2025年的半導(dǎo)體行業(yè),不容樂(lè)觀。
我們知道,晶圓廠資本開(kāi)支可以看作是半導(dǎo)體行業(yè)的風(fēng)向標(biāo)之一。
一方面,晶圓廠的資本開(kāi)支主要用于擴(kuò)大產(chǎn)能或研發(fā)新工藝等。如果資本開(kāi)支上升,通常意味著晶圓廠對(duì)接下來(lái)的芯片需求量持樂(lè)觀態(tài)度。
另一方面,資本開(kāi)支直接關(guān)系到上游半導(dǎo)體設(shè)備和材料供應(yīng)商的訂單情況,若上升,則表示將增加對(duì)設(shè)備和材料的采購(gòu)需求。
但從披露的數(shù)據(jù)來(lái)看,全球晶圓大廠資本開(kāi)支兩極分化嚴(yán)重。
臺(tái)積電和美光科技2025年資本開(kāi)支大幅上升,我國(guó)中芯國(guó)際基本持平,而三星電子資本開(kāi)支直接砍半,英特爾也是一減再減。
據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),2025年全球半導(dǎo)體資本開(kāi)支同比增長(zhǎng)率將下滑到7%,而2024年第四季度同比增速高達(dá)31%。
并且不難看出,縮減資本開(kāi)支已經(jīng)成為多家大廠的一致決定。
不過(guò),可以肯定的一點(diǎn)是,芯片先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝需求將迅猛上升。
因?yàn)椋粌H臺(tái)積電2025年攀升的資本開(kāi)支主要用于擴(kuò)大先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝產(chǎn)能,就連美光科技的資本支出也絕大多數(shù)將用于支持HBM(高帶寬內(nèi)存)。
而HBM實(shí)際上就是一種內(nèi)存的先進(jìn)封裝工藝。
這些都要?dú)w功于AI地突飛猛進(jìn)。據(jù)悉,大多AI芯片采用7nm及以下先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝技術(shù)。
目前,先進(jìn)制程領(lǐng)域,尤其5nm以下的芯片制造,臺(tái)積電幾乎占據(jù)了95%以上的訂單。
中芯國(guó)際2025年資本開(kāi)支能保持不變的原因之一,正是要進(jìn)行先進(jìn)制程的研發(fā)。
但在先進(jìn)封裝領(lǐng)域,我國(guó)封測(cè)廠已經(jīng)具備和全球龍頭一爭(zhēng)高下的能力。
一方面,2023年我國(guó)長(zhǎng)電科技、通富微電和華天科技市占率分別取得第三、第四和第六的好成績(jī),全部位列全球前十。
另一方面,早在2021年,我國(guó)長(zhǎng)電科技、通富微電和華天科技均能覆蓋大部分先進(jìn)封裝工藝,所缺少的只是頂尖的2.5D和3D堆疊技術(shù)。
而目前,長(zhǎng)電科技開(kāi)發(fā)的XDFOI技術(shù)平臺(tái),已經(jīng)可以滿足3D封裝要求,并且實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)。
可見(jiàn),長(zhǎng)電科技不管是市占率和技術(shù)布局都是國(guó)內(nèi),甚至全球靠前的公司。
事實(shí)上,長(zhǎng)電能發(fā)展到如今的規(guī)模,并購(gòu)功不可沒(méi)。
最典型的兩次并購(gòu),一次在2014年,一次在2024年。
2014年,長(zhǎng)電賬上只有29億元,可長(zhǎng)短期借款加起來(lái)就有28億元,卻妄想收購(gòu)營(yíng)收和資產(chǎn)規(guī)模都兩倍于它的星科金朋。
最終,中芯國(guó)際和大基金出手協(xié)助公司斥資約47.8億元完成了這次“蛇吞象”式的收購(gòu),長(zhǎng)電也借此躋身全球前三。
2024年,公司又斥資45億元收購(gòu)西部數(shù)據(jù)旗下唯二閃存封裝廠之一的晟碟上海,封裝能力更上一層樓。
當(dāng)然了,長(zhǎng)電自身的內(nèi)生增長(zhǎng)也不容忽視。
2019-2023年,長(zhǎng)電科技研發(fā)力度持續(xù)加大,研發(fā)費(fèi)用從9.69億元逐年上升到14.4億元,研發(fā)費(fèi)用率基本保持在4%左右。
