北京
此前有傳言稱(chēng)，蘋(píng)果將在2027年推出的 iPhone 20 周年紀(jì)念版中引入HBM DRAM，這是針對(duì)CPU/GPU打造的高速、高帶寬內(nèi)存，相比目前的DDR內(nèi)存有著更高的帶寬和速度，功耗上也明顯降低，關(guān)鍵是在封裝面積上小了很多，能夠與芯片封裝在一起。
據(jù)消息源透露，蘋(píng)果在采用這種新存儲(chǔ)后，性能會(huì)達(dá)到大幅度提升，尤其是在AI方面上。但即便如此，蘋(píng)果依舊是落后者，因?yàn)槿A為要比蘋(píng)果更早使用HBM DRAM。
消息源并沒(méi)有透露，究竟是哪一款華為手機(jī)會(huì)采用HBM內(nèi)存技術(shù)，但大體上就是近兩代新品了，畢竟蘋(píng)果20周年紀(jì)念款iPhone手機(jī)，會(huì)在2027年推出。
對(duì)于華為來(lái)說(shuō)，現(xiàn)在最大的問(wèn)題是無(wú)法使用最先進(jìn)的制造工藝，不過(guò)在工藝之外的其他技術(shù)方面，華為相比蘋(píng)果均擁有優(yōu)勢(shì)，尤其是在生成式人工智能領(lǐng)域上。HBM DRAM是能夠輕松提升人工智能性能的關(guān)鍵性技術(shù)，盡快普及這種技術(shù)，無(wú)疑會(huì)在人工智能上處于領(lǐng)先地位。
目前，智能手機(jī)中使用的最先進(jìn)規(guī)格為L(zhǎng)PDDR5X，預(yù)計(jì)在2026年下半年開(kāi)始使用LPDDR6內(nèi)存。此前有消息稱(chēng)，三星將于2026年下半年開(kāi)始生產(chǎn)LPDDR6內(nèi)存，高通也表示將在其未來(lái)的芯片組中支持這種內(nèi)存規(guī)格。
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