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近日，半導(dǎo)體設(shè)備大廠DISCO公布的數(shù)據(jù)令人矚目。2025財(cái)年第一財(cái)季（2025年4-6月），其非合并出貨金額預(yù)計(jì)高達(dá)930億日元，同比增長(zhǎng)8.5%，實(shí)現(xiàn)近6個(gè)季度以來(lái)的第五度增長(zhǎng)，單季出貨金額更是超越2024年度第三季度的908億日元，創(chuàng)下歷史新高。

DISCO在公告中明確指出，精密加工設(shè)備出貨增長(zhǎng)，主要源于生成式AI需求的持續(xù)高漲，帶動(dòng)了制造設(shè)備銷售的增加。

在這一過程中，HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）作為支撐生成式AI發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)，扮演了關(guān)鍵角色，HBM憑借其高帶寬、低功耗的特性，成為滿足生成式AI對(duì)海量數(shù)據(jù)快速存取需求的核心組件，其產(chǎn)能擴(kuò)充與技術(shù)迭代對(duì)半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)提出了更高要求。HBM的興起不僅助力英偉達(dá)、AMD 等AI芯片企業(yè)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品性能的飛躍，推動(dòng)SK海力士、美光、三星等存儲(chǔ)巨頭的業(yè)績(jī)攀升，如今也在顯著拉動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備巨頭的營(yíng)收增速。

DISCO作為在晶圓減薄、切割和研磨市場(chǎng)占據(jù)重要地位的設(shè)備大廠，此次出貨額提升便是有力證明，凸顯了生成式AI與HBM需求在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的強(qiáng)大帶動(dòng)作用。

HBM的強(qiáng)勁需求并非僅讓DISCO一家半導(dǎo)體設(shè)備大廠受益，在其掀起的產(chǎn)業(yè)浪潮中，眾多半導(dǎo)體后道設(shè)備廠商都憑借這一驅(qū)動(dòng)力實(shí)現(xiàn)了業(yè)績(jī)的顯著提升，呈現(xiàn)出較大市場(chǎng)潛力。

靠HBM掙大發(fā)的設(shè)備巨頭

DISCO：HBM推動(dòng)下強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng)

2023年，受先進(jìn)封裝需求強(qiáng)勁的推動(dòng)，日本設(shè)備制造商Disco憑借其在晶圓減薄、切割和研磨技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)，以20%的市場(chǎng)份額領(lǐng)先。

上面剛介紹了DISCO 2025財(cái)年第一財(cái)季創(chuàng)紀(jì)錄的出貨金額。近日其業(yè)績(jī)預(yù)測(cè)再次上調(diào)，2025財(cái)年第一財(cái)季合并營(yíng)收自此前（4月）預(yù)估的750億日元(年減9%)上修至899.14億日元(年增9%)，合并營(yíng)益自238億日元(將年減29%)上修至344.8億日元(將年增3%)、合并純益也自原先預(yù)估的167億日元(將年減30%)上修至237.67億日元(將年增0.2%)，純益將創(chuàng)下歷史同期歷史新高紀(jì)錄。

DISCO修訂后的業(yè)務(wù)預(yù)測(cè)

由于DISCO的營(yíng)收狀況和客戶設(shè)備投資意愿之間的直接連動(dòng)性低，通過會(huì)在產(chǎn)品完成驗(yàn)收后才將賣出的產(chǎn)品列入營(yíng)收計(jì)算，因此營(yíng)收易受驗(yàn)收情況波動(dòng)的影響。因而要觀察客戶投資意愿參考公司的出貨額動(dòng)向相對(duì)比較準(zhǔn)確。

但無(wú)論從那個(gè)數(shù)據(jù)來(lái)看，在HBM市場(chǎng)帶動(dòng)下，DISCO業(yè)績(jī)都將迎來(lái)強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng)。

從其具體業(yè)務(wù)來(lái)看，DISCO長(zhǎng)期以來(lái)致力于提供最前沿的精密加工設(shè)備，廣泛應(yīng)用于晶圓切割、研磨、拋光和鍵合等環(huán)節(jié)。通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新，DISCO在全球半導(dǎo)體制造領(lǐng)域保持了領(lǐng)導(dǎo)地位，并為推動(dòng)人工智能和HBM的進(jìn)步提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支持。

近年來(lái)，隨著AI和存儲(chǔ)技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體制造商面臨著越來(lái)越復(fù)雜的技術(shù)挑戰(zhàn)，傳統(tǒng)的二維工藝正在逐漸被三維封裝技術(shù)所取代。通過三維封裝，芯片制造商能夠在有限的空間內(nèi)提高計(jì)算和存儲(chǔ)能力，以滿足AI對(duì)更高性能和更低功耗的需求。DISCO憑借其先進(jìn)的DBG（切割+研磨）技術(shù)和SDBG技術(shù)，成功解決了在裸片制造過程中高精度和高效能的要求，實(shí)現(xiàn)了HBM等芯片的批量生產(chǎn)。

在HBM技術(shù)中，TSV（硅通孔）工藝是核心，通過三維堆疊芯片來(lái)提升連接效率。DISCO為TSV提供了全面的技術(shù)支持，包括晶圓切割、研磨和拋光等關(guān)鍵工藝，確保芯片在堆疊過程中能夠保持高精度和高效性。

在GMIF2024創(chuàng)新峰會(huì)上，DISCO展示了面對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)挑戰(zhàn)時(shí)所提供的創(chuàng)新解決方案。通過高精度的邊緣修整、化學(xué)清洗、低損傷研磨、翹曲控制等技術(shù)，DISCO不僅提升了產(chǎn)品的良率和一致性，也大幅提高了生產(chǎn)效率。例如，在薄硅片處理過程中，DISCO開發(fā)的低損傷隱形切割技術(shù)，有效解決了低介電常數(shù)材料在加工中的難題。此外，DISCO的翹曲控制技術(shù)能夠應(yīng)對(duì)高精度晶圓的生產(chǎn)需求，幫助客戶在大規(guī)模生產(chǎn)中保持一致的加工質(zhì)量。

