2023年，面對美國對華變本加厲的光刻機制裁，荷蘭阿斯麥爾光刻機巨頭溫寧克在接受電視采訪時以飽含憤怒的口吻稱，孤立中國是沒有希望的，因為14億中國人非常聰明，他們會想出我們想不出的辦法。

如今這句話被驗證了。

一家新公司——新凱來此次攜EPI“峨眉山”、ETCH“武夷山”、CVD“長白山”等15款以中國山脈命名的產品高調登場，不僅展現了對第三代半導體、先進制程等領域的深度布局，更是國產突破的強烈信號。

對于這家新公司的亮相，項立剛表示：“上海的這一次芯片展會，新凱來雖說亮相了，但沒有光刻機，而光刻機是拿來用的，并不是用來展覽的。”“光刻機很快就會被忘記，光刻機這顆明珠很快要變成玻璃珠子了。”

事實上，從新凱來到國內全固態激光技術的DUV光源系統的突破，釋放出國產設備技術突圍的強烈信號。

近期，中國科學院團隊已成功研發出基于全固態激光技術的深紫外光（DUV）光源系統，通俗點來說便是不用外國技術的深紫外光刻機光源。

這玩意一出來，不光自己能造3納米芯片，還把美國設的技術封鎖給炸開了大口子。

光刻機是造芯片的關鍵設備，全世界只有荷蘭ASML那幾家公司能造高端貨。光刻機的三大核心技術，就是光源系統、光學系統和雙工作臺，尤其是光源系統直接決定了光刻機的分辨率和精度。

無論是ASML、佳能、尼康，他們用的是氟化氬氣體激發激光的老辦法，通過氬、氟氣體混合物在高壓電場下生成不穩定分子，釋放出193nm波長的光子，然后以高能量的短脈沖形式發射，輸出功率100-120W，頻率8k-9kHz，再通過光學系統調整，用于光刻設備。

也就是說，傳統的光刻機路徑既要稀有氣體又要精密零件，而現在中科院搞出來的全固態激光路子，直接走另一條路——中科院的固態DUV激光技術完全基于固態設計，由自制的Yb:YAG晶體放大器生成1030nm的激光，再通過兩條不同的光學路徑進行波長轉換。

一路采用四次諧波轉換(FHG)，將1030nm激光轉換為258nm， 另一路徑采用光學參數放大(OPA)，將1030nm激光轉換為1553nm。

之后，轉換后的兩路激光通過串級硼酸鋰(LBO)晶體混合，生成193nm波長的激光光束。

簡言之，科學家用國產的Yb:YAG晶體當"電池"，先整出基礎激光，再分兩路走。一路把波長縮到258納米，另一路伸長到1553納米，最后在硼酸鋰晶體里一碰，穩穩當當地搞出了193納米的深紫外光。基于此，甚至可用于3nm的工藝節點。

這種設計可以大幅降低光刻系統的復雜度、體積，減少對于稀有氣體的依賴，并大大降低能耗。相關技術已經在國際光電工程學會(SPIE)的官網上公布。

傳統光刻技術是歐美日三十年的積累，專利墻非常深厚。

但中國這套基于固態設計的光源系統，不管是結構、材料都發生了巨大的變化，相當于重新設計一套系統。整個過程不用稀罕氣體，不用求著外國買零件，并且把成本與維護費極大降低，直接架空了ASML的技術專利，就像新能源車對燃油車的顛覆。

這次突破的重要意義在于，其一是光刻機自主化大大提升，并且繞開了歐美專利墻的封鎖，從底層物理原理重建技術體系——美國阻攔咱們買Yb:YAG晶體，我們自己培育；不準用進口硼酸鋰？咱們福建產能世界第一。通過新技術轉而建立自己的專利壁壘，類似于新能源車三電技術專利繞開燃油車三大件，直接走出了自己的路。進而由此帶動了國產供應鏈。

就像手機帶動手機產業鏈大規模在全國落地，新能源汽車帶動汽車全產業鏈發展一樣，這項國產光刻機技術也將因此帶動國內上下游產業鏈全方位發展。比如福建那邊產的硼酸鋰晶體，本來占全球八成市場但只能當原材料賣，現在直接升級成光刻機的"心臟部件"。

