美光公布截至2025年2月27日的FY2025Q2財季(2024年12月-2025年2月)業績，該季營收80.53億美元，環比減少8%，同比增長38%，值得注意的是，美光的數據中心收入同比增長三倍；Non-GAAP下，營業利潤20.07億美元，營業利潤率由上季度的27.5%下降至24.9%；凈利潤17.83億美元，較上季度20.37億美元減少12.5%，同比增長274.6%。

具體來看：

DRAM收入61.23億美元，占總收入的76%，環比減少4.4%。DRAM Bit出貨量環比減少7%-9%，DRAM ASP環比增長中個位數百分比。

NAND收入18.55億美元，占總收入的23%，環比減少17.4%。NAND Bit出貨量環比略有增長，NAND ASP環比減少約17%-19%。

各事業部具體情況：

Compute and Networking（CNBU）營收45.64億美元，環比增長4%，占總收入的57%。得益于HBM收入環比增長超50%，CNBU收入連續第三個季度創下季度新高。

Mobile（MBU）營收10.68億美元，環比下降30%；因Mobile客戶持續優化庫存水平，導致收入減少。

Storage（SBU）營收13.92億美元，環比下降20%；下降主要源于數據中心客戶在經歷多個季度的強勁增長后減少存儲投資，以及NAND行業整體價格影響。

Embedded（EBU）營收10.25億美元，環比下降3%；下降主因是汽車客戶推進庫存改善措施。

資本開支與技術發展

美光預計FY25Q3凈資本支出將超過30億美元。美光2025財年全年資本支出計劃仍為約140億美元。其中，絕大部分資本支出將用于支持高帶寬內存（HBM）業務，以及設施建設、后端制造和研發投資。由于新關稅政策實施時間、具體內容及執行方式尚不確定，當前預測未包含其潛在影響。

該季度末美光庫存為90億美元，庫存周轉天數為158天，較上季度增長了9天。

技術領域方面，美光1-beta DRAM 制程技術處于行業領先地位，隨著上月 1-gamma 制程節點的推出及基于該節點的 D5 產品（業內首次發貨），美光正進一步鞏固技術優勢。

1-gamma 是美光首個采用EUV的 DRAM 制程節點，與 1-beta 相比，其功耗降低 20%，性能提升15%，存儲密度提高超 30%。

美光尖端的G9 NAND 制程技術提供業界最快的TLC NAND。美光在推進該技術量產時，將嚴格平衡行業供需關系。

美光持續進行審慎投資，以把握人工智能驅動的重大增長機遇。美光正專注于在現有制造設施中提升HBM產能，以滿足至2026年的市場需求。今年1月，美光在新加坡的HBM先進封測工廠破土動工，這項投資將使美光自2027日歷年開始顯著提升總先進封裝產能。與此同時，其在愛達荷州新建的DRAM工廠在本季度完成了關鍵里程碑節點，成功獲得CHIPS法案對該項目的首筆資金撥付。這座全新的愛達荷州工廠預計將于2027財年開始貢獻可觀的DRAM產量。

應用市場

隨著計算硬件的顯著改進，有效降低了生成式 AI 模型的單位token成本，硬件性能的躍升配合更高效的算法與軟件，進一步推動推理成本下降，使得基于生成式AI的功能得以觸達更多新興應用場景。而應用邊界的持續拓展，正在為整體AI需求構建起強大的增長引擎，近期AI生態系統關鍵貢獻者的創新成果，將持續推動這一增長態勢。

每一代新產品推出，都使得GPU和定制AI加速器的性能能力持續提升，而這些高性能處理器正面臨內存帶寬的掣肘。HBM恰好能以最有效和最高效的方式為這些處理器提供所需的高帶寬，美光稱非常欣喜看到了這一復雜且高附加值產品的增長機會，目前客戶已將美光視為行業內的HBM技術領導者。

數據中心

美光表示，近期大型超大規模客戶重申了其在2025日歷年資本投資將實現同比強勁增長。預計 2025 年服務器出貨量將實現中個位數百分比增長，傳統服務器和AI服務器均將實現增長。HBM市場需求依然強勁，美光預計2025日歷年HBM總市場規模將達350億美元以上，比之前預估的300億美元有所提高，并預計2025年第四季度有望HBM份額達到與整體DRAM供應份額相當的水平。美光表示，2025日歷年HBM已售罄，而2026年HBM市場需求將保持強勁態勢，目前，正在與客戶就2026日歷年HBM需求協議進行討論。

美光表示，其業界領先的HBM3E與競品相比功耗可降低30%，且美光12層堆疊HBM3E（HBM3E 12H）比競爭對手的8層堆疊產品的功耗降低了20%，同時內存容量提高了50%。目前美光已開始批量生產HBM3E 12H，并專注于提高產能和良率，預計2025年下半年，HBM3E 12H將占HBM總出貨量的絕大部分。另外，美光HBM平臺和客戶認證取得了良好進展，HBM3E 8H已應用于英偉達GB200，HBM3E 12H將應用于GB300。

第二財季，美光開始向第三大HBM3E客戶批量出貨，隨著時間的推移未來還會增加更多客戶。預計2025財年HBM收入將達到數十億美元。展望未來，美光對HBM4充滿期待，將于2026年實現量產。HBM4與HBM3E相比其帶寬增加了60%以上。HBM4的推出時機與客戶需求高度契合，美光將專注于向市場提供能效、質量與性能等方面最優的HBM4產品。憑借已驗證的HBM產品性能、強大的技術路線圖以及卓越的制造工藝，將使得美光在下一代HBM4及HBM4E解決方案具備獨特優勢。