隨著芯片集成密度的不斷提升，混合鍵合技術(shù)成為未來(lái)封裝工藝的關(guān)鍵。對(duì)此，DISCO的W2W（晶圓對(duì)晶圓）和D2W（裸片對(duì)裸片）鍵合技術(shù)，通過無(wú)凸塊互連實(shí)現(xiàn)更高密度的集成和更低的能耗。這些技術(shù)特別適用于HBM和其他高性能封裝的生產(chǎn)，能夠大幅提升芯片的整體性能。

DISCO通過在極薄化處理、精密清潔和切割領(lǐng)域的技術(shù)突破，確保混合鍵合在先進(jìn)封裝工藝中順利實(shí)施。這不僅推動(dòng)了芯片性能的提升，也為未來(lái)的高密度芯片集成奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。

能看到，DISCO的全流程支持涵蓋了從前端晶圓處理到后端封裝的多個(gè)環(huán)節(jié)，確保客戶能夠在高精度和高效能的生產(chǎn)中保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。例如，DISCO的研磨和拋光技術(shù)解決了晶圓翹曲和顆粒污染等難題，為晶圓生產(chǎn)提供了全方位的技術(shù)保障。同時(shí)，DISCO的劃片技術(shù)為超薄晶圓的加工提供了低損耗、高精度的解決方案。

在面對(duì)封裝工藝的復(fù)雜挑戰(zhàn)時(shí)，DISCO還提供了針對(duì)性的解決方案，如凸塊模具的成型和研磨、TSV的鈍化等，為客戶的封裝技術(shù)開發(fā)提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，也推動(dòng)了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向更高精度、更高效能的方向發(fā)展。

基于DISCO在先進(jìn)封裝和HBM等領(lǐng)域的深耕，其業(yè)績(jī)持續(xù)實(shí)現(xiàn)突破。

在這樣的市場(chǎng)環(huán)境下，DISCO精密加工設(shè)備的出貨量保持穩(wěn)定，重點(diǎn)放在高附加值產(chǎn)品上，而精密加工工具(消耗品)的出貨量也因客戶設(shè)施高運(yùn)轉(zhuǎn)率而保持在高水平。因此，DISCO年度出貨量和年度銷售額連續(xù)達(dá)到歷史新高。

DISCO預(yù)計(jì)將在7月17日公布2025財(cái)年第一季財(cái)報(bào)，上季DISCO非合并營(yíng)收較去年同期增長(zhǎng)10.1%至754億日元。屆時(shí)也將公布第二季度(2025年7-9月)財(cái)測(cè)預(yù)估。

BESI：以混合鍵合技術(shù)卡位HBM4

在半導(dǎo)體行業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，HBM正引領(lǐng)著一場(chǎng)技術(shù)革新。隨著三星電子、SK海力士等存儲(chǔ)巨頭對(duì)下一代HBM內(nèi)存技術(shù)的布局推進(jìn)，混合鍵合技術(shù)嶄露頭角，成為實(shí)現(xiàn)HBM性能飛躍的關(guān)鍵支撐。

據(jù)悉，三星電子預(yù)計(jì)最早將于明年的 HBM4 內(nèi)存中采用混合鍵合，而 SK海力士可能會(huì)在稍晚的HBM4E 中導(dǎo)入，美光和其它企業(yè)則計(jì)劃考慮導(dǎo)入有凸塊鍵合的迭代版本：無(wú)助焊劑鍵合。

混合鍵合技術(shù)優(yōu)勢(shì)顯著，它摒棄傳統(tǒng)鍵合工藝中在DRAM內(nèi)存層間添加凸塊的步驟，通過直接銅對(duì)銅連接，極大提高信號(hào)傳輸速率，滿足AI計(jì)算對(duì)高帶寬的迫切需求，同時(shí)降低DRAM層間距，縮減了HBM模塊整體高度，能夠提升芯片集成度與性能。

在這場(chǎng)技術(shù)變革中，總部位于荷蘭的設(shè)備公司Besi憑借在混合鍵合設(shè)備領(lǐng)域的深厚積淀，成為行業(yè)的領(lǐng)軍者。

Besi主營(yíng)業(yè)務(wù)是Die attach，也就是固晶機(jī)，占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)份額，但該設(shè)備主要是用在傳統(tǒng)封裝領(lǐng)域，因此Besi在過去幾年的業(yè)績(jī)并不算太好。而如今隨著AI景氣度的提升，Besi迎來(lái)新的發(fā)展契機(jī)。

今年4月，Besi首席執(zhí)行官Richard Blickman表示，公司收到兩家領(lǐng)先存儲(chǔ)芯片廠商針對(duì)HBM4應(yīng)用的混合鍵合訂單，以及一家亞洲領(lǐng)先晶圓代工廠關(guān)于邏輯芯片的追加訂單。當(dāng)季訂單量達(dá)1.319億歐元，較上季度增長(zhǎng)8.2%，彰顯出強(qiáng)勁的市場(chǎng)需求。

KBC證券分析師在一份報(bào)告中稱，Besi的新訂單“非常積極”，即使短期內(nèi)可能有波動(dòng)，也凸顯其長(zhǎng)期增長(zhǎng)潛力。

Besi在財(cái)報(bào)中也指出，盡管主流和中國(guó)封裝設(shè)備市場(chǎng)面臨阻力，但公司受益于先進(jìn)封裝產(chǎn)品組合的強(qiáng)勁增長(zhǎng)，尤其在混合鍵合、光子學(xué)和其他AI應(yīng)用領(lǐng)域。自2021年以來(lái)，其混合鍵合訂單總額超100個(gè)系統(tǒng)，凸顯該技術(shù)對(duì)3D AI相關(guān)組裝應(yīng)用的重要性。

Besi的2025年第一季度報(bào)告證實(shí)了與HBM4相關(guān)的混合鍵合機(jī)訂單，標(biāo)志著從邏輯到內(nèi)存應(yīng)用的轉(zhuǎn)變。

實(shí)際上，混合鍵合已成為全球半導(dǎo)體設(shè)備廠重點(diǎn)布局方向，包括AMAT（應(yīng)用材料）、ASMPT、Shibaura、TEL、SUSS等紛紛入局，國(guó)內(nèi)大陸公司包括拓荊科技、華卓精科等。

