美光科技于2024年7月正式發(fā)布革命性的多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM），標(biāo)志著數(shù)據(jù)中心內(nèi)存技術(shù)進(jìn)入新紀(jì)元。這款基于DDR5標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存解決方案，通過突破性的架構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了性能與能效的雙重飛躍。在技術(shù)參數(shù)方面，MRDIMM展現(xiàn)出驚人的256GB單條容量和40%的延遲降低，其39%的帶寬提升和15%的總線效率改進(jìn)，直接解決了AI訓(xùn)練、高性能計(jì)算等內(nèi)存密集型應(yīng)用的瓶頸問題。

該產(chǎn)品的核心競爭力體現(xiàn)在三個(gè)維度：首先，創(chuàng)新的TFF散熱設(shè)計(jì)使DRAM工作溫度降低20℃，配合32Gb DRAM芯片的先進(jìn)制程，在保持128GB模塊功耗水平的前提下實(shí)現(xiàn)容量翻倍；其次，與英特爾至強(qiáng)6處理器的原生兼容性，確保用戶無需改造現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施即可獲得35%的性能躍升；最后，從32GB到256GB的完整產(chǎn)品矩陣，為不同規(guī)模的數(shù)據(jù)中心提供精準(zhǔn)的TCO優(yōu)化方案。聯(lián)想等合作伙伴證實(shí)，MRDIMM能有效彌合多核處理器與內(nèi)存帶寬之間的性能鴻溝，特別在AI推理和再訓(xùn)練場景中表現(xiàn)突出。

市場布局方面，美光已啟動(dòng)MRDIMM樣品供應(yīng)，并計(jì)劃在2024年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。值得關(guān)注的是，該技術(shù)路線圖顯示后續(xù)產(chǎn)品將進(jìn)一步提升45%的單通道帶寬，持續(xù)鞏固其在服務(wù)器內(nèi)存領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。這項(xiàng)創(chuàng)新不僅重新定義了內(nèi)存性能標(biāo)準(zhǔn)，更將為全球數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)設(shè)施升級注入新動(dòng)能。

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