全球第三大半導(dǎo)體存儲(chǔ)器公司美光科技發(fā)布了其截至11月28日的2025財(cái)年第一財(cái)季財(cái)報(bào)。數(shù)據(jù)顯示，公司在該財(cái)季實(shí)現(xiàn)營(yíng)收87.1億美元，同比大幅增長(zhǎng)84%，這一成績(jī)完全符合市場(chǎng)預(yù)期。然而，盡管營(yíng)收表現(xiàn)出色，美光科技對(duì)未來(lái)卻持悲觀態(tài)度，引發(fā)了市場(chǎng)的廣泛關(guān)注。

美光科技在第一財(cái)季實(shí)現(xiàn)了扭虧為盈，凈利潤(rùn)達(dá)到18.7億美元，毛利率也有所提升。公司表示，這一業(yè)績(jī)的取得主要得益于數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)的強(qiáng)勁增長(zhǎng)，該業(yè)務(wù)營(yíng)收同比增長(zhǎng)了400%，并首次超過(guò)了公司整體收入的50%。此外，HBM（高帶寬內(nèi)存）業(yè)務(wù)的放量以及存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格的上漲也推動(dòng)了公司營(yíng)收和利潤(rùn)的提升。

然而，美光科技對(duì)下一財(cái)季的業(yè)績(jī)展望卻顯得頗為悲觀。公司預(yù)計(jì)第二財(cái)季營(yíng)收將在79億至81億美元之間，環(huán)比下滑約9%，顯著低于分析師預(yù)期的90億美元。同時(shí)，第二財(cái)季的毛利率預(yù)計(jì)為36.5%至38.5%，也低于市場(chǎng)一致預(yù)期的41.3%。

美光HBM3E 8H/12H展現(xiàn)強(qiáng)勁動(dòng)力，引領(lǐng)高帶寬內(nèi)存新時(shí)代

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商美光科技宣布，其最新推出的HBM3E（High Bandwidth Memory 3E）8H和12H產(chǎn)品系列，以卓越的性能和能效，正引領(lǐng)高帶寬內(nèi)存市場(chǎng)進(jìn)入一個(gè)全新的發(fā)展階段。

美光HBM3E 8H和12H產(chǎn)品系列采用了先進(jìn)的1β（1-beta）工藝制造，擁有高達(dá)24GB（8H）和36GB（12H）的超大容量，相較于上一代產(chǎn)品，容量提升了50%。這一顯著提升使得數(shù)據(jù)中心能夠無(wú)縫擴(kuò)展其不斷增長(zhǎng)的人工智能工作負(fù)載，無(wú)論是訓(xùn)練大規(guī)模神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)還是加速推理任務(wù)，都能提供必要的內(nèi)存帶寬。

在性能方面，美光HBM3E 8H和12H產(chǎn)品系列展現(xiàn)了令人矚目的實(shí)力。它們提供了超過(guò)1.2 TB/s的內(nèi)存帶寬，引腳速度超過(guò)9.2 Gb/s，為人工智能加速器、超級(jí)計(jì)算機(jī)和數(shù)據(jù)中心提供了閃電般的數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度。這一卓越的性能表現(xiàn)，得益于美光在硅通孔（TSV）和封裝互連技術(shù)上的創(chuàng)新，使得數(shù)據(jù)路徑更短，能效更高。

除了卓越的性能，美光HBM3E 8H和12H產(chǎn)品系列在能效方面也表現(xiàn)出色。與競(jìng)品相比，美光HBM3E的功耗降低了約30%，在提供最大吞吐量的前提下，將功耗降至最低，有效降低了數(shù)據(jù)中心的運(yùn)營(yíng)成本。這一優(yōu)勢(shì)使得美光HBM3E成為數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用領(lǐng)域的理想選擇。

此外，美光HBM3E 12H還集成了完全可編程的內(nèi)存內(nèi)置自檢（MBIST）系統(tǒng)，能夠以全規(guī)格速度運(yùn)行系統(tǒng)代表性流量，為加快驗(yàn)證提供了更好的測(cè)試覆蓋范圍，從而加快了產(chǎn)品上市時(shí)間，并提高了系統(tǒng)可靠性。這一功能大大縮短了人工智能系統(tǒng)的研發(fā)周期，使得更穩(wěn)定的產(chǎn)品可以更快地推向市場(chǎng)。