值得關(guān)注的是，應(yīng)用材料公司在2025年4月收購(gòu)Besi 9%股份，成為其最大股東，積極布局混合鍵合。雙方自2020年合作開發(fā)“全集成混合鍵合設(shè)備”，結(jié)合應(yīng)用材料的前端晶圓處理技術(shù)與Besi的后端高精度封裝能力，共建“卓越中心”加速技術(shù)商用。

此次股權(quán)合作被視為雙方技術(shù)協(xié)同的深化：

• 技術(shù)互補(bǔ)性：應(yīng)用材料公司貢獻(xiàn)其在晶圓加工、薄膜沉積及材料工程領(lǐng)域的核心能力，而Besi則提供高精度芯片貼裝與組裝設(shè)備技術(shù)。

• 量產(chǎn)突破：雙方聯(lián)合開發(fā)的混合鍵合系統(tǒng)已進(jìn)入技術(shù)驗(yàn)證階段，目標(biāo)在未來(lái)2-3年內(nèi)實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)，滿足數(shù)據(jù)中心、人工智能及自動(dòng)駕駛等高算力應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

應(yīng)用材料公司副總裁兼異構(gòu)集成與封裝事業(yè)部總經(jīng)理Terry Lee表示，此次投資是戰(zhàn)略性長(zhǎng)期投資，彰顯了對(duì)混合鍵合技術(shù)的重視，這一技術(shù)對(duì)于先進(jìn)邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片至關(guān)重要。Besi首席執(zhí)行官Richard Blickman強(qiáng)調(diào)，應(yīng)用材料的入股為混合鍵合技術(shù)注入強(qiáng)大動(dòng)力，雙方深度整合將推動(dòng)3D封裝技術(shù)發(fā)展。

隨著先進(jìn)制程逼近物理極限，芯片制造商正轉(zhuǎn)向異構(gòu)集成與3D封裝技術(shù)以提升性能。混合鍵合憑借其高密度互連與低功耗優(yōu)勢(shì)，被視為替代傳統(tǒng)微凸點(diǎn)技術(shù)的關(guān)鍵方案。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，到2028年，混合鍵合市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將突破50億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)35%。

在此趨勢(shì)下，Besi憑借其領(lǐng)先的技術(shù)和市場(chǎng)地位，有望在這波HBM浪潮中充分受益，迎來(lái)業(yè)績(jī)的顯著提升。其在混合鍵合技術(shù)和HBM領(lǐng)域的持續(xù)布局與創(chuàng)新，將助力公司在半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中搶占先機(jī)，推動(dòng)行業(yè)邁向新的發(fā)展階段。

Besi的2025年第一季度業(yè)績(jī)也證明了公司在AI/HBM領(lǐng)域的成效。據(jù)悉，Besi2025年第一季度營(yíng)收為1.441 億歐元，環(huán)比下降6.1%，主要原因是高端移動(dòng)應(yīng)用出貨量下降；同比下降1.5%，主要原因是移動(dòng)和汽車應(yīng)用出貨量下降。不過，混合鍵合及其他AI相關(guān)計(jì)算應(yīng)用的強(qiáng)勁增長(zhǎng)，有效抵消了部分業(yè)績(jī)壓力，成為重要支撐。

訂單層面更顯積極信號(hào)：該季度訂單額達(dá)1.319億歐元，環(huán)比增長(zhǎng)8.2%，主要得益于亞洲客戶在人工智能相關(guān)數(shù)據(jù)中心應(yīng)用領(lǐng)域的訂單增加；同比亦增長(zhǎng)3.3%，核心驅(qū)動(dòng)力來(lái)自混合鍵合及其他先進(jìn)計(jì)算應(yīng)用的訂單貢獻(xiàn)。

業(yè)績(jī)與訂單的分化趨勢(shì)，在公司戰(zhàn)略規(guī)劃中得到進(jìn)一步印證。今年6月的2025年投資者日上，Besi上調(diào)了長(zhǎng)期財(cái)務(wù)目標(biāo)。公司總裁兼首席執(zhí)行官Richard W. Blickman解釋，3月與主要客戶及利益相關(guān)者的戰(zhàn)略規(guī)劃審查顯示，到2030年人工智能技術(shù)將在數(shù)據(jù)中心、邊緣計(jì)算及消費(fèi)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更廣泛部署。同時(shí)，隨著數(shù)據(jù)量激增與摩爾定律放緩，主流終端用戶市場(chǎng)將加速采用基于2.5D和3D芯片的晶圓級(jí)組裝結(jié)構(gòu)，這將直接推動(dòng)Besi在邏輯與內(nèi)存應(yīng)用領(lǐng)域的先進(jìn)封裝解決方案需求增長(zhǎng)。

基于此，Besi提高了長(zhǎng)期收入預(yù)測(cè)，其中亞微米芯片貼裝系統(tǒng)及AI相關(guān)主流芯片貼裝系統(tǒng)的業(yè)績(jī)預(yù)期占比顯著，成為支撐收入、毛利率及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率目標(biāo)上調(diào)的核心板塊。

TCB設(shè)備廠商，狂攬HBM紅利

受益于AI大模型、高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)中心需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)，HBM作為下一代內(nèi)存技術(shù)已從“技術(shù)先鋒”走向“市場(chǎng)核心”，市場(chǎng)規(guī)模正在加速放量中。

與此同時(shí)，HBM制造對(duì)后段工藝設(shè)備提出了極高要求，尤其是芯片堆疊環(huán)節(jié)中的熱壓鍵合（TCB）技術(shù)，其精度和良率直接決定HBM芯片的封裝質(zhì)量、產(chǎn)能與成本。可以說(shuō)，TCB設(shè)備是決定HBM“能量上限”的核心環(huán)節(jié)。

根據(jù)摩根士丹利與韓媒ETNews預(yù)測(cè)，全球用于HBM封裝的TCB設(shè)備市場(chǎng)將從2024年的約4.6億美元，快速增長(zhǎng)至2027年的15億美元以上，年均復(fù)合增長(zhǎng)率超50%。

目前，該市場(chǎng)已形成“多強(qiáng)爭(zhēng)霸”的局面：

• 韓美半導(dǎo)體（Hanmi Semiconductor）：長(zhǎng)期為SK海力士供貨，2024年?duì)I業(yè)利潤(rùn)同比增長(zhǎng)639%，并獲Micron大單，預(yù)計(jì)將交付超過50臺(tái)設(shè)備，單價(jià)達(dá)30億韓元；