其次是，成本大大降低，雖然現在中科院的原型機功率只有ASML設備的千分之七，固態激光發展空間非常大。只要把晶體散熱做好，激光器效率提上來，追上現有水平只是時間問題。再加上不用整天伺候金貴的氣體循環系統，維護成本天然就低。

如果真能把這技術商業化，以后咱們的中端芯片生產成本能直降三成，把臺積電三星都卷哭。

再一個是把光刻機的體積降低了，也進一步降低了運輸成本。根據中科院信息，采用固態光源技術，光刻結構更簡單，整體體積可以縮小30%以上。

在過去，光刻機由于制造精密，結構龐大，運送非常不方便，ASML生產的EUV光刻機，光鏡頭就有1噸多重。一臺光刻機，大大小小零部件數量就達到10萬多個，總重量180噸左右，其中，2公里長度以上的軟管，就需要用到40個集裝箱來運輸。1臺阿斯麥光刻機，我們要想運回全部的所需零部件和輔助設備，至少需要出動3架波音747飛機與其他車輛、船只，運輸難度之高顯而易見。

這其中的運輸成本之高可想而知。而如今，中科院可以減少整整三分之一的體積，不僅意味著它能耗減少，運輸成本也跟著降低。

封鎖加速中國發展，再一次被驗證了

現在最慌的應該是一直搞技術封鎖的美國。他們本來指望著靠卡光刻機脖子來拖慢中國發展，誰知道咱們直接跳過被封殺的路線另起爐灶。

連外媒都承認，這可能是芯片戰爭的重要轉折點，中國距離實現半導體自主就差臨門一腳了。

越制裁，越出成果，美國限制什么，中國就能搞出什么？封鎖加速中國發展，再一次被驗證了。

從新凱來從幕后走到前臺的這一動作來看，參加中國國際半導體展來看，國產光刻機的產品線已經接近完善了，其產品線已經包括 PVD、CVD、ALD、RTP、EPI、蝕刻機與檢測設備、測量產品和檢測產品。按營收計算，新凱來甚至比中微還要大。

那些老說中國人只會山寨的臉，這次怕是都被打腫了。“看看五代機時代沒有對手的殲20和殲35，六代機時代唯二天空翱翔的殲36和殲50，如果還有人迷信西方科技，那只能說他對當下的中國太不了解了！”

我們想造EUV光刻機，本身有內需市場的支持，再加上我們的研發能力以及這些年的技術與專利積累，達到360萬項，中國一直都在扎扎實實推進，把核心技術一件件解決，做精做細，新凱來的使命就是為國產半導體制造高端相關一系列設備，僅用3年時間，就完成研發13類包括光學監測、光學量測、PX（原子力顯微鏡-X射線-、功率監測（KGD-FT)等等在內的多模高端設備，部分正在陸續交付，部分正在攻堅做技術迭代，很多項是戰略保密級別，量變產生質變，產業規模性的集中轉折和爆發點也只是時間問題。

加上這次國產新光刻機技術具有結構簡單、占地面積小、能效高，制造成本低等優勢。越來越有點像DeepSeek對Open AI的沖擊。

一臺EUV光刻機，包含了反射鏡、光源和工件臺三大組件，光源搞定了還得跟對焦系統、移動平臺這些配合。除了這些，還有光刻機的物鏡，無論是在制造還是安裝物鏡，都必須保證超精度。

物鏡的安裝和調整涉及到波像差測量、位移測量、面形測量等多個環節，這些都需要高精度的干涉儀，ASML干涉儀是德國蔡司與美國賽克提供，所以這個安裝光刻機物鏡的干涉儀，也得重新自主研發。加上幾十幾萬個小零部件，很多都是全球頂尖的技術，咱們在精密機械這些年的積累雖然進步快，它不是短時間就能一蹴而就，可能還得再練幾年內功，只不過已經是時間問題了。它給全球半導體產業帶來的沖擊與洗牌, 也可能在后頭。

“沒有人能遮住滿天的星光”，現在的情況，意味著荷蘭ASML原CEO溫寧克的話被驗證了，荷蘭也得重新琢磨自家光刻機未來的競爭力了。

作者：王新喜 TMT資深評論人 本文未經許可謝絕轉載