首先，要搞清楚一個問題。

為什么SiC要先制作襯底，再在襯底上外延SiC制成外延片？而不是直接切下來？

簡單來講，碳化硅晶體在生長過程中會不可避免地產生缺陷、引入雜質，導致襯底材料的質量和性能都不夠好，而外延層的生長可以消除襯底中的某些缺陷，使晶格排列整齊。

具體分析，從生長方式來看，SiC鍵能太大，導致不能通過熔融的辦法直接結晶出碳化硅晶錠。這種高鍵能物質想要長晶都只能氣化之后從蒸汽里一點點結晶，并且為了生長出一塊晶體，碳化硅需要襯底來“引導”，引導下面沉積上來的原子在什么方向沉積。晶體生長通常采用升華或物理氣相傳輸（PVT）技術，這一過程需要精確控制溫度、壓力和時間，以確保晶錠的一致性和高質量。

從生產效率來看，碳化硅長晶很慢，根據天岳先進數據，2021年其長晶爐的單臺年產能也才115片。因此在大規模生產中，可通過在襯底上外延SiC可以實現批量生產，提高生產效率并減少制造成本。

SiC外延片，來源：瀚天天成

從加工過程來看

從晶體質量來看

從制作需要來看，在襯底上生長外延SiC，可以在不同襯底類型（如4H-SiC、6H-SiC等）上實現不同晶向的SiC生長，從而獲得特定晶面方向的SiC晶體，以滿足不同應用領域對材料特性的需求。

SiC外延生長方法有哪些？

化學氣相沉積（CVD）

CVD方法通過氣態化合物在高溫下分解并在襯底上沉積形成外延層。其優勢在于可以精確控制摻雜濃度和生長速率，但面臨高溫工藝和設備復雜度的問題。

分子束外延（MBE）

MBE是一種在超高真空環境下，通過原子束直接沉積在襯底上的外延生長方法。其具有生長溫度低、表面光滑、摻雜精確等優點，但生長速率較低，適用于高精度外延生長。

液相外延（LPE）

LPE方法通過溶液中的SiC在襯底上結晶形成外延層。其優點在于設備簡單、成本較低，但難以控制外延層的均勻性和厚度。

影響SiC外延生長的影響因素有哪些？

對于大尺寸SiC外延材料，SiC外延層摻雜濃度的均勻性（δ/mean）是研究界和產業界目前關注的另一重點。

在水平式外延生長中，氣體高速流入生長腔室，中心流速高，兩側接近生長腔室邊界的地方流速降低；同時在氣體流動的方向上，隨著反應氣體的消耗，反應氣體的濃度降低，這些現象會引起SiC外延層厚度和濃度的不均勻，進而影響器件的性能。

其次，SiC外延層的缺陷控制也是一大難點。

SiC外延材料的點缺陷主要有硅空位、碳空位、硅碳雙空位等缺陷，它們在禁帶中產生深能級中心，影響材料的載流子壽命。在輕摻雜的SiC外延層中，點缺陷產生的深能級中心濃度通常在5E12~2E13cm-3，與外延生長條件特別是C/Si 比和生長溫度相關。

小結

SiC外延在產業鏈中起著承上啟下的重要作用，一方面通過不斷積累對SiC材料的性能認知和改良，一方面通過器件的不斷迭代驗證，最終提升外延品質，推動SiC器件的應用。

郭鈺等：碳化硅同質外延質量影響因素的分析與綜述

晶格半導體：為什么碳化硅要用外延

天科合達、天岳先進報告、粉體網

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