北京
據(jù)韓國媒體報道，三星電子半導(dǎo)體部門（DS）負責(zé)人全永鉉（Young Hyun Jun）上周親自前往美國英偉達總部，展示了三星最新改良的1b DRAM樣品。
英偉達曾在2024年要求三星改進1b DRAM的設(shè)計，以解決良品率和過熱問題，此次全永鉉展示的樣品正是基于英偉達的要求而進行的改良成果。
通常情況下，三星DS部門負責(zé)人親自向客戶展示樣品的情況較為罕見，這也表明此次訪問的重要性。
三星原本計劃使用1a DRAM（1b DRAM的前代產(chǎn)品）制造8層和12層HBM3E，并跳過1b DRAM直接使用1c DRAM制造HBM4。
然而英偉達堅持要求使用1b DRAM，三星不得不重新調(diào)整計劃，目前三星的競爭對手SK海力士已經(jīng)向英偉達供應(yīng)了12層HBM3E，美光也預(yù)計近期開始生產(chǎn)面向AI加速器的HBM。
上個月，三星表示其改良版HBM3E的準備工作進展順利，并計劃于今年第二季度正式量產(chǎn)供貨，全永鉉作為DRAM領(lǐng)域的專家，主導(dǎo)了1b DRAM的設(shè)計改進工作。
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