導讀：隱身戰(zhàn)機噩夢成真？殲20再迎進化，美F22/F35面臨“透明”危機

一直，高端制造業(yè)普遍被視作我國亟待突破的“最后一道技術壁壘”。追根溯源，其關鍵癥結在于極紫外光刻技術（EUV）在國內尚未實現(xiàn)全面自主可控，相關原理樣機目前大多仍處于實驗室研究階段。

然而，令人始料未及的是，在應對這一難題時，我國毅然決然地采用了一種“根源性思維”：鑒于短期內難以在高制程制造方面取得全面性突破，便在半導體材料創(chuàng)新領域深耕細作。

在這一別具一格的思路引領下，我國在半導體材料領域不僅斬獲了斐然的科研成果，還將這些突破性進展成功應用于尖端裝備，大幅提升了人民軍隊的作戰(zhàn)效能，在相關領域再度對美西方形成具有戰(zhàn)略意義的“代差”優(yōu)勢。

常言道“不怕外賊，只怕被惦記”，此項重大成就自然引發(fā)了印度媒體的高度關切。但與外界預期相悖的是，印度媒體此次并未展現(xiàn)出其一貫的“印度式自豪表述”，反而難能可貴地對我國的技術突破給予了正面肯定。

印度頗具知名度的媒體《歐亞時報》于6月中旬刊發(fā)文章，著重報道了我國在半導體領域所取得的成就。僅在文章標題中，印度媒體便著重強調，得益于碳化硅技術的應用，殲 - 20戰(zhàn)斗機的殺傷力實現(xiàn)了三倍提升！

報道指出，該項技術還會使美國現(xiàn)役的F - 35、F - 22戰(zhàn)機難以遁形。據(jù)悉，碳化硅是一種硬度極高的新型半導體材料，尤其適用于工作溫度遠超常規(guī)半導體的“大功率器件”。它在降低電力損耗的同時，能夠承受比傳統(tǒng)硅基半導體高出10倍的過載電壓，并且可以在600攝氏度以上的高溫環(huán)境中長時間穩(wěn)定運行。

印度空軍前飛行員塔庫爾在評論中分析認為，相關技術已被應用于殲 - 20隱身戰(zhàn)機所搭載的AESA雷達之上。這意味著，僅從探測距離方面來看，戰(zhàn)機就將實現(xiàn)突破性進展。

中美在高科技領域的博弈，除軍事半導體這一關鍵領域外，在雷達、電子戰(zhàn)、生物、新能源等領域，美國也試圖構建一套自我強化的技術領先體系。

當前，美國整體實力呈現(xiàn)相對衰弱態(tài)勢，加之去工業(yè)化所引發(fā)的負面效應，致使其在新型裝備研發(fā)方面不得不高度依賴全球供應鏈。這一狀況直接造成其科研投入大幅減少，已難以重現(xiàn)冷戰(zhàn)時期那種“百花齊放”的技術蓬勃發(fā)展態(tài)勢。

面對中國的迅速崛起，美國在應對策略上正表現(xiàn)出顯著的被動性。曾經(jīng)被視作戰(zhàn)場制勝關鍵的五代機，如今愈發(fā)難以在理想條件下進入交戰(zhàn)區(qū)域。這也正是六代機研發(fā)著重強調“穿透制空”理念的緣由——該理念的核心在于賦予單一空中作戰(zhàn)平臺強大的獨立決策、偵察探測以及火力打擊能力。

在半導體領域，情況亦是如此。美國雖具備設計出性能卓越顯卡的能力，但受限于現(xiàn)有的技術整合水平，難以打造出性價比出眾的反隱身雷達。

例如，近期下馬的E - 7預警機項目，其所配備的MESA多任務雷達探測距離僅為390公里，甚至低于多數(shù)超遠程空空武器的射程。這些現(xiàn)象均表明，美國科研能力的衰退已達到相當嚴峻的程度。

此外，美國軍工產(chǎn)能對稀土的高度依賴，進一步削弱了其裝備在質量與數(shù)量方面的優(yōu)勢，使其難以支撐在亞太地區(qū)與中國進行高強度對抗。

實際上，對于美國當前面臨的困境，早在第二次世界大戰(zhàn)剛結束時，艾森豪威爾就曾告誡繼任者，要警惕日益膨脹的軍工復合體。遺憾的是，這些忠告被束之高閣，最終致使美國陷入投入巨大卻成效甚微的尷尬境地。