新 聞1： 英特爾稱 18A 工藝今年下半年將具備大規模量產能力，直接迎戰臺積電

據路透社報道，當地時間周二，英特爾稱已有數家代工客戶計劃為公司正在開發的新一代制造工藝制作測試芯片。

英特爾在當日舉行的 Direct Connect 會議上透露，公司在晶圓代工業務方面收獲了不少客戶關注。盡管推進代工業務的過程中屢遇挑戰，英特爾仍希望能最終對標臺積電。

在圣何塞的活動上，新任 CEO 陳立武提到，過去五周業內人士頻頻詢問他是否會堅定投入晶圓代工業務。他表示：“答案是肯定的。我下定決心要讓英特爾的代工業務取得成功，也很清楚目前仍有許多需要改進的地方。”

英特爾打算通過一項名為 14A 的新工藝引入高數值孔徑 EUV 光刻設備（high-NA EUV），這一技術還能提升芯片電源輸送效率。

high-NA EUV 光刻設備有望簡化芯片制造流程，但同時也伴隨一定風險。英特爾晶圓代工技術主管納加?錢德拉謝卡蘭指出，公司仍將保留傳統工藝的選項，客戶不需要更改已有設計。

報道稱，在 2010 年代，英特爾曾因未及時采用 EUV 技術而錯失良機，而臺積電則在該技術上持續投入。如今重新擁抱 high-NA EUV，某種程度上也是對當年戰略失誤的糾正。

錢德拉謝卡蘭表示，公司的 18A 工藝仍處于不斷試驗與打磨階段，“和其他新技術一樣存在起伏”，但團隊的進展持續穩步推進。預計英特爾將在2025 年下半年具備以 18A 工藝進行大規模量產的能力，并開始向客戶供貨。

英特爾表示，18A 工藝初期將由位于俄勒岡州希爾斯伯勒的研發中心負責投片，亞利桑那州的工廠也將在年內擴大產能。

另據英特爾披露的數據，在 2021 年提出“四年五個工藝節點”計劃至 2024 年這四年間，英特爾在全球的資本支出達到了 900 億美元（IT之家注：現匯率約合 6546.83 億元人民幣），其中約 180 億美元投向了技術研發，370 億美元投向了晶圓廠設備支出。

原文鏈接：https://m.ithome.com/html/850005.htm

從我有印象開始，Intel這個18A工藝大概喊了兩年了，一直作為重要工藝節點，作為Intel制造反超臺積電的重要里程碑被渲染，結果呢？距離量產最近的消息，居然是年初被曝出未通過博通驗證，遭到退單……如今，Intel又開始大力宣傳自己家18A工藝即將量產，是真的有重大突破馬上要實現量產了？還是Intel在給自己挽尊呢？

新 聞 2： 英特爾新先進制程將至：18A-PT 工藝官宣，14A 節點即將推出

英特爾新任 CEO 陳立武今日在美國加州圣何塞舉行的 Intel Foundry Direct Connect 2025 活動中亮相，概述了公司在晶圓廠代工項目上的進展。

陳立武宣布，公司現在正在與即將推出的14A 工藝節點（1.4nm 等效）的主要客戶進行接觸，這是 18A 工藝節點的后續一代。

英特爾已有幾個客戶計劃流片 14A 測試芯片，這些芯片現在配備了公司增強版的背面電源傳輸技術，稱為 PowerDirect。

如果一切按計劃進行，14A 將成為行業首個采用 High-NA EUV 光刻技術的節點。臺積電的 A14 競爭對手節點預計將在 2028 年到來，但預計不會在生產中使用 High-NA 技術。

陳立武還透露，公司的關鍵 18A 節點現在處于風險生產階段，預計今年晚些時候將開始量產。

英特爾還透露其新的 18A-P（IT之家注：18A 節點的性能版本）現在正在晶圓廠中運行，早期晶圓也已投產。

此外，英特爾官宣正在開發新的18A-PT 版本，該版本支持 Foveros Direct 3D，采用混合鍵合互連，使英特爾能夠在其最先進的領先節點上垂直堆疊晶圓。

Foveros Direct 3D 技術是一個關鍵的發展，因為它提供了一種競爭對手臺積電已在生產中使用的功能，最著名的是 AMD 的 3D V-Cache 產品。事實上，英特爾在關鍵互連密度測量方面的實現與臺積電的產品相匹配。

在成熟的節點方面，英特爾晶圓廠現在有了首個 16nm 量產晶圓，該公司現在也在與聯電合作開發 12nm 節點。

根據英特爾的官方路線圖，18A-P 將在 2026 年推出，18A-PT 要等到 2028 年。此外，14A 將在 2027 年到來，還會有 14A-E 工藝。

針對先進封裝需求，英特爾代工提供系統級集成服務，使用 Intel 14A 和 Intel 18A-P 制程節點，通過 Foveros Direct（3D 堆疊）和 EMIB（2.5D 橋接）技術實現連接。

英特爾還將向客戶提供新的先進封裝技術，包括面向未來高帶寬內存需求的 EMIB-T；在 Foveros 3D 先進封裝技術方面，Foveros-R 和 Foveros-B 也將為客戶提供更多高效靈活的選擇。

制造方面，英特爾亞利桑那州的 Fab 52 晶圓廠成功“全流程運行”，標志著通過該設施加工了第一塊晶圓。英特爾 18A 的大規模生產將在俄勒岡州的英特爾工廠開始，而亞利桑那州的制造將在今年晚些時候擴大。

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在Intel 18A工藝都仍處于“量產預告”階段時，Intel新任CEO居然已經在預告自家18A節點的改進工藝——18A-P和18A-PT了，這真的很難讓人信服啊……而且看Intel自己對兩個改進節點的介紹，他們登場的時間將是2026和2028，持續這么久的改進節點，那預告中的14A要什么時候問世呢……

新 聞3： 英特爾談 Intel 14A 可能使用 High NA EUV：兩種光刻技術設計規則兼容

英特爾并未在 2025 Intel Foundry Direct Connect（英特爾代工大會）上明確其 Intel 14A 先進節點是否會引入 High NA EUV 光刻技術，不過代工部門高管納加?錢德拉塞卡蘭還是就相關議題發表了看法。

他表示，英特爾仍有在 14A 制程的 EUV 光刻步驟中僅使用傳統 Low NA 或部分導入 High NA 的選項。而這兩種方案在設計規則上是兼容的，這意味著無論英特爾選擇哪條技術路徑，都不會對客戶造成影響。

英特爾已在其俄勒岡州研發晶圓廠安裝了第二套 ASML 提供的 High NA EUV 光刻系統，表現符合預期。英特爾的 High NA EUV 圖案化技術開發正穩步向量產邁進，同時已掌握了 High NA EUV 在 18A、14A 級節點的數據。

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那顯然Intel要在14A上整花活了，對于14A工藝節點使用哪種光刻技術，Intel提出僅使用Low NA 或部分導入 High NA的思路，并表示二者在設計邏輯上兼容。兼容與否我們無法確定，但此前確實沒有先例，按照Intel的這個說法，目前14A應該連制造思路都未確定。Intel算是最早購入High NA光刻機的廠商，但卻也是應用最慢的……不知道能否慢工出細活了。

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