ICEPT 2025 August 5-7th Shanghai

26th International Conference on Electronic

Packaging Technology

「世界」在此聚會(huì)

第26屆電子封裝技術(shù)國(guó)際會(huì)議

2025年8月05-07日 上 海

嘉定區(qū)喜來(lái)登酒店

國(guó)際化視野：全球頂尖專(zhuān)家齊聚

專(zhuān)業(yè)化討論：前沿技術(shù)全面覆蓋

創(chuàng)新與合作的交流平臺(tái)

匯聚創(chuàng)新力量，激發(fā)無(wú)限可能

專(zhuān)業(yè)培訓(xùn)課程-議程 8月5日

課程1：《算力芯片的先進(jìn)封裝技術(shù)》

講師：于大全 博士

廈門(mén)云天半導(dǎo)體科技有限公司 創(chuàng)始人、廈門(mén)大學(xué) 特聘教授

課程概要：1. AI 驅(qū)動(dòng)算力芯片快速發(fā)展 2. 算力芯片的先進(jìn)封裝需求 ? 算力芯片的先進(jìn)封裝發(fā)展 1) 硅通孔中介層封裝技術(shù) 2) 有機(jī)中介層封裝技術(shù) 3) 基于橋連封裝技術(shù) 4) 玻璃中介層與玻璃基板技術(shù) 5) 光電合封技術(shù) 6) 高性能散熱技術(shù) 3. 算力芯片的先進(jìn)封裝發(fā)展趨勢(shì)與挑戰(zhàn) 4. 總結(jié)。

講師簡(jiǎn)介：2004年就讀于大連理工大學(xué)，獲工學(xué)博士學(xué)位。曾在香港城市大學(xué)、德國(guó)弗勞恩霍夫可靠性和微集成研究所、新加坡微電子所等國(guó)際知名研究機(jī)構(gòu)開(kāi)展研究工作；2010—2015年擔(dān)任中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員；2014—2019年擔(dān)任天水華天科技股份有限公司封裝技術(shù)研究院院長(zhǎng)。2019年擔(dān)任云天半導(dǎo)體董事長(zhǎng)、廈門(mén)大學(xué)特聘教授。 擔(dān)任國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)02專(zhuān)項(xiàng)總體組特聘專(zhuān)家，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)MEMS分會(huì)副理事長(zhǎng)，全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)委員，IEEE高級(jí)會(huì)員。先后入選中科院“百人計(jì)劃”、廈門(mén)市和福建省“百人計(jì)劃”等人才。主持多個(gè)國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)02專(zhuān)項(xiàng)、課題，發(fā)表學(xué)術(shù)論文200余篇，授權(quán)國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利70多項(xiàng)，榮獲2020年國(guó)家科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)。

課程2：《無(wú)鉛焊點(diǎn)的性能和可靠性》

講師：Jeffrey C. Suhling 教授

國(guó)際電氣電子工程師協(xié)會(huì) 封裝分會(huì)當(dāng)選主席、奧本大學(xué)教授、ASME Fellow

課程概要：本課程將全面介紹用于電子組裝與封裝中無(wú)鉛焊料材料機(jī)械行為與可靠性分析的實(shí)驗(yàn)表征與建模方法。課程重點(diǎn)在于將相關(guān)內(nèi)容應(yīng)用于實(shí)際半導(dǎo)體封裝工程實(shí)踐，并結(jié)合來(lái)自汽車(chē)、航空航天及計(jì)算機(jī)行業(yè)的多個(gè)案例分析。主要內(nèi)容包括：焊料的成分與微觀結(jié)構(gòu)、機(jī)械性能表征方法、無(wú)鉛焊料的實(shí)驗(yàn)應(yīng)力-應(yīng)變與蠕變測(cè)試數(shù)據(jù)、材料性能、各類(lèi)本構(gòu)模型（彈性、塑性、蠕變、黏塑性）、單晶焊點(diǎn)的機(jī)械響應(yīng)及相關(guān)建模方法、循環(huán)應(yīng)力-應(yīng)變行為與疲勞規(guī)律、微觀結(jié)構(gòu)演化與老化效應(yīng)、各類(lèi)元器件的熱循環(huán)可靠性測(cè)試數(shù)據(jù)、循環(huán)載荷下的損傷積累，以及用于焊點(diǎn)可靠性分析的有限元建模方法。課程還將介紹多項(xiàng)最新進(jìn)展，包括低溫焊接和先進(jìn)封裝中的微凸點(diǎn)技術(shù)。詳細(xì)課程內(nèi)容見(jiàn)下方大綱。