• 韓華SemiTech：韓華集團(tuán)旗下設(shè)備廠商，2024年向SK供貨12臺(tái)TCB設(shè)備，總金額約4200億韓元，技術(shù)力不斷提升；

• ASMPT（新加坡）：其設(shè)備已進(jìn)入SK的HBM3E試產(chǎn)線，尤其在NCF路徑上具備高穩(wěn)定性和較快節(jié)拍效率；

• K&S（庫(kù)力索法）：也來(lái)自新加坡，積極開發(fā)無(wú)助焊劑鍵合方案，并與美光展開合作；

• Shinkawa（日本新川）：TCB設(shè)備先驅(qū)之一，曾為三星主要供貨商，現(xiàn)受制于本土半導(dǎo)體設(shè)備投資放緩，份額被韓企和新加坡企業(yè)蠶食；

• SEMES（三星旗下設(shè)備廠）：專為三星內(nèi)供，近年來(lái)替代Shinkawa設(shè)備成功自研新一代TCB機(jī)，可支持高層堆疊HBM4。

韓美半導(dǎo)體：從SK海力士到美光的客戶擴(kuò)張

韓美半導(dǎo)體在HBM TCB鍵合機(jī)市場(chǎng)上擁有最高的市場(chǎng)占有率。

韓媒指出，自 2017 年以來(lái)，韓美半導(dǎo)體一直與 SK 海力士合作開發(fā)用于 HBM 制造的 TC 鍵合機(jī)，隨著SK海力士事實(shí)上成為英偉達(dá)AI芯片HBM的獨(dú)家供應(yīng)商，韓美半導(dǎo)體也鞏固了其在HBM TC鍵合機(jī)市場(chǎng)的地位，其2024年銷售額達(dá)5589億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)2554億韓元，創(chuàng)下成立以來(lái)最佳業(yè)績(jī)，銷售額較上年增長(zhǎng)252%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)增長(zhǎng)639%。

這一業(yè)績(jī)被認(rèn)為對(duì)向全球半導(dǎo)體制造商供應(yīng)用于HBM生產(chǎn)的TC鍵合機(jī)產(chǎn)生了積極影響，以響應(yīng)全球?qū)I半導(dǎo)體的需求增長(zhǎng)。

除了鞏固與SK的合作，韓美半導(dǎo)體也在致力于進(jìn)一步增強(qiáng)其全球市場(chǎng)主導(dǎo)地位，開始將供應(yīng)線擴(kuò)大到 SK海力士以外的公司。2023年，韓美半導(dǎo)體成功將美光納入客戶名單，替代了原本使用日本新川（Shinkawa）設(shè)備的供應(yīng)鏈。

此外，韓美半導(dǎo)體在2024年4月從美光獲得了約50臺(tái)TCB鍵合機(jī)的訂單。這是繼2023年向美光供應(yīng)數(shù)十臺(tái)TCB鍵合機(jī)之后再次獲得的大規(guī)模追加訂單。據(jù)悉，美光為避免其產(chǎn)能信息外泄，將此次合同金額分拆為無(wú)需公開披露的小額訂單分別下單，且供應(yīng)給美光的TCB鍵合機(jī)價(jià)格比SK海力士購(gòu)買的同類設(shè)備高出30%~40%。

價(jià)格差異源于兩家公司在技術(shù)路徑上的不同。美光采用的TC-NCF工藝相比SK海力士所采用的MR-MUF工藝有所不同，其設(shè)備頭部結(jié)構(gòu)更復(fù)雜，因此單臺(tái)設(shè)備的價(jià)格也更高。

此外，韓美與三星之間的潛在合作似乎最近又被提上日程。盡管韓美與三星的關(guān)系在 2011 年涉及三星子公司 SEMES 的專利糾紛后惡化，但目前所有遺留問題都已得到解決。據(jù) DealSite 報(bào)道，三星目前正在重新設(shè)計(jì) HBM3E 以解決產(chǎn)量問題，并正在考慮將與Hanmi 合作作為其關(guān)鍵改進(jìn)策略之一。

香港證券公司CLSA預(yù)測(cè)，“雖然韓美半導(dǎo)體目前74%的TC鍵合機(jī)銷售額來(lái)自SK海力士，但到2027年，這一比例將降至40%，客戶結(jié)構(gòu)將進(jìn)一步多元化”，并補(bǔ)充道，“目前看來(lái)，韓美半導(dǎo)體很可能將在HBM TCB鍵合機(jī)市場(chǎng)保持較高的市場(chǎng)份額。”

韓國(guó)業(yè)內(nèi)人士表示：“韓美半導(dǎo)體目前已將其TCB鍵合機(jī)供貨至美光等多個(gè)客戶，擁有龐大的客戶基礎(chǔ)，其他廠商要在短期內(nèi)追趕并不容易。”摩根大通發(fā)布的報(bào)告也指出，未來(lái)至少三年內(nèi)韓美半導(dǎo)體仍將主導(dǎo)該細(xì)分市場(chǎng)。

韓美半導(dǎo)體對(duì)此也表現(xiàn)出十足的自信。公司會(huì)長(zhǎng)郭東元在韓華SemiTech傳出與SK海力士簽訂供貨合同后，曾公開表示：“后發(fā)廠商的技術(shù)雖有一定水準(zhǔn)，但韓華SemiTech最終可能也僅拿到少量訂單，結(jié)果無(wú)疾而終。”

韓美半導(dǎo)體的TC鍵合機(jī)、FLTC鍵合機(jī)（無(wú)助焊劑型）和混合鍵合機(jī)將在HBM3E 12層的全球生產(chǎn)中發(fā)揮主導(dǎo)作用，目前HBM3E 12層正在應(yīng)用于引領(lǐng)全球人工智能市場(chǎng)的NVIDIA和Broadcom，以及即將推出的HBM4和HBM5。

據(jù)報(bào)道，韓美半導(dǎo)體在去年5月宣布用于HBM4生產(chǎn)的專用設(shè)備“TC Bonder 4”，這是一款針對(duì)HBM4特性大幅提升了精度與生產(chǎn)效率的高性能鍵合設(shè)備。韓美半導(dǎo)體會(huì)長(zhǎng)表示：“新推出的‘TC Bonder 4’是專為HBM4開發(fā)的設(shè)備，即使在要求極高精度的16層以上堆疊工藝中，也能實(shí)現(xiàn)高生產(chǎn)效率和高品質(zhì)。”

