前言

隨Ai數據中心耗電量日益增長，服務器電源效率成為該領域被頻繁關注的問題，因此，80PLUS Ruby（紅寶石）認證適時推出，針對數據中心常用的230V~480Vac以及380Vdc電壓段制定了更嚴格的效率要求。該新認證標準要求5%負載時效率超過90%，而在50%負載和100%負載下，效率分別需要超過96.5和92%，可謂是史上最嚴格的80PLUS認證標準，屆時可助力企業選擇更具效率的電源產品。

近期，充電頭網了解到，納微針對數據中心電源市場推出一款12kW OCP電源參考設計，該電源是基于納微Gen-3Fast和GaNSafe平臺研發的創新產品。據悉，該產品277Vac峰值效率可達97.8%以上，滿載效率可達96.9%以上，遠超80 PLUS Ruby認證標準需求，用于替換原有鈦金標準電源，每年可為相關企業節約可觀的電費支出。

納微12kW OCP AI數據中心電源參考設計

納微本次推出12kW OCP AI數據中心電源參考設計相較于目前常用的5.5kW供電方案，該方案將輸出功率提升兩倍以上，體積僅增加不到1/4，等效功率密度提升77%，完美解決當下數據中心供電難題，同時滿足80 PLUS紅寶石認證標準。

該電源參考設計方案具體參數如下：輸入電壓范圍為180~305 Vac寬幅設計，支持277 Vac電壓工況；207Vac以上最高輸出12kW，低于該閾值時輸出10kW，支持50V 240A MAX輸出；峰值效率97.5%，額定滿載效率超過96.5%；12kW斷電工控下可維持20ms輸出，浪涌電流控制為穩態電流的三倍；尺寸為790×73.5×40mm，對比當下5.5kW設計，僅在長度上多150mm，功率密度可達85 W/inch3；同時，該參考設計具備防雷功能以及主動均流功能及過流、過壓、欠壓、過熱保護機制，內部采用雙排風扇散熱。

另外，該12kW OCP電源參考設計方案采用Gen-3Fast碳化硅MOSFET、IntelliWeave數字技術，以及高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片，通過三相交錯TP-PFC和FB-LLC拓撲結構，實現了更極致的效率與性能，同時元件布局極簡。

三相交錯TP-PFC拓撲

該拓撲結構由采用“溝槽輔助平面柵”技術的Gen-3Fast碳化硅MOSFET驅動。憑借納微半導體在碳化硅領域超過20年的技術積累，該技術在全溫度范圍內展現卓越性能，具備低溫升、快速開關和出色的魯棒性。它能夠為電動汽車提供更快速的充電能力，或使AI數據中心的功率提升3倍。

IntelliWeave數字控制技術

納微半導體獨家的IntelliWeave數字控制技術，融合了臨界導通模式（CrCM）與連續導通模式（CCM）的混合控制策略，能夠覆蓋從輕載到滿載的全工況。在保持簡潔設計的同時，最大化效率，相比傳統CCM方案，可降低30%的功率損耗。

三相交錯FB-LLC拓撲

該拓撲由納微半導體的第四代GaNSafe氮化鎵功率芯片驅動。這款芯片集成了控制、驅動、感測和關鍵保護功能，為高功率應用提供了前所未有的可靠性和魯棒性。GaNSafe是全球氮化鎵功率芯片的安全標桿，具備最大延遲僅350ns的短路保護、所有引腳均具備2kV HBM ESD保護、消除負柵極驅動并具備可編程的斜率控制，上述所有功能僅通過芯片的4個引腳實現，封裝方式與普通氮化鎵FET相同，無需額外的VCC引腳。650V的GaNSafe提供TOLL與TOLT封裝，適用于1kW至22kW的應用場景，其導阻典型值范圍為18mΩ至70mΩ。

充電頭網總結

納微本次推出的12kW OCP AI數據中心電源參考設計，峰值效率達97.8%，遠超80 PLUS紅寶石標準。同時相比以往5.5kW方案，功率提升兩倍以上，體積僅增加不到1/4，功率密度顯著提升。同時，該電源方案內置納微Gen-3Fast碳化硅MOSFET、GaNSafe氮化鎵芯片，結合先進拓撲結構，為數據中心提供節能、穩定且高效的電源解決方案，助力相關企業每年節約數額可觀的電費支出。

納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅動、控制、感應及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節能效果更好的產品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經過優化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設備、消費電子、數據中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網和工業市場。納微半導體擁有超過300項已經獲頒或正在申請中的專利。納微半導體于業內率先推出唯一的氮化鎵20年質保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認證的半導體公司。