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原文來自原創書籍《硬件設計指南 從器件認知到手機基帶設計》：

本小節介紹下三極管的特性，清晰易懂，使用通俗的水流模型加強對三極管的原理記憶，一定比課堂上講的要形象的多，各位同學要學會類比的方法來加深記憶（比如在介紹相對論中引力扭曲時空的概念時，國外科學家們就用生活中的漩渦，或者在彈性膜中間的重球，來類比星體引力對時空的影響，這樣會大大簡化我們學習、理解和記憶的過程，這種學習方法被稱為類比學習法）。

我們平時所說的三極管全稱是雙極性晶體管（bipolar junction transistor），具有兩個PN結，NPN和PNP型三極管電路符號如圖1-26 所示，有基極B：Base；集電極C：Collector；發射極E：Emitter三個引腳，怎么判斷晶體管是NPN還是PNP呢？記住：符號中的箭頭都是從P指向N的。左圖中，箭頭起點為P、終點為N，所以P在三極管中間，即為NPN；而右圖中，箭頭起點為P、終點為N，所以三極管中間為N，即為PNP。

圖1-26 NPN與PNP型三極管符號

本節以NPN三極管為例，介紹下三極管的特性。圖1-27 的曲線是NPN三極管的輸出特性曲線，橫坐標是CE之間的電壓VCE，縱坐標是CE之間的電流IC，這些曲線主要就是描述基極電流IB、集電極電流ICE和VCE三者的關系。三極管有三個工作區，分別是飽和區、放大區和截至區。

圖1-27 NPN三極管輸出特性曲線

圖1-29 三極管的水流控制等效模型

1. 飽和區的特點。三級管的電流IC與IB和VCE都有關，當VCE不變時，IB變化引起的IC變化不大；但是反過來，IB固定，VCE變化一點點就會引起IC劇烈變化，換句話說三極管已經飽和了，飽和的意思就是滿了，我們可以用向水杯里倒水的模型來記憶這個過程，如圖1-28 所示，IB就是水龍頭注水的水流，IC就是水面的高度，VCE就是指水杯的高度。飽和就是指水滿了，如圖中飽和時狀態所示，此時水面高度IC已經滿了（已經飽和）不受控于IB了，而受控于水杯的高度VCE，如果想要進一步增加IC，就需要增加水杯高度VCE，這樣理解并記憶飽和這個概念就更形象易懂了。

2. 放大區的特點。隨著IB的增加，IC也增加，IC主要受控于IB，與VCE關系不大，圖1-27 中可以看到，放大區內VCE增加時IC基本不變，而IB增加時IC就跟著增加。圖1-28 清晰地類比了這個過程，通俗點說就是用IB來控制IC，這就是我們稱三極管是電流控制型器件的原因。還是以水杯模型來加深記憶，圖中放大狀態的水杯中，不管水杯高度VCE是多高，IC的高度只受控于注水水流IB。

3. 截至區的特點。不管VCE怎么變化，只要IB等于0或接近于0，IC也就約等于0，我們還是以水杯為模型來加深理解，圖1-28 中注入杯中的水龍頭IB水流非常小，接近于0，所有不管水杯VCE多高，水杯中的水IC始終接近于0。

在電流IC不大時，三極管常用來做放大器或者是開關使用，當需要大電流時往往用MOS來做開關使用，以上就是三極管的相關特性介紹，結合三極管的水流控制等效模型來理解記憶就會容易的多。

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