這也是首個(gè)針對(duì)HBM4推出TCB鍵合機(jī)的設(shè)備廠商，盡管SK海力士開始轉(zhuǎn)向多供應(yīng)商的模式，但在高層數(shù)堆疊上，恐怕依舊離不開韓美半導(dǎo)體。

為了讓TC Bonder 4能夠順利應(yīng)對(duì)全球存儲(chǔ)器企業(yè)的HBM4量產(chǎn)計(jì)劃，韓美半導(dǎo)體已經(jīng)建立了量產(chǎn)體制，通過此次HBM4專用設(shè)備的供應(yīng)，將在全球AI半導(dǎo)體市場(chǎng)保持領(lǐng)先地位。

據(jù)悉，今年7月，韓美半導(dǎo)體已開始生產(chǎn)“TC Bonder 4”設(shè)備，計(jì)劃從今年下半年開始正式供應(yīng)TC Bonder 4。全球HBM制造商計(jì)劃從今年下半年開始量產(chǎn)HBM4。三星電子和SK海力士計(jì)劃在年內(nèi)實(shí)現(xiàn)HBM4的量產(chǎn)，而美光則計(jì)劃于2026年開始量產(chǎn)。

韓國(guó)美半導(dǎo)體表示：“我們已經(jīng)建立了大規(guī)模生產(chǎn)系統(tǒng)，以確保TC Bonder 4能夠無(wú)縫應(yīng)對(duì)全球存儲(chǔ)器企業(yè)HBM4量產(chǎn)計(jì)劃。”

除了與國(guó)際頭部大廠合作之外，韓美半導(dǎo)體也是不少中國(guó)存儲(chǔ)芯片及半導(dǎo)體封測(cè)廠商的設(shè)備供應(yīng)商。不過隨著韓美半導(dǎo)體對(duì)華斷供傳聞，可能會(huì)影響其在中國(guó)市場(chǎng)的業(yè)務(wù)，同時(shí)倒逼國(guó)內(nèi)HBM生態(tài)鏈加速建立，涵蓋TCB設(shè)備、COWOS封裝、HBM堆疊、芯粒設(shè)計(jì)、EDA協(xié)同等一整套本土化路徑。

韓華SemiTech，攪局者入場(chǎng)

與韓美半導(dǎo)體針鋒相對(duì)的，是同樣來(lái)自韓國(guó)、背靠韓華集團(tuán)的韓華SemiTech（前身為“韓華精密機(jī)械”）。

韓華SemiTech受到高度關(guān)注的原因，在于其背后有韓華集團(tuán)的強(qiáng)力支撐。集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)金升淵的三子——金東善副社長(zhǎng)目前負(fù)責(zé)集團(tuán)未來(lái)戰(zhàn)略，其曾公開表示將繼續(xù)在該領(lǐng)域投資，以強(qiáng)化韓華SemiTech的競(jìng)爭(zhēng)力。

盡管市場(chǎng)普遍預(yù)計(jì)韓美半導(dǎo)體的領(lǐng)先地位至少能維持三年，但韓華SemiTech如何攪動(dòng)市場(chǎng)格局成為了焦點(diǎn)。

早在2020年，韓華就開始布局HBM相關(guān)設(shè)備，并成功與SK海力士簽下供貨合同。2024年，其累計(jì)向SK交付12臺(tái)TCB鍵合機(jī)，總金額達(dá)420億韓元。

而長(zhǎng)期為SK海力士供貨的韓美半導(dǎo)體對(duì)此表示強(qiáng)烈不滿，認(rèn)為韓華設(shè)備存在專利侵權(quán)及技術(shù)泄漏問題，且價(jià)格比其原有設(shè)備更高，缺乏合理依據(jù)。作為報(bào)復(fù)，韓美將對(duì)SK海力士提供的客戶服務(wù)從免費(fèi)轉(zhuǎn)為收費(fèi)，并將設(shè)備供貨價(jià)格上調(diào)28%。

SK海力士回應(yīng)稱，每家廠商合同條款根據(jù)附加選項(xiàng)不同而定，并非對(duì)韓華給予“溢價(jià)”。韓華方面也強(qiáng)調(diào)其設(shè)備的自動(dòng)化系統(tǒng)與維護(hù)便利性表現(xiàn)突出，能夠支持8–16層堆疊，完全匹配SK海力士的需求。

據(jù)悉，SK海力士給予韓華SemiTech設(shè)備高評(píng)價(jià)的原因，正是其在自動(dòng)化系統(tǒng)和維護(hù)便利性方面的表現(xiàn)。韓華SemiTech方面表示：“此次供貨的TCB鍵合機(jī)以‘減少人工操作’為目標(biāo)，搭載了多種數(shù)字化解決方案與自動(dòng)化系統(tǒng)，并采用了更適合工程師使用的軟件。”他們補(bǔ)充道：“設(shè)備能夠輕松支持8層、12層乃至16層堆疊，最大限度地反映了SK海力士工程師的需求。我們正集中全公司力量，力爭(zhēng)擴(kuò)大今年的供貨量。

今年5月，韓華Semitech進(jìn)行業(yè)務(wù)重組成立了“先進(jìn)封裝設(shè)備開發(fā)中心”，以增強(qiáng)其開發(fā)下一代半導(dǎo)體設(shè)備的能力。該公司計(jì)劃通過大幅增加相關(guān)技術(shù)人員配置，將其開發(fā)能力擴(kuò)展到HBM生產(chǎn)的關(guān)鍵設(shè)備TC鍵合機(jī)之外，以涵蓋混合鍵合設(shè)備等下一代技術(shù)。

業(yè)界指出，此次重組正值該韓華鞏固與SK海力士聯(lián)盟之際，適逢SK海力士與韓美半導(dǎo)體之間的聯(lián)盟裂痕日益擴(kuò)大之時(shí)。韓華Semitech與SK海力士的合作關(guān)系自去年首次向SK海力士交付TC債券以來(lái)一直在加強(qiáng)。得益于SK海力士近年來(lái)突飛猛進(jìn)的行業(yè)成就，擴(kuò)大與SK海力士的合作關(guān)系能為韓華帶來(lái)穩(wěn)定的供應(yīng)訂單以及行業(yè)地位。

