目前大規模的芯片制造，均是光刻方案，即用光刻機將芯片設計圖光刻至硅晶圓上，再利用沉積和刻蝕等工藝，去掉多余的部分，將這些設計圖固定在晶圓上，形成電路圖案。

在這個過程之中，光刻機是最重要的，其它設備雖然也重要，但相對遜色一籌。

所以全球唯一能夠制造EUV光刻機的ASML，在全球才會如此重要，被稱之為芯片發展的“引擎”。

不過，隨著芯片工藝進入2nm，情況又不一樣了，光刻的重要性下降，而刻蝕的重要性上來了，未來制造芯片，更依賴于高精的刻蝕機，而不是EUV光刻機了。

為何這么說？目前已知道的2nm芯片，均會采用GAAFET晶體管技術，不管是intel，還是臺積電，或者是三星，進入2nm芯片時，均是GAAFET技術，而不是之前的FinFET晶體管技術了。

而在GAAFET之后，則會是CFET晶體管技術，再之后的技術路線，則暫時不清楚。

GAAFET晶體管技術，叫做環繞柵極場效應晶體管，它的方案是將柵極包裹在晶體管周圍，晶體管組并聯放置.

CFET晶體管技術叫做互補場效應晶體管，是將晶體管組堆疊在一起，從而節省晶圓上的空間。

這兩種技術的設計，與之前的FinFET不一樣，其結構更立體，是從四面八方“包裹”柵極，所以當光刻機將電路圖刻錄在晶圓上后，如何去掉晶圓上多余的材料至關重要，因為這種“包裹”柵極式的方案，對刻蝕的工藝要求更高。

對于晶圓廠而言，到時候不是如何去讓光刻機記錄精度更小，而是如何通過刻蝕去掉那些必要的多余部分，這個精度要求會更高。

所以當芯片進入2nm時，也許刻蝕機可能會比EUV光刻機更重要了，因為EUV光刻機的精度提升并沒有刻蝕機的精度提升那么關鍵了。

而這對于國產芯片產業而言，肯定是好消息了，為何這么說，我們知道我們在EUV光刻機上，確實離ASML較遠，短時間之內也追不上，但在刻蝕機領域，我們是處于全球頂尖水平的，這是最大的優勢。

中微半導體的刻蝕機，早就進入了臺積電的供應鏈，不輸給美國的任何廠商，精度也早就進入了3nm，并且是實現了真正的自主可控，核心部件全部是100%國產的，所以如果到時候2nm芯片制造中，刻蝕機更重要，當然中國芯片設備的機會就來了。