1.電子封裝用焊料簡(jiǎn)介a.成分和微觀結(jié)構(gòu)b.錫鉛合金、SAC 合金、SAC+X 合金、錫鉍合金、錫銀合金等c.低溫焊料 (LTS) 和 SAC-LTS 混合焊料組件2.焊料機(jī)械行為的實(shí)驗(yàn)測(cè)試方法a.單軸和剪切力學(xué)測(cè)試（應(yīng)力-應(yīng)變、蠕變）b.納米壓痕測(cè)試和小焊點(diǎn)測(cè)試3.無(wú)鉛焊料機(jī)械行為（塊狀焊料）a.單軸和剪切應(yīng)力-應(yīng)變行為i.重要無(wú)鉛焊料的文獻(xiàn)數(shù)據(jù)ii.材料特性（模量、泊松比、屈服應(yīng)力、UTS）iii.經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ汀囟群退俾室蕾囆詁.蠕變行為i.重要無(wú)鉛焊料的文獻(xiàn)數(shù)據(jù)焊料ii. 材料特性（蠕變速率）iii. 經(jīng)驗(yàn)蠕變速率模型、應(yīng)力和溫度相關(guān)性c. 本構(gòu)模型。

講師簡(jiǎn)介：Jeffrey C. Suhling于1985年獲得威斯康星大學(xué)工程力學(xué)博士學(xué)位。隨后，他加入奧本大學(xué)機(jī)械工程系，目前擔(dān)任該系奎納杰出教授及系主任。 在擔(dān)任系主任之前，他曾擔(dān)任美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金會(huì)先進(jìn)汽車(chē)電子中心（CAVE）的主任。他的研究方向?yàn)殡娮臃庋b的力學(xué)、可靠性與材料科學(xué)，重點(diǎn)涉及應(yīng)力傳感器與測(cè)試芯片、材料表征與本構(gòu)建模、可靠性測(cè)試與建模。 Suhling博士在電子封裝領(lǐng)域發(fā)表了600余篇技術(shù)論文，谷歌學(xué)術(shù)引用超過(guò)14,000次，H指數(shù)為61，已指導(dǎo)奧本大學(xué)100余名研究生。他是ASME會(huì)士、IEEE高級(jí)會(huì)員。在ASME，Suhling博士曾任電子與電氣封裝分會(huì)（EPPD）執(zhí)行委員會(huì)委員（1998-2003），2003年任分會(huì)主席，并擔(dān)任InterPACK’07會(huì)議項(xiàng)目主席、InterPACK’09大會(huì)主席，2014-2019年任ASME《電子封裝雜志》副主編，2009年獲EPPD工程力學(xué)研究獎(jiǎng)。在IEEE，Suhling博士30年來(lái)一直活躍于電子封裝學(xué)會(huì)（EPS），自2003年起擔(dān)任ECTC項(xiàng)目委員會(huì)（應(yīng)用可靠性）成員，自2007年起任ECTC專(zhuān)業(yè)發(fā)展課程委員會(huì)聯(lián)合主席，曾任EPS理事會(huì)成員（2014-2016）、會(huì)員服務(wù)總監(jiān)（2016-2018）、教育副主席（2019-2022）、財(cái)務(wù)副主席（2023-2024），2025年將任候任主席。Suhling博士還擔(dān)任過(guò)ITherm 2018年會(huì)項(xiàng)目主席和2019年會(huì)大會(huì)主席，2024年獲EPS William Chen杰出服務(wù)獎(jiǎng)。

課程3：《微電子封裝斷裂與分層分析》

講師：Andrew Tay 教授

新加坡國(guó)立大學(xué) 教授、IEEE Fellow

課程概要：斷裂與分層是影響微電子封裝可靠性的兩種最常見(jiàn)且長(zhǎng)期存在的問(wèn)題。本課程的主要目標(biāo)是幫助學(xué)員系統(tǒng)理解斷裂力學(xué)方法在微電子封裝中預(yù)測(cè)斷裂和分層的原理，并掌握相關(guān)驗(yàn)證技術(shù)。課程將詳細(xì)介紹并分析爆米花裂紋失效的機(jī)理，講解封裝可靠性認(rèn)證和回流焊過(guò)程中熱傳導(dǎo)與濕氣擴(kuò)散的仿真方法。內(nèi)容還包括界面斷裂力學(xué)的基礎(chǔ)知識(shí)，以及一些斷裂力學(xué)參數(shù)數(shù)值計(jì)算方法的介紹。課程還將講解用于預(yù)測(cè)封裝分層的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證方法，并結(jié)合實(shí)際案例分析。

1. 材料的力學(xué)性能與失效2. 微電子封裝中的濕熱應(yīng)力3. 有限元分析與應(yīng)力奇異性4. 斷裂力學(xué)方法論基礎(chǔ)5. 斷裂力學(xué)參數(shù)的確定6. 斷裂韌性的測(cè)量7. 斷裂力學(xué)方法論的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證8. 微電子封裝分層失效的案例研究9. 分層失效的內(nèi)聚力模型及案例研究。

