近日，部分自媒體宣稱“殲-20換裝碳化硅雷達，探測距離達1000公里”，引發廣泛討論。經技術溯源與業內核實，該說法存在嚴重事實偏差，核心問題集中于兩點：碳化硅的真實作用與探測距離的夸大解讀。

誤區一：碳化硅并非雷達T/R組件，僅為基底材料。

網傳所謂“碳化硅雷達”實為概念混淆?，F代機載有源相控陣雷達的核心射頻單元是 T/R組件（收發組件），其材料直接決定雷達性能。當前主流技術路徑為：

第二代半導體：砷化鎵（早期殲-20使用）

第三代半導體：氮化鎵（現役殲-20升級方向），再下一代發展方向是氧化鎵，而不是碳化硅。

碳化硅的角色：僅作為氮化鎵芯片升電路耐壓與散熱能力，或者就是基底材料，而非核心發射單元，未來散熱功能的發展方向是金鋼石。

氮化鎵與碳化硅同屬第三代半導體，性能接近（擊穿電場均約3MV/cm），并無代差優勢。

真正代表技術突破的是 第四代半導體氧化鎵（擊穿電場可達8MV/cm），其雷達應用尚在中國處于測試階段。

將使用碳化硅開關的雷達稱為“碳化硅雷達”，如同將裝有鋰電池的手機宣稱為“鋰電手機”——忽略了核心處理器與芯片的存在。

誤區二：1000公里探測距離缺乏物理基礎，合理探測范圍應為400以上公里。

根據雷達所公開數據及電磁波衰減模型：假設殲-20早期砷化鎵雷達探測距離約270公里。升級氮化鎵后，因功率與效率提升，探測距離增幅約50%-100%，即 400-500公里區間。未來換裝氧化鎵雷達的殲-35/殲-20改型，因孔徑更大、材料升級，理論極限約 800公里。

“千公里說”來源的誤讀，該數據源自對山東大學某論文的曲解：文中提及碳化硅襯底使雷達 探測范圍（面積）擴大至3倍，卻被誤讀為 探測距離提升3倍。

關鍵換算：探測面積擴大3倍 → 探測距離僅增長√3≈1.7倍（以原距離300公里計，僅增至500公里）。

若強行按“3倍距離”計算（需功率提升27倍），需顛覆現有物理規律，遠超當前材料技術極限。

為何碳化硅被誤作“黑科技”？

部分觀點混淆了擊穿電場性能的參照系：

碳化硅擊穿電場為硅的10倍，但氮化鎵已達同級水平?？浯蟊硎鋈纭疤蓟栊阅艹?0倍”，實為偷換概念。

未來方向：氧化鎵與金剛石襯底。

可以預料下一代雷達的真正突破在于：氧化鎵T/R組件：提升功率密度，縮短與理論探測極限的距離。

金剛石襯底：替代碳化硅，解決高頻散熱瓶頸，目前處于實驗室階段，或者是成本太高。

殲-20的雷達升級遵循客觀技術規律：從砷化鎵到氮化鎵，未來邁向氧化鎵。碳化硅作為開關關鍵材料 和優質襯底確有貢獻，但將其冠名為“雷達技術革命”并衍生出千公里探測神話，既不符合材料科學原理，也脫離工程實際。真正的“代際跨越”，永遠建立在嚴謹迭代與可驗證數據之上。