美光宣布在美投資 2000 億美元擴建芯片制造與研發，含 1500 億內存制造和 500 億研發，將建多座晶圓廠并引入 HBM 封裝，獲 64 億美元政府支持。

美光稱已送樣 HBM4 內存，傳輸速率超 2.0TB/s，性能提升超 60%，多家投行上調目標價。

當前存儲價格持續上漲，美光等廠商停產 DDR4，行業加速向 DDR5/HBM 迭代，AI 驅動存儲需求增長。

美光 2000 億美元擴產：HBM 引領存儲芯片技術突圍一、2000 億美元投資加碼美國本土制造

美光科技宣布將在美國投入約 2000 億美元（1500 億制造 + 500 億研發），較原計劃增加 300 億美元，目標是實現本土 DRAM 產量占比 40%。具體布局包括：

• 產能建設：愛達荷州新建第二座晶圓廠（2027 年投產 DRAM），紐約規劃 4 座晶圓廠，弗吉尼亞工廠擴建以引入 HBM 封裝能力；

• 技術落地：構建端到端 HBM 制造鏈條，滿足 AI 算力對高帶寬內存的需求，同步獲得 64 億美元《芯片法案》資金支持；
  

• 產業影響：預計創造 9 萬個直接 / 間接就業崗位，美國商務部長稱其 “重塑本土半導體全產業鏈”。

美光已向主要客戶送樣 12 層堆疊 36GB HBM4 內存，核心指標包括：

• 性能躍升：2048 位元接口，傳輸速率超 2.0TB/s，較前代提升 60%，適配 AI 服務器算力需求；

• 資本看好：瑞穗、瑞銀等投行上調目標價（瑞穗至 130 美元），預測 2027 年美光 HBM 收入占 DRAM 比重達 45%，年增速 90%；

• 生態聯動：英偉達黃仁勛稱其為 “AI 生態關鍵一步”，蘋果庫克強調 “深化技術合作”。

當前存儲市場呈現雙重趨勢：

• 價格上漲：DDR4（8GB）4 月環比漲 22.2% 至 1.65 美元，NAND Flash（128GB）較去年底漲 34%，DRAM 現貨價上周平均漲 8.2%；

• 產能調整：美光確認停產 DDR4（2-3 季度停供 PC / 數據中心），三星、SK 海力士跟進，行業轉向 DDR5/HBM 迭代；

• 機構預判：交銀國際指出供應端減產 + 下游拉貨支撐漲價，甬興證券強調 AI 驅動 HBM/SRAM 需求，存儲周期復蘇明確。

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