講師簡(jiǎn)介Andrew Tay博士現(xiàn)任新加坡國(guó)立大學(xué)（NUS）電氣與計(jì)算機(jī)工程系客座教授，同時(shí)擔(dān)任新加坡國(guó)立大學(xué)混合集成新一代微電子中心（SHINE）的訪問(wèn)學(xué)者。在此之前，他曾任NUS機(jī)械工程系教授。他于澳大利亞新南威爾士大學(xué)獲得機(jī)械工程學(xué)士學(xué)位（一等榮譽(yù)及校長(zhǎng)獎(jiǎng)?wù)拢┖筒┦繉W(xué)位。

他的研究方向包括電子封裝（熱-機(jī)械失效、分層、濕氣影響、焊點(diǎn)可靠性）、電子系統(tǒng)與電動(dòng)汽車(chē)電池的熱管理、紅外與熱反射測(cè)溫技術(shù)、太陽(yáng)能光伏可靠性以及斷裂力學(xué)。

目前，他是IEEE電子封裝學(xué)會(huì)（EPS）理事會(huì)成員、EPS分會(huì)項(xiàng)目總監(jiān)及EPS杰出講師。他曾任1997年首屆電子封裝技術(shù)會(huì)議（EPTC）大會(huì)主席，并現(xiàn)任EPTC理事會(huì)主席。他曾榮獲2019年IEEE EPS David Feldman杰出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)、2012年IEEE CPMT卓越技術(shù)成就獎(jiǎng)和2012年IEEE CPMT區(qū)域貢獻(xiàn)獎(jiǎng)。因其在工程力學(xué)在電子和/或光電子封裝領(lǐng)域的杰出應(yīng)用，于2004年獲得ASME EPPD工程力學(xué)獎(jiǎng)，并于2000年獲得IEEE第三千禧年獎(jiǎng)?wù)隆Ｋ茿SME會(huì)士及IEEE終身會(huì)士。

課程4：《異構(gòu)集成封裝與基板的MEOL設(shè)計(jì)與工藝考量》

講師：Gu-Sung Kim 教授

韓國(guó)江南大學(xué) 教授

課程概要：異構(gòu)集成是一項(xiàng)劃時(shí)代的新技術(shù)，通過(guò)整合分別制造的不同器件，實(shí)現(xiàn)更高層次的封裝和整體功能的提升。本課程將圍繞“什么是半導(dǎo)體中道工藝及相關(guān)技術(shù)”進(jìn)行講解，從ITRS最后一版提到的組裝技術(shù)出發(fā)，結(jié)合IEEE EPS HIR中的異構(gòu)集成技術(shù)，串聯(lián)‘超越摩爾’到‘系統(tǒng)摩爾’的演進(jìn)路徑。同時(shí)，還將介紹半導(dǎo)體封裝、硅中介層及基板在電學(xué)、機(jī)械和熱學(xué)仿真等耦合協(xié)同設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵概念與考慮要點(diǎn)。本報(bào)告對(duì)希望輕松理解眾多半導(dǎo)體技術(shù)與術(shù)語(yǔ)的聽(tīng)眾，以及希望深入了解異構(gòu)集成系統(tǒng)、Chiplet、HBM及中介層所需的中道工藝以及精細(xì)線路基板工藝和設(shè)計(jì)的工程師，都將具有很高的參考價(jià)值。

講師簡(jiǎn)介：Gu-Sung Kim目前是韓國(guó)江南大學(xué)的教職人員，同時(shí)也是電子封裝研究中心（EPRC）的創(chuàng)始人。他在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的研發(fā)工作已有35年的經(jīng)驗(yàn)。在進(jìn)入學(xué)術(shù)和研究崗位之前，金博士曾在三星電子存儲(chǔ)事業(yè)部擔(dān)任3D IC/TSV/WLP項(xiàng)目負(fù)責(zé)人長(zhǎng)達(dá)17年。作為3D IC、TSV和中介層領(lǐng)域的發(fā)明人，他在韓國(guó)和美國(guó)共擁有130余項(xiàng)相關(guān)專(zhuān)利。他出版了兩本半導(dǎo)體封裝手冊(cè)，并以主講人身份發(fā)表過(guò)250余場(chǎng)演講和報(bào)告。金博士曾多次獲得韓國(guó)政府、學(xué)會(huì)、三星、韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（KSIA）、SEMI以及Alfred Marquis終身成就獎(jiǎng)等多項(xiàng)榮譽(yù)。

金博士于美國(guó)紐約州特洛伊市倫斯勒理工學(xué)院（Rensselaer Polytechnic Institute）獲得材料工程博士學(xué)位，并于韓國(guó)首爾延世大學(xué)（Yonsei University）獲得陶瓷工程學(xué)士學(xué)位。

