本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

聯發科成為小米15S Pro最大的芯片供應商。

近日調研機構Counterpoint Research對小米15S Pro主芯片玄戒O1 AP/SoC進行了剖析，其采用多路專用供電設計，擁有旗艦級性能表現。

小米15S Pro 核心芯片供應商

在應用處理器這一核心領域，小米自研的XRING O1芯片占據了主導地位，搭配SK海力士的LPDDR5T DRAM內存。存儲方面則采用了美光的UFS 4.1 NAND Flash，確保了數據傳輸的高速與穩定。

在射頻通信組件方面，聯發科貢獻了多個關鍵部件，包括T800 MT6980W基帶、MT6639BEW Wi-Fi/藍牙模塊及MT6195W射頻收發器，這些組件共同確保了手機通信的順暢與高效。NXP的NFC和UWB模塊為小米15S Pro增添了豐富的近場通信功能。

音頻體驗方面，小米15S Pro采用了Cirrus Logic的高品質音頻編解碼器和功率放大器，為用戶帶來了卓越的聽覺享受。

傳感器模塊則由意法半導體提供，包括陀螺儀、加速度計等關鍵傳感元件，這些傳感器為手機提供了豐富的感知能力，提升了用戶體驗。

電源管理方面，小米采取了雙重策略，既采用了聯發科的通用電源管理IC，又自研了XRING XP2210C電源管理芯片，以進一步優化電源效率。充電技術方面，小米自研的Surge P3有線充電IC、Novolta無線充電IC，以及南芯的充電管理芯片共同構建了全面而高效的充電解決方案。

而玄戒O1旗艦處理器采用第三代3nm工藝制程，內置十核四叢集CPU，雙超大核Cortex-X925核心，最高主頻為3.9GHz，并內置Immortalis-G925 16核CPU，搭載第四代圖像處理器，內置6核NPU，晶體管數量達190億，安兔兔跑分3,004,137分，性能躋身第一梯隊。

在玄戒O1處理器背面焊接了4顆硅電容和5顆陶瓷電容，用于抑制電源噪聲。玄戒O1背面焊接的硅電容來自Empower Semiconductor安普沃爾半導體，型號EC1004B，電容尺寸僅為0.64*0.5mm，超薄厚度為75μm，電容容量為230nF，支持-40~125℃工作溫度。該硅電容的容值在不同的工作電壓和溫度下都能保持不變，且ESL低至6.5pH，諧振頻率高達300MHz，非常適合封裝集成，基板埋嵌，為基于先進工藝的高性能SOC芯片供電濾波。

Empower Semiconductor安普沃爾半導體 EC1004B 硅電容特寫，焊盤打膠填充密封。硅電容超薄的設計，可以焊接在處理器背面，焊球之間，自身的超低的等效電阻和等效電感，可將目標頻段的電源噪聲降低50%，提高處理器的穩定性，使其在更高的頻率運行下，獲得更加流暢的使用體驗，充分發揮性能。據了解，玄戒O1是國內首家，在手機處理器芯片上使用硅電容的廠商。

從供應商構成來看，聯發科作為最大的芯片供應商，在通信、射頻等核心領域提供了多達4個關鍵組件，比如提供了基帶模塊T800 MT6980W、WiFi/藍牙模塊是MT66398BEW、射頻收發器MT6195W和電源管理芯片。

中國大陸供應商方面，小米15S Pro的5G發射端全套采用了唯捷創芯的射頻前端解決方案，包括支持Sub-3GHz和Sub-6GHz頻段的集成模組及構架NSA的分離放大器和開關，共計6顆物料；南芯半導體提供小米15S Pro的次級及有線充電相關芯片；伏達半導體提供無線充電芯片解決方案。

按照Counterpoint Research的說法，小米 15S Pro不僅在性能架構上實現“自研+全球化”兼容，更通過對關鍵芯片的深度整合，提升了產品一致性與核心競爭力。

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