美光引領數據中心采用 LP（low power）技術。在AI服務器中，美光的LP技術與DDR5相比將內存功耗降低超過三分之二。隨著服務器內存從焊接組件向SOCAMM（小型壓縮式內存模塊）形態演進，美光預計在LP內存領域將保持領導地位。

美光的SOCAMM與英偉達合作開發，用于支持GB300。LP DRAM采用SOCAMM外形設計，使得服務器制造和維護更加便捷，并推動LP內存解決方案在服務器市場的廣泛普及。美光表示有望在2025財年通過面向數據中心的高容量DDR5和LP內存產品組合實現數十億美元的收入。

在數據中心NAND方面，由于短期客戶庫存影響，第二財季需求有所放緩，美光預計未來幾個月bit出貨量將恢復增長。美光的高性能9550 SSD已列入英偉達GB200 NVL72認證供應商名單中，并已完成多家客戶認證。本季度，美光宣布其數據中心基于G8 QLC的NAND組件已通過Pure Storage高容量150TB Direct Flash模塊的生產資格認證，使客戶能在其定制存儲解決方案中利用美光行業領先的NAND設計和工藝技術。美光的QLC NAND正推動數據中心存儲從HDD向NAND解決方案過渡，美光預計2025日歷年數據中心NAND收入將達到數十億美元，并且數據中心NAND市場份額也將再次擴大。

PC

美光預計2025日歷年PC市場出貨量將同比中個位數百分比增長，增長主要集中在2025年下半年。推動這一增長的關鍵催化劑包括：Windows 10將于2025年10月停用，現有PC設備老化以及用戶希望確保PC硬件配置能支持未來高要求的AI應用。支持AI功能的PC設備至少需要16GB DRAM，許多型號的內存要求甚至更高，相比去年平均12GB的內存配置有顯著提升。在本季度，美光向PC客戶端提供了基于16Gb 1γ的DD5產品樣品。

在NAND方面，美光推出了基于G9的4600 PCIe Gen 5 NVMe SSD，并已在多家PC OEM完成了主流2650 NVMe SSD的認證。

Mobile

美光預計2025年日歷年智能手機出貨量將保持低個位數百分比增長。智能手機客戶庫存動態符合預期，將帶動本財年第三財季mobile DRAM和NAND bit出貨量增長。AI應用的普及仍是推動mobile DRAM需求增長的重要動力，支持AI功能的旗艦手機DRAM容量普遍提升至12GB以上，而去年主流機型僅為8GB。

智能手機OEM廠商正采用美光行業領先的9.6 Gbps LPDDR5X DRAM來提升AI性能，相比使用相同系統芯片（SoC）上的傳統速度等級，每秒可提供高達20%的更多tokens。在本季度，美光宣布三星Galaxy S25高端系列產品搭載了其LPDDR5X DRAM和UFS 4.0 NAND。美光的mobile DRAM和UFS存儲解決方案需求旺盛，并將持續在全年旗艦和高端智能手機中推廣。此外，美光正對業界首款基于G9 NAND的UFS 4.1解決方案進行送樣，容量高達1TB。

汽車和工業市場

汽車 OEM、工業和消費嵌入式客戶正處于調整庫存水平的后期階段。

汽車領域占美光EBU部門收入的最大份額，隨著支持AI的車載信息娛樂系統日益豐富，駕駛輔助性能不斷提升，每輛車的內存和存儲容量將不斷增加。如今，先進的自動駕駛出租車平臺已配置超過200GB的DRAM，比普通汽車中的DRAM高出20到30倍。

美光表示，憑借其行業領先的汽車產品組合，完全有能力把握這一增長趨勢。本季度，美光宣布了宣布業界首款支持9.6 Gbps速率的車規級LPDDR5X DRAM已進入量產階段，以滿足車載AI應用對性能日益增長的需求。此外，美光還透露其4150 SSD成為業界首款符合汽車標準的企業級SSD產品，目前正在向目標客戶提供樣品，進一步鞏固了美光在汽車市場的地位。

未來展望

供應方面，美光預計2025日歷年其DRAM和NAND供應增長率將低于行業需求增長率，庫存天數也將減少。同時，美光預計2025日歷年DRAM和NAND bit市場份額將保持不變。

其中：

DRAM層面，美光預計HBM在2025日歷年將強勁增長。此前，美光提及與DDR5相比，HBM3E 生產相同數量的bit需要消耗三倍的晶圓。展望未來，隨著HBM4的推出，美光預計該比率將進一步提升，而當HBM4E問世時，需要消耗超4倍的晶圓。這種可預見的、持續顯著的晶圓消耗量提升，將導致行業領先的尖端節點供應緊張，或將令非HBM產品的產能供應受限。

NAND層面，美光晶圓廠產能仍未充分利用，晶圓產出比之前下降了15%；美光計劃重新利用部分未充分利用的NAND設備，以支持資本效率向先進節點轉換。該策略將導致2025財年末的NAND晶圓產能較2024財年末結構性減少10%以上。未來，美光將繼續審慎管理NAND供應，包括其資本投資規模、新技術節點推進速度、晶圓廠產能和利用率，確保與需求增長保持一致。

美光預計第三財季（2025年3月-5月）DRAM和NAND bit出貨量將均實現正增長。預計2025財年第三財季營收將達86-90億美元，將創下季度收入記錄；毛利率落在35.5% -37.5%之間。