目前，他擔(dān)任IEEE電子封裝學(xué)會(huì)（EPS）前理事會(huì)成員（BoG）、IEEE EPS韓國(guó)理事會(huì)（EP21, www.ieee-epskorea.org）主席、韓國(guó)半導(dǎo)體顯示技術(shù)學(xué)會(huì)（KSDT）副主席、EPRC副主席、韓國(guó)微電子與封裝學(xué)會(huì)（KMEPS）技術(shù)總監(jiān)。同時(shí)，他還是Electro-PackageMission Society（www.epcross.org）理事會(huì)主席、韓國(guó)產(chǎn)業(yè)技術(shù)保安院技術(shù)委員會(huì)委員、SEMI STS及Semiconductor Korea Symposium技術(shù)委員會(huì)成員。

課程5：《用于小芯片和異構(gòu)集成的先進(jìn)基板》

講師：劉漢誠(chéng) 博士

中國(guó)臺(tái)灣欣興電子股份有限公司 科學(xué)家、IEEE Fellow

課程概要：目前，由AI（人工智能）驅(qū)動(dòng)的高性能計(jì)算（HPC）所用的大多數(shù)封裝基板，主要采用2.5D IC集成技術(shù)。通常情況下，對(duì)于2.5D或CoWoS（chip on wafer on substrate）封裝，系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）和高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）通過(guò)TSV中介層（TSV-interposer）連接，再通過(guò)焊球和底部填充（underfill）安裝在疊層封裝基板上。然而，隨著TSV中介層尺寸的不斷增大，其制造良率損失問(wèn)題日益嚴(yán)重，已難以承受。NVIDIA、AMD、英特爾、SK海力士、三星、美光、臺(tái)積電等行業(yè)主要企業(yè)正積極努力，試圖消除TSV中介層，將HBM直接堆疊在SoC之上（即3.3D IC集成）。部分芯粒在前端集成（封裝前異構(gòu)集成）還可以實(shí)現(xiàn)更小的封裝尺寸和更優(yōu)的性能（即3.5D IC集成）。

過(guò)去幾年，2.3D IC集成或CoWoS-R技術(shù)也獲得了廣泛關(guān)注。其主要目標(biāo)是用扇出型精細(xì)金屬線寬/線距（L/S）重布線層（RDL）基板（或有機(jī)中介層）取代TSV中介層。一般而言，2.3D的封裝基板結(jié)構(gòu)（混合基板）包括疊層封裝基板、帶底部填充的焊點(diǎn)以及有機(jī)中介層。目前，2.3D技術(shù)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。近期，臺(tái)積電發(fā)表了兩篇論文，介紹用LSI（局部硅互連，即硅橋）取代大尺寸TSV中介層，并將LSI嵌入扇出型RDL基板中的方法，臺(tái)積電稱之為CoWoS-L。

另外，自從英特爾宣布將在2030年前推出一萬(wàn)億晶體管芯片，并采用玻璃核心基板后，玻璃核心基板成為業(yè)界熱點(diǎn)話題。隨著英特爾和博通的CPO（共封裝光學(xué)）產(chǎn)品出貨量的增加，CPO也受到廣泛關(guān)注。

本講座將介紹并探討3.5D IC集成、3.3D IC集成、3D IC集成、2.5D IC集成、2.3D IC集成、2.1D IC集成、2D IC集成、扇出型RDL、嵌入式硅橋、CoWoS-R、CoWoS-L、CPO以及玻璃核心基板等在AI驅(qū)動(dòng)的高性能計(jì)算中的最新進(jìn)展和發(fā)展趨勢(shì)，并提出相關(guān)建議。

課程大綱：

引言

基板定義

面向Chiplet和異構(gòu)集成的基板

2D IC集成

2.1D IC集成

2.3D IC集成

2.5D IC集成

3D IC集成

3.3D IC集成

3.5D IC集成

嵌入于疊層基板中的橋接結(jié)構(gòu)

嵌入于帶有RDL的扇出型EMC中的橋接結(jié)構(gòu)

玻璃核心疊層基板與TGV中介層

CPO基板

總結(jié)與建議

講師簡(jiǎn)介：劉漢城在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域擁有40余年研發(fā)和制造經(jīng)驗(yàn)，已發(fā)表超過(guò)535篇經(jīng)同行評(píng)審的論文（其中385篇為第一作者），擁有52項(xiàng)已授權(quán)及申請(qǐng)中的美國(guó)專(zhuān)利（其中31項(xiàng)為第一發(fā)明人），并出版了24本專(zhuān)著。John是IEEE會(huì)士、IMAPS會(huì)士和ASME會(huì)士，并長(zhǎng)期積極參與產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界及行業(yè)協(xié)會(huì)的各類(lèi)會(huì)議，以貢獻(xiàn)力量、學(xué)習(xí)交流和經(jīng)驗(yàn)分享。

課程6：《MEMS封裝及其先進(jìn)應(yīng)用》

講師：田中秀治 教授

日本東北大學(xué) 教授、IEEE Fellow

課程概要：本講座概述了MEMS、聲波濾波器及相關(guān)器件的封裝技術(shù)。封裝通常分為兩個(gè)層級(jí)：（1）晶圓級(jí)封裝和（2）塑封。