值得關(guān)注的是，不只是TCB鍵合機(jī)這一類產(chǎn)品，韓國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備廠商正在藉由HBM的熱銷悄然崛起。

據(jù)TheElec對(duì)2024年第四季度韓國(guó)46家半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)的業(yè)績(jī)分析，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率最高的六家公司分別是：韓美半導(dǎo)體、Techwing、Zeus、DIT與Oros Technology這些廠商中有四家聚焦于后處理設(shè)備，深受HBM與先進(jìn)封裝熱潮帶動(dòng)。

韓美半導(dǎo)體上文已有介紹，通過長(zhǎng)期以來(lái)向SK海力士獨(dú)家供應(yīng)HBM用TC鍵合機(jī)，構(gòu)建起強(qiáng)勢(shì)的技術(shù)壁壘，營(yíng)收飆升。

緊隨其后的是Techwing，其核心產(chǎn)品為內(nèi)存測(cè)試處理機(jī)，因其HBM測(cè)試設(shè)備“Cube Prober”而成為業(yè)界焦點(diǎn)。為 SK Hynix、Kioxia 以及美光供應(yīng)內(nèi)存測(cè)試處理器。美光是其最大客戶，去年占其收入的 45%。當(dāng)前，該設(shè)備已向三星出貨，并正在SK海力士進(jìn)行質(zhì)量驗(yàn)證，未來(lái)潛力被普遍看好。

Zeus公司專注HBM TSV清洗設(shè)備，2024年?duì)I收達(dá)4908億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)492億韓元，利潤(rùn)增長(zhǎng)率接近600%。其后段處理設(shè)備“Atom”與“Saturn”已被業(yè)界廣泛采用，并憑借快速交付能力成功打入HBM產(chǎn)業(yè)鏈。此外，Zeus正在聯(lián)合美國(guó)Pulseforge開發(fā)基于光子技術(shù)的剝離設(shè)備，并于Semicon Korea展會(huì)上首度公開新一代TBDB設(shè)備，展示其持續(xù)創(chuàng)新能力。

DIT以激光解決方案見長(zhǎng)，2024年?duì)I收1167億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)241億韓元，其中激光退火設(shè)備占59%。激光退火技術(shù)的突破不僅驗(yàn)證了DIT的研發(fā)能力，也打開了HBM先進(jìn)制程的大門。據(jù)悉，DIT公司與SK海力士自2019年開始聯(lián)合開發(fā)HBM用激光退火技術(shù)，并于2023年下半年起正式導(dǎo)入HBM3E量產(chǎn)線，成為其核心工藝之一。

Oros Technology去年?duì)I收為614億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)61億韓元。雖然體量相對(duì)較小，但其焊盤覆蓋設(shè)備在HBM后段制程中具備不可替代性，目前由其獨(dú)家供應(yīng)。去年中，該公司成功進(jìn)入日本鎧俠的供應(yīng)鏈，并簽下與三星電子價(jià)值96億韓元的合同，客戶結(jié)構(gòu)逐步多元化。由于日本半導(dǎo)體設(shè)備自給率高、外部準(zhǔn)入門檻高，因此Oros能打入Kioxia供應(yīng)鏈被視為技術(shù)突破的象征。

能看到，上述韓國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)均與HBM后處理及先進(jìn)封裝緊密相關(guān)，在韓美半導(dǎo)體之外，Techwing、Zeus等企業(yè)憑借獨(dú)門產(chǎn)品和工藝快速突圍，這也顯示出了韓國(guó)設(shè)備產(chǎn)業(yè)由單一強(qiáng)者向多元格局轉(zhuǎn)變的趨勢(shì)。

ASMPT：新加坡廠商的技術(shù)突圍

在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，新加坡廠商ASMPT近年來(lái)也加快了在HBM設(shè)備市場(chǎng)的滲透，憑借在熱壓鍵合（TCB）設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，成為HBM市場(chǎng)的重要參與者，尤其在AI算力升級(jí)背景下展現(xiàn)出強(qiáng)勁增長(zhǎng)潛力。

作為HBM生產(chǎn)的核心設(shè)備，ASMPT的TCB設(shè)備已深度融入頭部廠商的技術(shù)迭代進(jìn)程：2025年第一季度，其向SK海力士交付用于12層HBM3E的量產(chǎn)設(shè)備，同時(shí)參與美光HBM4下一代鍵合技術(shù)開發(fā)，2025年訂單可見度已達(dá)12個(gè)月。

這一突破背后，與SK海力士的供應(yīng)鏈策略調(diào)整密切相關(guān)——長(zhǎng)期依賴韓國(guó)韓美半導(dǎo)體的SK 海力士，為降低供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)、提升競(jìng)爭(zhēng)力，近年積極推進(jìn)設(shè)備供應(yīng)商多元化，自去年起已在產(chǎn)線部署約30臺(tái)ASMPT設(shè)備。而ASMPT設(shè)備在16層 HBM3E 工藝模擬中的出色表現(xiàn)，更使其在與韓美半導(dǎo)體的競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)優(yōu)勢(shì)，為SK海力士的技術(shù)過渡提供可靠支撐——2025年1月，SK海力士在“CES 2025”展示的16層HBM3E產(chǎn)品（HBM3E向HBM4過渡的關(guān)鍵版本），便采用了ASMPT設(shè)備制造。

隨著HBM技術(shù)升級(jí)至12-16層堆疊，鍵合設(shè)備面臨更高要求：需在保證芯粒對(duì)準(zhǔn)精度±1.5μm以內(nèi)的同時(shí)，將單位時(shí)間封裝效率（UPH）提升至120UPH以上，這對(duì)熱控、力控、運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)提出全面升級(jí)需求。對(duì)此，ASMPT的TCB設(shè)備在適配高堆疊需求的同時(shí)，成本顯著低于混合鍵合（HB）技術(shù)，形成差異化競(jìng)爭(zhēng)力。

