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在晶圓代工這片沒有硝煙的戰(zhàn)場上，先進(jìn)制程的每一次迭代都牽動著全球科技界的神經(jīng)。如今，這場競賽已然邁入1.4nm時代：高昂的研發(fā)成本與嚴(yán)苛的技術(shù)門檻正將摩爾定律推向真正的極限，盡管如此，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上升至國家戰(zhàn)略高度，價格已不再是唯一的考量。順帶一提，1.4nm也常寫作14 A（埃，1 A = 0.1 nm），但3nm、2nm乃至1.4nm等節(jié)點名稱，如今更多只是區(qū)分新舊工藝的“旗號”，與實際晶體管的物理尺寸早已脫鉤。

作為1.4nm賽道的三大玩家，臺積電、英特爾與三星堪稱大型的“三國志”，在性能與工藝的博弈中各自布局。然而在良率、產(chǎn)能、客戶需求多元化與經(jīng)濟(jì)投入等多重壓力交織下，這場全球頂尖企業(yè)的技術(shù)競賽，正悄然出現(xiàn)分歧與變數(shù)。

三星1.4nm延期

原本雄心勃勃的三星電子，在6月1日的“SAFE Forum 2025”上正式宣布，其1.4nm（14A）半導(dǎo)體的量產(chǎn)目標(biāo)將推遲至2029年，比此前規(guī)劃足足晚了兩年。原定今年第二季度動工的 1.4nm測試線建設(shè)也已暫緩，投資計劃推遲至今年年底或明年上半年。這不僅比競爭對手臺積電的2028年目標(biāo)晚了一年，更是引發(fā)了業(yè)界對三星晶圓代工部門一系列深層問題的關(guān)注。現(xiàn)在來看，三星離到2030年爭取“晶圓代工一哥”的夢想又遠(yuǎn)了一步。

為何延期？普遍解讀認(rèn)為，這正是三星 Foundry 應(yīng)對當(dāng)前虧損局面的策略性舉動。據(jù)悉，去年由于主要客戶流失，三星晶圓代工部門虧損高達(dá) 4萬億韓元；而今年一季度，虧損也達(dá)到驚人的2萬億韓元。面對業(yè)績壓力，三星電子決定將精力集中在眼前的制程改進(jìn)上，而不是大舉投資先進(jìn)技術(shù)。

因此，三星正試圖通過提高2nm或更高工藝的成熟度和稼動率來提升盈利能力，與其盲追先進(jìn)制程，不如先把手里的量產(chǎn)工藝的良率提一提。據(jù)知情人士透露，目前三星2nm制程的制造良率約為40%，而臺積電已突破60%，達(dá)到穩(wěn)定量產(chǎn)的門檻。據(jù)悉，2nm（SF2）制程按原計劃于今年量產(chǎn)，并計劃在2028年前，重點穩(wěn)定和完善SF2P（第二代）和SF2X（第三代）技術(shù)；同時，通過提升4nm、5nm和8nm這些相對成熟工藝的運營率來確保盈利。甚至有消息稱，三星已要求合作伙伴專注于開發(fā)相關(guān)IP，以提高這些工藝的吸引力。

為了確保下半年發(fā)布的采用2nm制程的應(yīng)用處理器 Exynos 2600順利量產(chǎn)，三星代工部門首席技術(shù)官（CTO）南錫宇正親自組建并運營2nm任務(wù)組（TF）團(tuán)隊。畢竟，如果良率持續(xù)停留在20-30%的低位，即使是自家芯片，也難以保證供應(yīng)。此外，爭取特斯拉、高通等北美大型科技公司的2nm訂單，也是三星未來提升營收的關(guān)鍵。

據(jù)中央時報報道，一位半導(dǎo)體行業(yè)消息人士表示：“三星電子的代工廠一直專注于尖端節(jié)點的競爭，在工藝不穩(wěn)定的情況下多次進(jìn)入下一代工藝，導(dǎo)致良率下降，并失去了客戶信任。加強代工廠實力的決定可以被視為一個積極的舉措。”

英特爾改押14A，18A何去何從

另一邊，英特爾晶圓代工部門的日子也不好過。最近，路透社爆出猛料：英特爾首席執(zhí)行官陳立武正考慮將晶圓代工的重心轉(zhuǎn)向“14A”芯片制造工藝，而前任CEO基辛格力推的 “18A”制程可能面臨被取消或削減優(yōu)先級的風(fēng)險。

18A曾是RibbonFET和PowerVia等先進(jìn)技術(shù)的“代際飛躍”，英特爾此前對其寄予厚望。（PowerVia是英特爾獨特的、業(yè)界首創(chuàng)的背面供電架構(gòu)，可將標(biāo)準(zhǔn)單元利用率提高 5-10%，并將ISO功率性能提高高達(dá)4%。RibbonFET是英特爾代工廠實現(xiàn)的環(huán)柵 (GAA) 晶體管，與FinFET相比，它提高了密度和性能。）路透社報道稱，英特爾的18A工藝被認(rèn)為與臺積電的3納米工藝處于同一水平。