美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana表示：“美光憑借HBM3E里程碑實(shí)現(xiàn)了三重成就：上市時(shí)間領(lǐng)先、一流的行業(yè)性能和差異化的能效特性。AI工作負(fù)載嚴(yán)重依賴內(nèi)存帶寬和容量，而美光已做好充分準(zhǔn)備，通過(guò)我們行業(yè)領(lǐng)先的HBM3E和HBM4路線圖，以及我們面向AI應(yīng)用的完整DRAM和NAND解決方案組合，支持未來(lái)AI的顯著增長(zhǎng)。”

據(jù)悉，美光HBM3E 8H產(chǎn)品已經(jīng)成功搭載于NVIDIA H200 Tensor Core GPU中，并計(jì)劃于2024年第二季度開(kāi)始發(fā)貨。而12H產(chǎn)品也正在接受多項(xiàng)客戶資格認(rèn)證，預(yù)計(jì)將在未來(lái)不久內(nèi)正式上市。

美光HBM3E 8H/12H產(chǎn)品系列的強(qiáng)勁動(dòng)力，不僅展現(xiàn)了美光在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，更為數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展注入了新的活力。隨著市場(chǎng)對(duì)高帶寬內(nèi)存需求的不斷增長(zhǎng)，美光HBM3E 8H/12H產(chǎn)品系列有望成為推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的重要力量。

美光2025財(cái)年資本支出預(yù)計(jì)達(dá)140億美元，加速技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)能擴(kuò)張

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商美光科技公司（Micron Technology, Inc.）宣布，其2025財(cái)年的資本支出預(yù)算將達(dá)到約140億美元，旨在加速技術(shù)創(chuàng)新、擴(kuò)大產(chǎn)能，并鞏固其在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

據(jù)悉，美光2025財(cái)年的資本支出將主要用于以下幾個(gè)方面：

一、支持高帶寬內(nèi)存（HBM）的產(chǎn)能建設(shè)。HBM作為新一代高性能內(nèi)存技術(shù)，在人工智能、數(shù)據(jù)中心等高端應(yīng)用領(lǐng)域具有廣闊的市場(chǎng)前景。美光將加大在HBM技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)能擴(kuò)張方面的投入，以滿足市場(chǎng)對(duì)高性能內(nèi)存不斷增長(zhǎng)的需求。

二、先進(jìn)包裝設(shè)施擴(kuò)充。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，先進(jìn)封裝技術(shù)已成為提升芯片性能和降低成本的重要手段。美光將投資擴(kuò)建先進(jìn)包裝設(shè)施，以提升封裝技術(shù)的水平和產(chǎn)能，為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體解決方案。

三、研發(fā)投資。美光將繼續(xù)加大在研發(fā)方面的投入，推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的不斷創(chuàng)新和升級(jí)。通過(guò)持續(xù)的研發(fā)投入，美光將不斷提升產(chǎn)品的性能和可靠性，滿足市場(chǎng)對(duì)高品質(zhì)半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求。

四、新廠建設(shè)。為了滿足未來(lái)市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，美光將投資建設(shè)新的半導(dǎo)體制造工廠。這些新廠將采用先進(jìn)的生產(chǎn)工藝和設(shè)備，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量，為美光的持續(xù)增長(zhǎng)提供有力支持。

此外，美光還與美國(guó)商務(wù)部達(dá)成了協(xié)議，根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》獲得高達(dá)61億美元的獎(jiǎng)勵(lì)，以支持其在愛(ài)達(dá)荷州和紐約州的先進(jìn)DRAM制造工廠項(xiàng)目。同時(shí)，美光還與新加坡政府達(dá)成協(xié)議，將在新加坡建設(shè)先進(jìn)的HBM封測(cè)設(shè)施，以支持AI時(shí)代的增長(zhǎng)需求，并滿足未來(lái)NAND制造長(zhǎng)周期需求規(guī)劃。