同時(shí)，ASMPT在混合鍵合領(lǐng)域的突破也在推進(jìn)：2024年第三季度已向邏輯客戶交付首臺(tái)第二代混合鍵合工具，2024年第四季度斬獲領(lǐng)先HBM IDM大宗訂單，預(yù)計(jì)2025年第一季度完成發(fā)貨并確認(rèn)收入，2025年中期還將向HBM客戶交付兩臺(tái)混合鍵合工具（訂單已于2024年鎖定）。

此外，為應(yīng)對(duì)行業(yè)挑戰(zhàn)與地緣風(fēng)險(xiǎn)，ASMPT采取“西式化國(guó)產(chǎn)”策略：通過本土化研發(fā)與生產(chǎn)降低成本，分拆品牌“奧芯明”實(shí)現(xiàn)熱鍵合設(shè)備國(guó)產(chǎn)化，成本競(jìng)爭(zhēng)力提升30%，專為16層內(nèi)存和AI芯片服務(wù)；2025年奧芯明臨港研發(fā)中心投產(chǎn)，進(jìn)一步縮短交付周期，打破歐美壟斷。同時(shí)，其與全球頭部客戶深度合作鎖定長(zhǎng)期訂單，即使傳統(tǒng)SMT業(yè)務(wù)短期承壓，TCB業(yè)務(wù)的持續(xù)增長(zhǎng)與混合鍵合技術(shù)的突破，仍為中長(zhǎng)期發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

從市場(chǎng)表現(xiàn)看，ASMPT自港股上市以來(lái)，股價(jià)呈現(xiàn)“震蕩中醞釀轉(zhuǎn)折”的特征：早期受半導(dǎo)體行業(yè)周期波動(dòng)影響，股價(jià)階段性起伏；2024年成為關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)，傳統(tǒng)SMT業(yè)務(wù)因需求疲軟持續(xù)拖累業(yè)績(jī)，導(dǎo)致股價(jià)多次下探，但AI浪潮推動(dòng)先進(jìn)封裝需求爆發(fā)，TCB訂單創(chuàng)紀(jì)錄增長(zhǎng)成為核心支撐，驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)對(duì)其長(zhǎng)期價(jià)值重估。

進(jìn)入2025年，股價(jià)延續(xù)“分化修復(fù)”態(tài)勢(shì)：短期受SMT業(yè)務(wù)復(fù)蘇緩慢及部分訂單延期擾動(dòng)，仍面臨壓力；但中長(zhǎng)期邏輯日益清晰——TCB設(shè)備在HBM市場(chǎng)的技術(shù)壁壘、混合鍵合的突破進(jìn)展，以及“奧芯明”產(chǎn)能落地，持續(xù)強(qiáng)化投資者對(duì)AI驅(qū)動(dòng)增長(zhǎng)的預(yù)期。

從ASMPT 2025年第一季度業(yè)績(jī)公告可以看到，盡管公司整體營(yíng)收疲軟，但高產(chǎn)量制造中的HBM TCB及其TCB客戶基礎(chǔ)擴(kuò)展成為公司亮點(diǎn)，公司的主流業(yè)務(wù)繼續(xù)受到汽車和工業(yè)終端市場(chǎng)需求疲軟的影響。

ASMPT在業(yè)績(jī)公告中表示，集團(tuán)的先進(jìn)封裝解決方案繼續(xù)成為人工智能應(yīng)用的重大受益者，并在熱壓縮鍵合(TCB)工具的帶領(lǐng)下表現(xiàn)出強(qiáng)勁表現(xiàn)。集團(tuán)已完成了向領(lǐng)先存儲(chǔ)客戶交付批量TCB訂單的工作，而這些解決方案主要用于HBM3E 12H的高量產(chǎn)業(yè)務(wù)。

同時(shí)，集團(tuán)已從多個(gè)客戶那里獲得了更多的TCB訂單，其中包括另一家領(lǐng)先的高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)客戶，并正專注于從這些HBM參與者那里獲得重復(fù)訂單。這進(jìn)一步夯實(shí)了其在TCB市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。對(duì)于SMT而言，其系統(tǒng)級(jí)封裝(“SiP”)解決方案在本季度迎來(lái)了季節(jié)性強(qiáng)勁的訂單。

對(duì)于未來(lái)，ASMPT持續(xù)看好TCB領(lǐng)域增長(zhǎng)機(jī)會(huì)：隨著HBM與邏輯芯片向更高精度遷移，TCB采納率正不斷上升。管理層預(yù)測(cè)，全球TCB市場(chǎng)規(guī)模到2027年將達(dá)10億美元，而公司在技術(shù)迭代與客戶綁定上的先發(fā)優(yōu)勢(shì)，有望使其在這一賽道中持續(xù)領(lǐng)跑，在行業(yè)波動(dòng)中凸顯獨(dú)特投資價(jià)值。

庫(kù)力索法：瞄準(zhǔn) HBM 高層堆疊需求

除了ASMPT外，同在新加坡的K&S（Kulicke&Soffa，庫(kù)力索法）也加入了這場(chǎng)新的競(jìng)爭(zhēng)之中。其在半導(dǎo)體領(lǐng)域長(zhǎng)期專注于傳統(tǒng)封裝方式，如金線鍵合（Wire Bonding），但近年來(lái)開始大力拓展先進(jìn)封裝技術(shù)市場(chǎng)。

庫(kù)力索法表示，TC Bonding 是市場(chǎng)上最熱門的技術(shù)，TC Bonding的TAM（總可用市場(chǎng)）目前約為3億美金，增長(zhǎng)率在20%-25%之間。除了邏輯大芯片，幾乎每一步都需要TC Bonding。相比于邏輯芯片（通常為單顆封裝），HBM可能涉及 8 層、12 層甚至 16 層 以上的堆疊，因此在 HBM 領(lǐng)域，TC Bonding 的需求量預(yù)計(jì)會(huì)遠(yuǎn)超邏輯芯片，市場(chǎng)規(guī)模也將進(jìn)一步擴(kuò)大。

Yole在報(bào)告中指出，TCB設(shè)備市場(chǎng)份額將從2024年的1.36億美金增長(zhǎng)到2029年的2.7億美金，年化增長(zhǎng)率會(huì)達(dá)到14.7%。有見及此，庫(kù)力索法針對(duì)終端需求，深耕TCB設(shè)備。