RibbonFET和PowerVia的示意圖（圖源：英特爾）

為何有此變動？

• 18A對客戶吸引力不足： 雖然18A已贏得亞馬遜和微軟等客戶，但它最初更多是為英特爾自身產(chǎn)品設(shè)計，其目標(biāo)是在 2025 年晚些時候提高其“Panther Lake”筆記本電腦芯片的產(chǎn)量。對于亟需贏得更多外部代工客戶（如蘋果、英偉達(dá)）的英特爾而言，18A的吸引力似乎不夠。

• 代工業(yè)務(wù)亟需突破：英特爾代工部門急需客戶訂單。與其在已經(jīng)“遲到”的18A上死磕，不如將更多資源投入到更有潛力的14A制程。

• 財務(wù)考量：18A已耗資數(shù)十億美元開發(fā)，如果取消或減少重心，可能帶來數(shù)億美元的損失。但在市場瞬息萬變的當(dāng)下，及時止損，調(diào)整戰(zhàn)略或許是更明智的選擇。

按照原計劃，英特爾的18A衍生版本18A-P將于2026年推出，18A-PT將于2028年推出。根據(jù)Wccftech的說法，18A-PT尤其引人注目，因為它將成為英特爾第一個支持Foveros Direct 3D混合鍵合的節(jié)點，使其能夠采用臺積電先進(jìn)的互連技術(shù)。

陳立武認(rèn)為英特爾如果要與臺積電競爭，那就只有在14A制程上占有優(yōu)勢。早在去年2月，英特爾就將14A其納入先進(jìn)制程時間表，并在今年的“Intel Foundry Direct Connect 2025”上公布 14A將于2027年進(jìn)行風(fēng)險試產(chǎn)，其衍生版本14A-E也計劃同年生產(chǎn)。如果這一重心轉(zhuǎn)移成真，將是英特爾連續(xù)第二個降低優(yōu)先級的節(jié)點，更可能意味著英特爾未來幾年將“實質(zhì)性退出”代工市場，后果不可謂不嚴(yán)重。

從技術(shù)上看，intel 14A相比18A將更進(jìn)一步，采用第二代環(huán)繞柵極技術(shù)RibbonFET 2和第二代背面供電網(wǎng)絡(luò)PowerDirect。此外，14A還使用了增強型單元技術(shù)Turbo Cells，它與 RibbonFET 2 配合使用時可進(jìn)一步提高速度（包括CPU最大頻率和GPU關(guān)鍵路徑）。Turbo Cells允許設(shè)計人員在設(shè)計模塊內(nèi)優(yōu)化性能更高的單元和更節(jié)能的單元組合，從而針對目標(biāo)應(yīng)用實現(xiàn)功耗、性能和面積之間的平衡。相較前代，14A性能提升15%至20%，芯片密度提升近30%，功耗預(yù)計降低25%以上。

值得一提的是，英特爾在 High NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光微影設(shè)備） 的采用上走在前列，已在奧勒岡安裝了第二臺High NA EUV。英特爾強調(diào)，14A可以兼容Low或High NA解決方案，并且對客戶設(shè)計規(guī)則沒有影響。

盡管技術(shù)實力雄厚，英特爾仍面臨重重障礙。臺積電和三星等競爭對手正在積極擴(kuò)展自身制程，而英特爾為保持領(lǐng)先地位而每年投入的400多億美元資本支出，可能會使其資產(chǎn)負(fù)債表捉襟見肘。14A制程節(jié)點2026年的發(fā)布時間表也取決于能否解決高數(shù)值孔徑EUV光刻機的良率問題，鑒于ASML的此類光刻機供應(yīng)有限，這項任務(wù)十分復(fù)雜。

此外，客戶采用的時間表尚不確定。盡管微軟的 18A 芯片進(jìn)展順利，但英偉達(dá)和AMD等主要 AI 公司目前仍主要依賴臺積電。英特爾的成功取決于能否讓這些公司相信其節(jié)點能夠提供卓越的PPAC（功耗、性能、面積、成本）指標(biāo)——這一說法必須通過量產(chǎn)來證明。

無論如何，英特爾的14A/18A路線圖代表著其重奪半導(dǎo)體制造領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位的最佳機會。英特爾只有放手一搏。

