河南
快科技7月24日消息，隨著AMD新一代線程撕裂者PRO工作站CPU發(fā)售，芝奇正式推出了專為該處理器打造的T5 Neo DDR5-6400 CL38 512GB (64GBx8)RDIMM超頻內(nèi)存。
據(jù)介紹，本次推出的T5 Neo DDR5-6400 512GB (64GBx8)超高規(guī)格套裝，結(jié)合了512GB大容量及CL38低延遲的夢(mèng)幻組合。
該內(nèi)存采用芝奇最新16層DDR5 R-DIMM PCB，相較于傳統(tǒng)的8層或10層板設(shè)計(jì)，可有效提升內(nèi)存速度、強(qiáng)化信號(hào)完整性、并降低信號(hào)干擾，即使在高負(fù)載下也能確保穩(wěn)定高效數(shù)據(jù)傳輸。
該內(nèi)存還引入了AMD EXPO超頻技術(shù)，適用于企業(yè)級(jí)或個(gè)人使用的數(shù)據(jù)運(yùn)算中心、人工智能、與機(jī)器學(xué)習(xí)平臺(tái)，或各類高效能科學(xué)運(yùn)算環(huán)境。
由于模組需直接從主板獲取12V電壓輸入，因此在設(shè)計(jì)上引入了先進(jìn)的保護(hù)機(jī)制，為防止瞬態(tài)電壓突波與靜電放電 (ESD)，每個(gè)模組均配備高質(zhì)量瞬態(tài)電壓抑制 (TVS) 二極管與表面黏著技術(shù) (SMT) 保險(xiǎn)絲，形成穩(wěn)固的雙重防護(hù)設(shè)計(jì)。
目前該內(nèi)存搭配最新AMD線程撕裂者PRO 9945WX處理器及ASUS Pro WS WRX90E-SAGE SE主板通過燒機(jī)測(cè)試，以下為測(cè)試截圖：
芝奇全新T5 Neo DDR5-6400 CL38 512GB (64GBx8) R-DIMM超頻內(nèi)存套裝將于今年8月于全球各地陸續(xù)開售，具體價(jià)格暫未公布。
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