晶圓級(jí)封裝是在晶圓上直接對(duì)器件進(jìn)行封裝，采用晶圓鍵合、薄膜沉積等工藝。該過(guò)程通常可以實(shí)現(xiàn)器件的氣密封裝，有時(shí)甚至可達(dá)到真空封裝。器件與外部的電連接通過(guò)側(cè)向通孔或貫穿孔（vias）實(shí)現(xiàn)。講座將介紹晶圓級(jí)封裝的歷史與現(xiàn)代方法，并講解晶圓鍵合、電連接通道及氣密性評(píng)估等關(guān)鍵技術(shù)。

在晶圓級(jí)封裝之后，第二層級(jí)的封裝為塑封工藝，包括晶圓切割、芯片貼裝、引線鍵合、塑封及最終切割等流程。對(duì)于高頻器件，倒裝芯片鍵合（flip-chip bonding）逐漸替代了芯片貼裝和引線鍵合。講座將逐步介紹每一道工序，并探討第二層級(jí)封裝中遇到的問(wèn)題。

最后，講座還將把這些傳統(tǒng)封裝方法與AI半導(dǎo)體中正在興起的先進(jìn)封裝技術(shù)進(jìn)行關(guān)聯(lián)。內(nèi)容以實(shí)際應(yīng)用為出發(fā)點(diǎn)進(jìn)行講解。

課程大綱：

封裝的目的與概要

各類(lèi)晶圓級(jí)封裝方法

晶圓鍵合

電連接通道

氣密性測(cè)試

第二層級(jí)封裝方法

晶圓切割

芯片貼裝、引線鍵合與倒裝芯片鍵合

塑封

先進(jìn)封裝技術(shù)

講師簡(jiǎn)介：田中秀治（Shuji Tanaka）分別于1994年、1996年和1999年在東京大學(xué)獲得機(jī)械工程學(xué)士、碩士和博士學(xué)位。1999年起在東北大學(xué)機(jī)電與精密工程系任助理研究員，隨后擔(dān)任助理教授至2003年，后在納米力學(xué)系任副教授至2013年。目前，他是東北大學(xué)機(jī)器人與微系統(tǒng)集成中心教授。此外，曾于2004至2006年擔(dān)任日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)（JST）研究開(kāi)發(fā)戰(zhàn)略中心研究員，2006至2018年為特聘研究員。

他在多個(gè)國(guó)際會(huì)議中擔(dān)任重要職務(wù)，包括IEEE NEMS 2016大會(huì)主席、IEEE MEMS 2022大會(huì)聯(lián)合主席、Transducers 2023執(zhí)行主席，以及自2019年起連續(xù)擔(dān)任MEMS工程師論壇大會(huì)主席。此外，他還是日本機(jī)械工程師學(xué)會(huì)（JSME）微納科學(xué)技術(shù)分會(huì)主席和IEEE超聲、鐵電與頻率控制學(xué)會(huì)（UFFC-S）管理委員會(huì)成員。因其持續(xù)的學(xué)術(shù)貢獻(xiàn)，田中修治被授予IEEE Fellow及JSME Fellow榮譽(yù)稱號(hào)。

田中秀治的研究興趣涵蓋MEMS、聲波器件、晶圓級(jí)封裝與集成、壓電器件及材料等多個(gè)領(lǐng)域。

課程7：《先進(jìn)封裝技術(shù)的創(chuàng)新》

講師：葛維滬 博士

美國(guó)Pacrim 技術(shù)公司 創(chuàng)始人、IEEE Fellow

課程概要：隨著半導(dǎo)體制程節(jié)點(diǎn)逐漸逼近極限，過(guò)去十年間先進(jìn)IC封裝技術(shù)發(fā)展迅速。“超越摩爾（More than Moore）”的解決方案對(duì)2.5D和3D等高復(fù)雜度封裝的設(shè)計(jì)、材料、互連與制造提出了巨大創(chuàng)新需求。中國(guó)正在積極建設(shè)龐大的后端組裝與測(cè)試產(chǎn)業(yè)，為成為世界領(lǐng)先者，還需要更多新思路和創(chuàng)新。

本課程將回顧并探討近期封裝領(lǐng)域的創(chuàng)新，以激發(fā)工程師和科學(xué)家的靈感，推動(dòng)HPC、5G、AI及汽車(chē)等異構(gòu)集成封裝的設(shè)計(jì)與制造不斷進(jìn)步。

課程范圍和大綱將涵蓋如下技術(shù)在設(shè)計(jì)、材料與工藝方面的創(chuàng)新：

基于載板的2.5D中介層技術(shù)：CoWoS、CoPoS、CoGoS、CoG等

3D IC集成與HBM（高帶寬存儲(chǔ)）技術(shù)

3.5D封裝方案

扇出型大尺寸封裝工藝（FOPLP）、扇出型玻璃基板工藝（FO glass panel process）

嵌入式橋接互連技術(shù)