臺積電在1.4nm穩(wěn)扎穩(wěn)打

作為行業(yè)龍頭，臺積電是最被寄予厚望的能在1.4nm先聲奪人的企業(yè)。畢竟在前幾代的節(jié)點上，臺積電就展示出了較強的優(yōu)勢，例如三星雖然在3nm比臺積電更早一些，但是良率卻不及臺積電。3nm并沒有為三星贏來更多客戶，反而流失。事實證明，“先交卷的不一定是答的最好的。”對于晶圓代工行業(yè)，真正的領(lǐng)先在于技術(shù)的成熟與穩(wěn)定的量產(chǎn)能力。

A14是臺積電的第二代納米片（Nanosheet）晶體管，與N2相比，它被認(rèn)為是一個全節(jié)點 (PPA)。A14亦采用「NanoFlex Pro」創(chuàng)新標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)，以實現(xiàn)更好的效能、能源效率和設(shè)計靈活性。在相同功率下速度提升10-15%，在相同速度下功耗降低 25-30%，邏輯密度提升1.2倍。

臺積電預(yù)計A14將于2028年投入生產(chǎn)，目前開發(fā)進(jìn)展順利，良率已提前實現(xiàn)。

有趣的是，臺積電在新節(jié)點的研發(fā)上，對于新技術(shù)的采用始終保持著相對謹(jǐn)慎和保守的姿態(tài)。原因在于，一旦在工藝中引入多項尚未充分驗證、風(fēng)險邊界較高的新技術(shù)，良率曲線的“爬坡”期就會顯著延長，從而拖慢從試產(chǎn)到量產(chǎn)的整體速度。而臺積電的保守策略，恰恰能夠在成熟度不足的新技術(shù)與大規(guī)模交付需求之間尋得平衡，縮短風(fēng)險試產(chǎn)周期，快速搶占市場份額。

具體來看：

成本—收益權(quán)衡：High-NA EUV 光刻機的單臺采購與維護(hù)成本，幾乎是普通 NA EUV 的 2.5 倍以上，還需額外的工藝調(diào)試和配套材料投入，顯著推高晶圓成本。對于面向大眾消費市場的 A14 芯片，一旦采用 High-NA EUV，不僅會使制造成本暴增，整機 BOM 難以壓縮，還可能因溢價過高而影響 OEM 廠商的采購決策。

良率爬坡與穩(wěn)定交付：在普通 NA EUV 設(shè)備及相關(guān)配套尚未完成充分良率驗證、風(fēng)險可控之前，貿(mào)然切換會延長良率提升的時間窗口，甚至發(fā)生交付延遲。臺積電先在 A14、N2 等首代產(chǎn)品上不引入背面供電（Backside Power Delivery）與超級電源軌（SPR），待下游設(shè)計工具鏈及材料生態(tài)進(jìn)一步完善后，再在 A16 及 A14P 等改良節(jié)點上分階段導(dǎo)入，從而確保主流市場的交付節(jié)奏。

分客戶群、分市場定位，有的放矢：對于 A14 這樣面向高端智能手機與消費電子的主流節(jié)點，性價比往往優(yōu)先于極限性能；而 A14P、A16 等增強版工藝，則更多針對對性能和功耗極度敏感、愿意為溢價買單的服務(wù)器、AI 加速卡等領(lǐng)域。在技術(shù)成熟度和市場需求之間，臺積電通過差異化布局，實現(xiàn)了“穩(wěn)中求進(jìn)”的商業(yè)價值最大化。

雖然臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展資深副總張曉強也曾指出，High-NA EUV 在邏輯芯片領(lǐng)域?qū)?1.5D/2D 設(shè)計自由度、制程步驟簡化及產(chǎn)能提升均有顯著價值（可帶來約 35% 的成本效益提升），但從 2nm 到 A14 制程，臺積電并不急于一次性將所有前沿技術(shù)引入主流節(jié)點，而是選擇在后續(xù)可承受成本溢價的 A14P 制程中，再逐步采用 High-NA EUV。此舉既保證了主流產(chǎn)品的成本可控與交付穩(wěn)定，也為更高端應(yīng)用提供了充分的技術(shù)支撐。

總結(jié)

按照時間軸來看，英特爾14A的投產(chǎn)時間在2027年，臺積電在2028年，三星在2029年。在High-NA EUV光刻機的采用方面，英特爾是“第一個吃螃蟹的人”，臺積電略顯謹(jǐn)慎，三星還沒有明確表示用不用，只說正在評估在其1.4nm代工工藝中使用高NA EUV工具的可能性。

這場1.4nm的競賽，不僅是技術(shù)實力的比拼，更是戰(zhàn)略決策、市場定位和盈利能力的綜合考量。誰能在這場先進(jìn)制程的“三國志”中脫穎而出，讓我們拭目以待！

*免責(zé)聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個人觀點，半導(dǎo)體行業(yè)觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達(dá)一種不同的觀點，不代表半導(dǎo)體行業(yè)觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系半導(dǎo)體行業(yè)觀察。

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