或X670E）內存布線更強，超頻支持更好。部分品牌中高端主板提供超頻預制方案，使用更加簡單。