三星在 DRAM 領(lǐng)域的轉(zhuǎn)型無疑取決于其下一代 HBM 的進展，現(xiàn)在有一線希望。據(jù)韓國媒體《朝鮮日報》報道，該公司已開始試生產(chǎn) HBM4 中使用的邏輯芯片。更重要的是，該公司已利用其內(nèi)部 4nm 節(jié)點啟動了初始生產(chǎn)，該報道補充道。

《朝鮮日報》援引行業(yè)報告指出，在完成邏輯芯片的性能驗證后，三星計劃向客戶提供 HBM4 樣品進行測試。

這對三星來說將是一個重要的里程碑?！睹咳战?jīng)濟新聞》此前的報道透露，這家內(nèi)存巨頭已經(jīng)開始開發(fā)“Custom HBM4”，這是專為微軟和 Meta 等 CSP 客戶量身定制的下一代高帶寬內(nèi)存，預計將于 2025 年實現(xiàn)量產(chǎn)。

據(jù)《朝鮮日報》報道，由于其主要競爭對手 SK 海力士已從 NVIDIA 手中奪得了 HBM3 和 HBM3E 訂單的最大份額，在 HBM4 生產(chǎn)中采用自己的內(nèi)部先進節(jié)點被視為三星在 HBM 市場的游戲規(guī)則改變者。

據(jù)報道，與 HBM3E（其中 DRAM 堆棧僅連接到 GPU 或類似設(shè)備）不同，HBM4 采用了使用代工技術(shù)生產(chǎn)的邏輯芯片，從而能夠針對特定客戶 IP 和應(yīng)用程序優(yōu)化 HBM 解決方案的定制。

值得注意的是，報道稱，SK 海力士使用臺積電的 5nm 工藝生產(chǎn)邏輯芯片，而三星則依靠更先進的 4nm 節(jié)點來提高性能并提高電源效率。

此外，三星還計劃將更多尖端技術(shù)應(yīng)用于 HBM4 生產(chǎn)。據(jù)《朝鮮日報》報道，三星預計將在其 HBM 產(chǎn)品中使用第六代 (c) 10nm 級 DRAM，而 SK 海力士將使用第五代 (b) 10nm 級 DRAM。

此外，報道稱，三星計劃采用混合鍵合技術(shù)來堆疊16層HBM4產(chǎn)品，而不是之前使用的先進熱壓非導電薄膜（TC-NCF）技術(shù)，該技術(shù)使用銅而不是傳統(tǒng)的凸塊直接連接芯片。