玻璃芯片封裝（Chip in Glass, CiG）、系統(tǒng)級(jí)模塊（SiM）

高頻密度互連（HDI）疊層與重布線材料（RDL）- ABF

講師簡(jiǎn)介：葛維滬博士在Henkel、摩托羅拉等公司從事IC封裝與微電子封裝技術(shù)工作已有40年。他是IEEE會(huì)士，擁有100余篇發(fā)表論文和40項(xiàng)專(zhuān)利，并于康奈爾大學(xué)獲得博士學(xué)位。

課程8：《量子力學(xué)與分子動(dòng)力學(xué)及在電子制造中應(yīng)用》

講師：劉 勝 教授

中國(guó)科學(xué)院 院士、武漢大學(xué) 工業(yè)科學(xué)研究院執(zhí)行院長(zhǎng)、IEEE Fellow

講師：郭宇錚 教授

武漢大學(xué) 動(dòng)力與機(jī)械學(xué)院副院長(zhǎng)

講師簡(jiǎn)介：劉勝，武漢大學(xué)教授，斯坦福大學(xué)博士，ASME Fellow和IEEE Fellow，微納制造領(lǐng)域?qū)＜遥瑖?guó)內(nèi)芯片封裝技術(shù)的引領(lǐng)者，2023年當(dāng)選中國(guó)科學(xué)院院士。劉勝院士在微納制造科學(xué)與工程技術(shù)方面（涉及集成電路、發(fā)光二極管LED、微傳感器及電力電子IGBT 等芯片封裝）取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。以第一完成人獲2020年國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)、2016年國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)、2015年教育部技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)、2018年電子學(xué)會(huì)技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)、2009年IEEE國(guó)際電子封裝學(xué)會(huì)杰出技術(shù)成就獎(jiǎng)（全球每年1人，國(guó)內(nèi)首人）、2009年中國(guó)電子學(xué)會(huì)特別成就獎(jiǎng)、1997年國(guó)際微電子及封裝學(xué)會(huì)（IMAPS）技術(shù)貢獻(xiàn)獎(jiǎng)、1995年美國(guó)總統(tǒng)教授獎(jiǎng)（當(dāng)年30人），1999年入選首批國(guó)家杰青（海外）項(xiàng)目（當(dāng)年僅7人）。發(fā)表SCI 論文424篇、SCI他引6600余次，出版專(zhuān)著6部（英文4部），授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利196件。

郭宇錚，武漢大學(xué)動(dòng)力與機(jī)械學(xué)院副院長(zhǎng)，工業(yè)科學(xué)研究院、電氣與自動(dòng)化學(xué)院、中南醫(yī)院教授，儲(chǔ)能與新能源系系主任。本科畢業(yè)于北京大學(xué)物理學(xué)院，碩士畢業(yè)于美國(guó)佐治亞理工學(xué)院材料科學(xué)與技術(shù)系，博士畢業(yè)于英國(guó)劍橋大學(xué)工程系（導(dǎo)師英國(guó)皇家科學(xué)院與工程院雙院院士John Robertson教授），曾先后在劍橋大學(xué)、哈佛大學(xué)擔(dān)任研究員。致力于微納制造、半導(dǎo)體器件與器件協(xié)同設(shè)計(jì)、儲(chǔ)能材料與器件等方面的研究，發(fā)表SCI檢索200論文余篇，包括Nature、Nature Communications、Science Advances等國(guó)際一流刊物，所發(fā)表的論文被引用8000余次。主持中組部、科技部、國(guó)家自然科學(xué)基金委重點(diǎn)項(xiàng)目、南方電網(wǎng)、國(guó)家電網(wǎng)等多項(xiàng)基金，總金額達(dá)2000余萬(wàn)元。

課程9：《用于電子封裝的納米材料與高分子復(fù)合材料》

講師：呂道強(qiáng) 博士

漢高公司副總裁、IEEE Fellow

課程概要：納米材料與聚合物復(fù)合材料作為粘合劑、封裝材料、熱界面材料、絕緣體、電介質(zhì)以及互連導(dǎo)電元件，在電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。本短期課程將概述納米材料與復(fù)合材料的最新進(jìn)展，及其對(duì)先進(jìn)電子封裝與集成技術(shù)的影響。

