近來有關英特爾18A（1.8nm）工藝的消息不斷。據媒體報道，英特爾正在考慮對其晶圓代工策略進行調整，停止向新客戶推銷18A，改為集中資源發展下一代14A工藝，以“跳級”的方式，追趕臺積電更先進的工藝。相關策略最快會在7月的董事會上討論。

英特爾18A在良率近期取得進展，從上一季度的50%提升至55%，高于三星的2nm工藝（約為40%）的良率水平，但仍低于臺積電2nm工藝（約65%）的水平。這使英特爾內部擔心其對新客戶的吸引力不足，因而考慮對新的代工客戶跳過18A制造工藝，將更多資源集中在下一代芯片制造工藝14A上。英特爾預計該工藝將比臺積電更具優勢。

但是不得不說，這樣的做法與晶圓代工廠的思維是不相符的。晶圓代工行業的核心宗旨是“以用戶為中心”。用戶需要什么樣的工藝，代工廠就提供什么。一家良性運轉的晶圓代工廠，旗下的工藝平臺可能不是最先進的，但一定要是最貼近用戶需求的。其應當擁有豐富的工藝平臺，例如先進邏輯工藝、特色工藝、定制化工藝等；可以提供設計與技術協同服務，如工藝設計套件，PDK 需支持主流EDA工具等；擁有豐富的IP庫；可以提供設計咨詢和技術支持，解決客戶在設計階段遇到的工藝相關問題等。

當然，對一家晶圓代工廠來說，良率依然是最核心的要素。達不到一定程度的良率水平，業界的量產線一般為70%，客戶很難對其放心選擇。而跳級追趕先進工藝，似乎是在工藝節點超前了一步，但實際結果卻存在很多不確定性，最直接的表現就是良率不達標。

對英特爾而言，18A同時引入了 RibbonFET晶體管架構（取代FinFET）和PowerVia背面供電技術。這兩者均屬顛覆性創新。雖然目前18A的良率從10%升至55%，但仍落后于臺積電N2的65%。未來，14A量產的時候，問題復雜度可能更高。暫緩承接18A的外部訂單，僅服務英特爾內部產品，而將外部代工押注于下一代14A工藝，一方面有可能錯失當前高端市場窗口，目前的規劃是2027年量產；另一方面，也會滯后英特爾的生態建設，進一步降低外部設計公司對其的適配意愿。

其實，類似跳級追趕的做法以前三星也有過嘗試。這些年來，三星在7nm、5nm、3nm工藝上幾乎都要提前臺積電半年到1年推出。為此不惜在良率不高、用戶不足的情況下開啟新進程。但受限于技術如晶體管密度，以及良率問題，在與臺積電的比拼中，三星始終落于下風。蘋果、英偉達、AMD、高通、聯發科大都最終選擇在臺積電投片。

反觀臺積電，它也并不是一開始就占據全球最先進工藝寶座。2010年代以前，在工藝制程上，臺積電是落后于英特爾等IDM大廠的。但臺積電并沒有選擇跳級追趕的做法，而是一個一個工藝結點向前推進，把工藝平臺做扎實。

對于設計用戶來說，始終只有少數選擇最先進的工藝平臺，AMD、博通等公司對3nm、5nm、6nm同樣有著大量需求。全球代工市場對成熟工藝的需求同樣巨大。從這一點來看，以“跳級”方式追趕臺積電更先進的工藝，并不一定是最佳策略。英特爾如果想要深入代工這個行業，把工藝平臺做深做透才是最佳方案。