2024年前三季度,公司研發(fā)費(fèi)用和研發(fā)費(fèi)用率均創(chuàng)三季報(bào)新高,分別達(dá)到12.32億元和4.93%。
并且,憑借技術(shù)升級(jí),公司陸續(xù)與中芯國(guó)際、華為、蘋(píng)果、西部數(shù)據(jù)等大多數(shù)國(guó)內(nèi)和海外芯片龍頭達(dá)成長(zhǎng)期合作。
在內(nèi)生外延的雙重作用下,2019-2022年,公司營(yíng)收從235.3億元增長(zhǎng)到337.6億元,凈利潤(rùn)從0.89億元上升到32.31億元。
只不過(guò)2023年,受下游消費(fèi)電子等需求疲軟的影響,半導(dǎo)體行業(yè)周期下行,公司營(yíng)收和凈利潤(rùn)分別下降12.15%和54.48%。
但2024年長(zhǎng)電科技重新恢復(fù)增長(zhǎng)趨勢(shì),前三季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收249.8億元,同比增長(zhǎng)22.26%,相當(dāng)于日賺近1億;實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)10.76億元,同比增長(zhǎng)10.55%。
單看這個(gè)凈利潤(rùn)增速,與通富微電(967.83%)、華天科技(330.83%)相比的確不占優(yōu)勢(shì)。
但要知道,通富微電和華天科技2022年和2023年凈利潤(rùn)都在下滑,因而基數(shù)更小,這才導(dǎo)致它們的凈利潤(rùn)增速遠(yuǎn)超長(zhǎng)電科技。
而這恰好也能體現(xiàn)出,長(zhǎng)電的抗周期能力更強(qiáng)。
接下來(lái),在AI的帶動(dòng)下,我國(guó)先進(jìn)封裝行業(yè)將保持高速增長(zhǎng)。
據(jù)估計(jì),2023年,我國(guó)先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模大約790億元,預(yù)計(jì)到2030年有望增長(zhǎng)到3600億元,年復(fù)合增速接近25%。
更何況,國(guó)內(nèi)的封測(cè)公司還面臨著國(guó)產(chǎn)替代的廣闊空間。
目前,長(zhǎng)電科技正在建設(shè)2.5D、3D先進(jìn)封裝生產(chǎn)線,實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)6萬(wàn)片先進(jìn)封裝技術(shù)產(chǎn)品的生產(chǎn)能力,再加上技術(shù)和客戶優(yōu)勢(shì),有望獲得更多的業(yè)績(jī)?cè)隽俊?/p>
值得一提的是,長(zhǎng)電科技2025年之后將具備更強(qiáng)的資金實(shí)力,從而為公司未來(lái)繼續(xù)內(nèi)生外延提供保障。
因?yàn)?024年11月,華潤(rùn)集團(tuán)收購(gòu)了大基金與芯電半導(dǎo)體(中芯國(guó)際間接全資子公司)持有的長(zhǎng)電9.7%、12.79%的股份并完成交割,成為長(zhǎng)電科技的控股股東。
2023年,中國(guó)華潤(rùn)總資產(chǎn)規(guī)模突破2.6萬(wàn)億元,營(yíng)收高達(dá)8932億元,凈利潤(rùn)881億元甚至超過(guò)貴州茅臺(tái),華潤(rùn)啤酒、華潤(rùn)三九、華潤(rùn)微等都是旗下資產(chǎn)。
公司有望依托華潤(rùn)這個(gè)更大的平臺(tái)實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展。
最后,總結(jié)一下。
先進(jìn)制造和先進(jìn)封裝是半導(dǎo)體行業(yè)的核心趨勢(shì),尤其在AI的驅(qū)動(dòng)下,需求量劇增。
長(zhǎng)電科技是國(guó)內(nèi)市占率和技術(shù)最高的封測(cè)廠,又背靠3萬(wàn)億財(cái)團(tuán)中國(guó)華潤(rùn),有望內(nèi)生外延成長(zhǎng)為更具影響力的封測(cè)龍頭。
以上僅作為上市公司分析使用,不構(gòu)成具體投資建議。
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