講師簡(jiǎn)介：呂道強(qiáng)博士在先進(jìn)半導(dǎo)體封裝與集成材料和工藝方面擁有超過(guò)25年的經(jīng)驗(yàn)。他分別于1996年和2000年在佐治亞理工學(xué)院獲得高分子科學(xué)與工程碩士和博士學(xué)位。呂博士獲得了許多獎(jiǎng)項(xiàng)，包括2017年IEEE EPS電子制造技術(shù)獎(jiǎng)、2004年IEEE/EPS杰出青年工程師獎(jiǎng)、2007年IEEE ECTC最佳論文、2003-2007年英特爾申請(qǐng)最多專(zhuān)利。呂博士發(fā)表了50多篇期刊論文，為六本書(shū)撰寫(xiě)了章節(jié)，并擁有100多項(xiàng)授權(quán)美國(guó)和國(guó)際專(zhuān)利。他是《先進(jìn)封裝材料（2008年版和2017年版）》一書(shū)的編輯，也是《納米技術(shù)電子導(dǎo)電粘合劑（2009年）》一書(shū)的合著者。 他在組織國(guó)際電子封裝會(huì)議和在這些會(huì)議中教授專(zhuān)業(yè)發(fā)展課程方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。呂博士是IEEE Fellow，IEEE Transactions on Advanced Packaging和Journal of Nanomaterials的副主編，以及Nanoscience & Nanotechnology-Asia的編委。呂博士還擔(dān)任華中科技大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院、香港中文大學(xué)的兼職教授，以及復(fù)旦大學(xué)的工業(yè)顧問(wèn)。

課程10：《半導(dǎo)體封裝中的高可靠性焊接技術(shù)》

講師：李寧成 博士

中國(guó)炫純科技有限公司創(chuàng)始人、IEEE Fellow

課程概要：半導(dǎo)體焊接工藝要求極為精密，其可靠性直接決定器件性能。本課程深入解析半導(dǎo)體封裝焊接可靠性的核心控制參數(shù)，涵蓋多種材料組合下金屬間化合物(IMC)、空洞、電遷移、低溫/高溫焊接及電化學(xué)遷移等關(guān)鍵影響因素，系統(tǒng)闡述失效模式并提供優(yōu)選材料與設(shè)計(jì)方案。

課程大綱：
?金屬間化合物(IMC)
-銅焊盤(pán)晶粒尺寸對(duì)IMC的影響
-銅鎳相互作用機(jī)制
-基底金屬Co-P層對(duì)IMC的調(diào)控作用
?焊接空洞
-焊料形態(tài)對(duì)空洞的生成影響
-接頭高度/溫度/電學(xué)/力學(xué)因素對(duì)剪切強(qiáng)度、IMC及柯肯達(dá)爾空洞的作用
-銅結(jié)構(gòu)對(duì)柯肯達(dá)爾空洞的抑制效應(yīng)
?電化學(xué)遷移(ECM)
?電遷移(EM)
-電遷移與熱循環(huán)對(duì)裂紋形成的差異化影響
-背應(yīng)力對(duì)電遷移的調(diào)控
-晶粒取向與電遷移的關(guān)聯(lián)性
-再分布層(RDL)設(shè)計(jì)對(duì)電遷移的抑制
-低溫Sn-57Bi-1Ag焊料的電遷移特性
-低溫焊料合金成分的電遷移效應(yīng)
-低溫焊料表面處理的電遷移影響
?低溫焊接(LTS)
-富鉍晶須生長(zhǎng)機(jī)制
-低溫焊料的熱循環(huán)可靠性
-低溫焊料坍塌現(xiàn)象
-低溫焊料的沉積/熱撕裂/鉍分層行為
-均質(zhì)BiSn低溫焊料熱撕裂與工藝曲線/表面處理的關(guān)聯(lián)
-低溫焊料跌落測(cè)試
?高溫焊接-瞬態(tài)液相鍵合(TLPB)

目標(biāo)學(xué)員：
半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域需實(shí)現(xiàn)高可靠性焊接的研發(fā)/工藝/質(zhì)量工程師，以及希望掌握相關(guān)核心技術(shù)的專(zhuān)業(yè)人士。

講師簡(jiǎn)介：李寧成博士是炫純科技有限公司的創(chuàng)始人。在此之前，他于1986至2021年任職于銦泰公司（Indium），1982至1986年先后在莫頓化學(xué)（Morton Chemical）和SCM公司工作。他在SMT行業(yè)助焊劑與焊錫材料的研發(fā)領(lǐng)域擁有30余年的經(jīng)驗(yàn)。1981年獲得阿克倫大學(xué)高分子科學(xué)博士學(xué)位，1973年獲得國(guó)立臺(tái)灣大學(xué)化學(xué)學(xué)士學(xué)位。

詳細(xì)議程陸續(xù)公布中，敬請(qǐng)關(guān)注ICEPT電子封裝技術(shù)國(guó)際會(huì)議公眾號(hào)。

參會(huì)報(bào)名

主要參與單位： Attendees

國(guó)內(nèi)外企業(yè)：華為、海思、思科、英特爾、日月光、三星電子、恩智浦、紫光展銳、格羅方德、臺(tái)積電、中興微電子、博世、海光信息、中科曙光、寒武紀(jì)、匯頂、艾為、燦瑞科技、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、美光、中芯國(guó)際、京東方、株洲中車(chē)時(shí)代、愛(ài)發(fā)科、空氣化工、振華風(fēng)光、意發(fā)薄膜、華進(jìn)、深南電路、南瑞聯(lián)研、紫光國(guó)芯、德國(guó)默克、宜特檢測(cè)、長(zhǎng)電科技、通富微電、晶方科技、甬矽電子、沛頓、矽磐、佛智芯、天芯互聯(lián)、安世半導(dǎo)體、華大九天、中科芯、漢高、JSR、華天科技、晟碟、賀利氏、北方華創(chuàng)、EVG、愛(ài)發(fā)科、Besi、盛美等100多家電子封裝領(lǐng)域企業(yè)。

