據(jù)路透社信息，臺(tái)灣芯片巨頭臺(tái)積電(TSMC)已向美國(guó)芯片設(shè)計(jì)公司英偉達(dá)(Nvidia)、超微(AMD)、博通(Broadcom)和高通(Qualcomm)提議，入股一家合資企業(yè)，該企業(yè)將運(yùn)營(yíng)英特爾的晶圓代工部門(mén)。

據(jù)報(bào)道，消息人士表示，根據(jù)該提議，臺(tái)積電將負(fù)責(zé)英特爾晶圓代工部門(mén)的運(yùn)營(yíng)，但其持股比例不會(huì)超過(guò)50%。然而，這些談判尚處于早期階段。

消息人士說(shuō)，美國(guó)政府此前曾要求全球芯片代工龍頭臺(tái)積電協(xié)助美國(guó)工業(yè)巨頭英特爾扭轉(zhuǎn)困境。

消息人士指出，由于華盛頓不希望英特爾公司或其代工部門(mén)完全由外國(guó)持股所有，任何最終協(xié)議都需要獲得特朗普政府的同意。受囿于談判并未公開(kāi)，消息人士不愿透露姓名。

英特爾、臺(tái)積電、英偉達(dá)、超微和高通均拒絕置評(píng)。白宮和博通尚未回應(yīng)路透社置評(píng)請(qǐng)求。

英特爾近年來(lái)業(yè)績(jī)欠佳，其股價(jià)去年已損失超過(guò)一半的價(jià)值。

英特爾的財(cái)務(wù)報(bào)告顯示2024年凈虧損188億美元，為1986年以來(lái)首見(jiàn)，主要由于其資產(chǎn)大規(guī)模減值。公司申報(bào)文件顯示，截至去年12月31日，英特爾晶圓代工部門(mén)的地產(chǎn)和廠房設(shè)備賬面價(jià)值為1080億美元。

據(jù)指出，美國(guó)總統(tǒng)唐納德·特朗普(Donald Trump)在推動(dòng)美國(guó)先進(jìn)制造業(yè)的發(fā)展之際，極希望重振英特爾的命運(yùn)。

消息人士表示，臺(tái)積電在3月3日與特朗普一起宣布未來(lái)美國(guó)投資千億美元與建設(shè)五座新晶圓廠之前，就已向潛在投資者推薦了該合資企業(yè)的計(jì)劃。

據(jù)指出，此后有關(guān)英特爾晶圓代工部門(mén)合資企業(yè)的談判繼續(xù)進(jìn)行，臺(tái)積電希望找到不只一家芯片設(shè)計(jì)公司作為合作伙伴。

盡管多家公司表示有意收購(gòu)英特爾的部分業(yè)務(wù)，但報(bào)道援引兩位消息人士表示，英特爾已拒絕將其芯片設(shè)計(jì)與代工部門(mén)分開(kāi)出售的討論。

消息人士表示，高通早先已退出收購(gòu)英特爾全部或部分股權(quán)的談判。

據(jù)指出，英特爾董事會(huì)成員曾支持一項(xiàng)交易，并與臺(tái)積電進(jìn)行了談判，但一些英特爾高管對(duì)此堅(jiān)決反對(duì)。

英特爾的晶圓代工部門(mén)是前首席執(zhí)行官帕特·基辛格(Pat Gelsinger)拯救公司努力的關(guān)鍵部分。去年12月，英特爾董事會(huì)迫使基辛格離職，任命兩位臨時(shí)聯(lián)席首席執(zhí)行官，擱置即將推出的人工智能(AI)芯片。

臺(tái)積電和英特爾這兩家歷史競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之間的任何交易都將面臨重大挑戰(zhàn)，不僅成本高昂，也耗時(shí)費(fèi)力。報(bào)道援引來(lái)自這兩家公司的消息人士透露，臺(tái)積電和英特爾目前在其工廠中使用的制程、化學(xué)品和芯片制造工具的體制截然不同。

英特爾此前曾與臺(tái)灣聯(lián)華電子(UMC)和以色列高塔半導(dǎo)體(Tower Semiconductor)建立制造合作關(guān)系，這可能為臺(tái)積電和英特爾合作提供先例。然而，在不泄露制造的商業(yè)機(jī)密情況下，這種合作關(guān)系將如何運(yùn)作？目前尚不清楚。

報(bào)道援引一位消息人士表示，臺(tái)積電希望合資企業(yè)的潛在投資者也能成為英特爾先進(jìn)制造領(lǐng)域的客戶。

據(jù)路透社上周報(bào)道，消息人士表示，英偉達(dá)和博通正與英特爾合作進(jìn)行制造測(cè)試，采用英特爾最先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)18A。超微也在評(píng)估英特爾的18A制程是否符合其需求。

據(jù)指出，18A一直是英特爾與臺(tái)積電談判中的爭(zhēng)論焦點(diǎn)；在2月的談判中，英特爾高管曾向臺(tái)積電表示，其先進(jìn)的18A制造技術(shù)優(yōu)于臺(tái)積電的2納米制程工藝。