導語：
AI時代的浪潮席卷全球，存儲行業正在發生結構性巨變。老牌霸主三星電子，在HBM、DRAM和NAND等核心戰場上，正面對來自SK海力士、美光和中國新興勢力的多方圍攻。隨著HBM失利、市場份額下滑、客戶流失，三星不得不啟動危機預案，并與多家韓國商業銀行簽署了高達72.7億美元的信貸額度協議。在這場沒有硝煙的芯片戰爭中，三星如何找回曾經的領先地位？

01｜HBM落后，三星的“高端焦慮”

據韓國媒體最新報道，三星電子近日已啟動“危機預案”，并與韓國多家主流銀行達成72.7億美元的綜合信貸協議。這一舉動背后，揭示出這家全球科技巨頭正承受巨大戰略壓力。

當前，三星在AI爆發所催生的高帶寬存儲器（HBM）市場中節節敗退。SK海力士憑借領先的TSV（硅通孔）工藝，已率先實現HBM3E的大規模出貨，并自2024年3月起批量供貨給AI芯片巨頭NVIDIA。據Counterpoint Research 2025年Q1報告顯示，SK海力士首次在DRAM營收上反超三星，市占率達36%，而三星則因產品滯后和客戶流失被迫讓出“全球第一”的寶座。

盡管三星早在2015年就啟動HBM開發，但由于產品良率問題，其HBM3E產品尚未通過NVIDIA測試。同時，美光的HBM3E已打入NVIDIA供應鏈，使三星的領先優勢進一步縮小。

為了扭轉局勢，三星正在加速押注下一代HBM4，并計劃在HBM中引入自家先進邏輯芯片與代工技術，實現系統級性能優化和客戶定制化方案。與此同時，三星已將部分芯片代工人力調往HBM業務線，顯示出將“生死系于HBM4”的戰略決心。

02｜新對手崛起：中國存儲正縮小技術差距

不僅老對手變強，新對手也迅速崛起。摩根士丹利最新報告指出，中國頭部存儲廠商與國際巨頭在HBM技術上的差距已縮小至3-4年。部分中國企業已研發出16Gb DDR5芯片，采用16nm節點、G4代際，芯片尺寸比18nm G3 DRAM縮小約20%。

根據TrendForce數據，中國DRAM廠商預計在2025年底前將DDR5/LPDDR5月產能提升至11萬片，占全球約6%的市場份額。與此同時，部分中國廠商也已開始布局HBM及下一代封裝工藝，包括關鍵的Hybrid Bonding技術。

值得注意的是，在Hybrid Bonding技術的專利儲備方面，中國企業已顯露優勢。2017年至2024年間，中國頭部企業披露相關專利119項，遠超三星的83項和SK海力士的11項。這項技術可支持超16層堆疊，有望在HBM4時代搶占先機。

03｜DRAM危機顯現，NAND承壓，三星被迫“重塑供應鏈”

在傳統DRAM市場，三星也面臨嚴重挑戰。一方面，低價競爭者不斷涌現，另一方面，AI算力革命正推動DRAM需求向高端轉移。

為提升產品結構，三星正逐步關閉部分低端產品線。據悉，三星已通知客戶部分DDR4和LPDDR4產品即將停產，最遲在2025年上半年終止訂單。與此同時，中國企業卻在主打DDR4方向急劇擴產：某頭部企業計劃2025年將DRAM產量提升至273萬片，增幅高達68%，幾乎趕超美光。

在NAND領域，三星仍為全球第一，但營收已大幅縮水。2025年第一季度，因Enterprise SSD需求下滑，三星NAND營收環比減少25%，降至42億美元。隨著市場競爭加劇，三星已決定逐步停產MLC NAND，并于6月接受最后訂單，開始推動客戶轉向新一代閃存產品。

04｜降本增效，三星的“破局”嘗試

面臨多線壓力，三星正在嘗試從多角度自救。此次與韓國KB國民銀行、韓國產業銀行等簽署的72.7億美元信貸協議，旨在提升財務靈活性、降低融資成本。該協議采用“韓元計價綜合信貸額度”模式，類似企業級透支機制，可在3%-4%的利率下隨時提取資金。

此外，三星還正尋求外部合作突破瓶頸。最新消息顯示，三星將委托長期競爭對手臺積電代工其HBM4的核心邏輯芯片。這一罕見舉動顯示，三星已不再死守封閉生態，而是愿意通過合作共享技術紅利、提升產品良率，以應對行業轉型。

在制造端，三星也已在平澤P4工廠量產1c DRAM，并計劃擴產至每月4萬片晶圓，同時將華城17號線由傳統1z DRAM轉為1c DRAM生產。此舉表明三星正逐步拋棄低效產能，集中火力突破高端市場。

結語：時代給每個人考題，三星的答案會是什么？

在全球芯片版圖重繪的關鍵時刻，三星電子面臨前所未有的挑戰：HBM落后、客戶流失、價格戰沖擊、新勢力崛起。然而，每一次劇烈轉型的背后，都是一次重新定義自我的機會。

對三星來說，現在不是守成者的時代，而是破局者的時刻。72.7億美元信貸只是冰山一角，真正決定未來的，是能否找回技術自信和市場敏感度。

當SK海力士、美光、中國廠商正在將AI時代的“存儲新秩序”寫入歷史，三星能否在下一站，重新登上行業之巔？