國(guó)際科研院所：荷蘭代爾夫特理工大學(xué)、美國(guó)喬治亞理工學(xué)院、美國(guó)馬里蘭大學(xué)、拉瑪爾大學(xué)、日本梅森大學(xué)、大阪大學(xué)、英國(guó)伯明翰大學(xué)、劍橋大學(xué)、東京大學(xué)、新加坡國(guó)立大學(xué)、首爾大學(xué)、印度理工大學(xué)、以色列理工學(xué)院、波特蘭州立大學(xué)、加州大學(xué)洛衫磯分校材料學(xué)院、德國(guó)應(yīng)用科學(xué)大學(xué)、瑞典皇家理工學(xué)院、英國(guó)拉夫堡大學(xué)、伊尼恩維奇大學(xué)等數(shù)十所國(guó)際名校；國(guó)際IEEE工程師協(xié)會(huì)、比利時(shí)微電子中心、美國(guó)卡羅拉多大學(xué)微/納米機(jī)電傳感器等納米科學(xué)與技術(shù)DARPA中心、德國(guó)弗朗霍夫研究所、國(guó)際微電子與封裝協(xié)會(huì)、Charles Smithgall研究所、CEA-Leti、美國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體路線圖 (ITRS)等數(shù)十家國(guó)際研究機(jī)構(gòu)。

國(guó)內(nèi)科研院所：中科院微電子所、中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三所、十八所、二十所、五十五所、四十七所、二十九所、二十四所、三十八所、五零四所、五十八所、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、中國(guó)科學(xué)院金屬研究所、北京微電子所、北京華航無(wú)線電測(cè)量研究所、山東航天電子技術(shù)研究所、北京強(qiáng)度環(huán)境研究所、中國(guó)電子科技集團(tuán)信息科學(xué)研究院、深圳第三代半導(dǎo)體研究院、有研工程技術(shù)研究院、中國(guó)科學(xué)院國(guó)家空間科學(xué)中心、中國(guó)航天標(biāo)準(zhǔn)化與產(chǎn)品保證研究院、常州市武進(jìn)區(qū)半導(dǎo)體照明應(yīng)用技術(shù)研究院、中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院、深圳先進(jìn)電子材料國(guó)際創(chuàng)新研究院、西安微電子技術(shù)研究所、廣東省焊接技術(shù)研究所、中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院等上百家研究院所；清華大學(xué)、北京大學(xué)、廈門(mén)大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、臺(tái)灣交通大學(xué)、臺(tái)灣清華大學(xué)、武漢大學(xué)、中南大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、東南大學(xué)、上海交通大學(xué)、上海大學(xué)、江蘇科技大學(xué)、廣東工業(yè)大學(xué)、華南理工大學(xué)、北京工業(yè)大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、桂林電子科技大學(xué)、重慶理工大學(xué)、大連理工大學(xué)、香港科技大學(xué)、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、南方科技大學(xué)、上海工程技術(shù)大學(xué)等上百所知名高校。

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ICEPT 2025

世 界● 在此相聚

全球精英的“封裝”引力場(chǎng)

8月5-7日 · 中國(guó) 上海

電子封裝技術(shù)國(guó)際會(huì)議（ICEPT）創(chuàng)立于1994年，目前已開(kāi)展為亞洲規(guī)模最大、凝聚力最強(qiáng)的封裝技術(shù)會(huì)議之一。會(huì)議固定在中國(guó)舉辦，內(nèi)容涵蓋電子封裝設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試，以及光電子、MEMS、系統(tǒng)級(jí)封裝等領(lǐng)域。2025年，會(huì)議將于8月5-7日在上海盛大舉辦，預(yù)計(jì)將吸引全球近20個(gè)國(guó)家和地區(qū)的超1000名封裝界頂尖專(zhuān)家、學(xué)者、企業(yè)代表及相關(guān)技術(shù)供應(yīng)商積極參與。

專(zhuān)業(yè)深度

搶占技術(shù)轉(zhuǎn)移先機(jī)

全球頂尖專(zhuān)家齊聚

前言技術(shù)全面覆蓋

匯聚創(chuàng)新力量

激發(fā)無(wú)限可能

第26屆電子封裝技術(shù)國(guó)際會(huì)議不僅是一場(chǎng)學(xué)術(shù)的盛宴，更是全球電子封裝領(lǐng)域精英匯聚、思想碰撞、合作共贏的平臺(tái)。“世界”在此聚會(huì)，共同擘畫(huà)電子封裝技術(shù)的未來(lái)藍(lán)圖。