據(jù)悉，自2014年推出公司的第一代TCB設(shè)備APAMA以來(lái)，庫(kù)力索法持續(xù)在這個(gè)領(lǐng)域投入研發(fā)，迭代更新，并最終在2022年推出了名為APTURA的第三代TCB設(shè)備，支持無(wú)助焊劑（Fluxless）TCB 及銅對(duì)銅鍵合，可滿足 HBM8 層、12 層乃至 16 層以上堆疊需求。

其中，F(xiàn)luxless TCB是其技術(shù)亮點(diǎn)，通過甲酸蒸汽去除錫或銅表面氧化物，解決傳統(tǒng)助焊劑清洗難題，適配小于45微米的鍵合間距，且獲CE、CEMI S2認(rèn)證，已有兩家客戶用于量產(chǎn)。該技術(shù)支持多種進(jìn)料方式與工藝，能應(yīng)對(duì)更大芯片尺寸，未來(lái)計(jì)劃開發(fā)支持90×120微米的設(shè)備，并推出雙頭機(jī)型提升產(chǎn)能至1000UPH以上。

庫(kù)力索法認(rèn)為，HBM對(duì)TCB的需求將遠(yuǎn)超邏輯芯片，市場(chǎng)空間廣闊。其與UCLA CHIPS合作，探索chip-to-wafer混合鍵合替代方案，鞏固在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的地位，持續(xù)受益于HBM技術(shù)升級(jí)帶來(lái)的增長(zhǎng)機(jī)遇。

今年3月，庫(kù)力索法發(fā)布了兩項(xiàng)突破性技術(shù)：ATPremier MEM PLUS?垂直線焊解決方案與Asterion?-PW超聲波針焊系統(tǒng)。這兩項(xiàng)創(chuàng)新將重塑存儲(chǔ)器與功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)，助力邊緣AI、高算力芯片及新能源市場(chǎng)的快速發(fā)展。

尤其是HBM，由于美國(guó)實(shí)施了HBM出口禁令，因此本土HBM突破勢(shì)在必行，庫(kù)力索法的設(shè)備將有助于加速HBM的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，縮小與國(guó)際巨頭的差距。

同樣，面對(duì)頻繁波動(dòng)且疲軟的市場(chǎng)，Kulicke & Soffa 總裁兼首席執(zhí)行官Fusen Chen表示：“近期，我們注意到東南亞部分市場(chǎng)訂單活動(dòng)較為謹(jǐn)慎。盡管近期區(qū)域市場(chǎng)存在這種動(dòng)態(tài)，但我們?nèi)詫⒗^續(xù)支持我們的全球客戶群，核心市場(chǎng)的利用率數(shù)據(jù)也呈現(xiàn)積極態(tài)勢(shì)，我們將繼續(xù)做好充分準(zhǔn)備，通過垂直焊線、功率半導(dǎo)體、先進(jìn)點(diǎn)膠和熱壓技術(shù)轉(zhuǎn)型來(lái)加速增長(zhǎng)。”

SEMES：三星“自家供應(yīng)”模式，

替代新川設(shè)備成定局

作為HBM三巨頭之一，三星電子也悄然完成了TCB設(shè)備供應(yīng)鏈的“自我革命”。

過去，三星的TCB設(shè)備主要采購(gòu)自子公司SEMES與日本新川，但近年來(lái)采購(gòu)重心逐步向SEMES傾斜，新川產(chǎn)品則被逐步替代。業(yè)內(nèi)分析指出，新川設(shè)備采用單電機(jī)驅(qū)動(dòng)雙焊頭的設(shè)計(jì)，技術(shù)規(guī)格已顯落后，難以滿足8層以上HBM的堆疊需求。盡管雙方曾長(zhǎng)期保持緊密合作，但當(dāng)前三星的設(shè)備供應(yīng)結(jié)構(gòu)已形成以SEMES為核心的格局。

目前，SEMES設(shè)備已應(yīng)用于三星包括HBM2E在內(nèi)的多條產(chǎn)線，支撐其4層HBM產(chǎn)品的穩(wěn)定供貨。盡管SEMES 2023年半導(dǎo)體設(shè)備營(yíng)收有所下滑，但業(yè)內(nèi)預(yù)期，若其成為三星TCB設(shè)備的獨(dú)家供應(yīng)商，相關(guān)業(yè)務(wù)有望迎來(lái)強(qiáng)勢(shì)反彈。

此次供應(yīng)鏈調(diào)整，既源于新川設(shè)備性能逐步落后于競(jìng)品，也與三星通過SEMES推進(jìn)TCB鍵合機(jī)自研內(nèi)化、強(qiáng)化盈利能力的戰(zhàn)略有關(guān)。隨著SEMES設(shè)備技術(shù)水平提升，三星轉(zhuǎn)向“自家供應(yīng)”模式，這也意味著，曾向SK海力士、美光供貨的韓美半導(dǎo)體，其設(shè)備被三星引入的可能性進(jìn)一步降低——韓美與SEMES曾有專利訴訟糾紛，若同時(shí)供貨可能引發(fā)技術(shù)泄露風(fēng)險(xiǎn)，因此韓美預(yù)計(jì)將繼續(xù)聚焦服務(wù)美光與SK海力士。

據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)人士透露，三星已全面停用新川設(shè)備：“過去三星在4層HBM堆疊工藝中使用新川TCB鍵合機(jī)，如今這部分也完全由SEMES接手。” 這一變化從新川財(cái)報(bào)中亦可見端倪——其來(lái)自三星的銷售數(shù)據(jù)已消失，被業(yè)內(nèi)視作雙方合作實(shí)質(zhì)終止的信號(hào)。

盡管2024年SEMES的具體財(cái)報(bào)未公開，但從行業(yè)數(shù)據(jù)也能看到其已進(jìn)入高增長(zhǎng)通道。摩根士丹利指出，韓國(guó)本土設(shè)備商2024年?duì)I收同比增長(zhǎng)超600%。這與三星HBM產(chǎn)能擴(kuò)張直接相關(guān)——三星計(jì)劃2025年下半年推出HBM4樣品，并大幅拉升HBM3E出貨，其TCB設(shè)備需求主要由SEMES承接。

2025年第一季度，韓國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)銷售額同比增長(zhǎng)48%至76.9億美元，SEMES作為核心供應(yīng)商深度受益。盡管具體營(yíng)收數(shù)據(jù)未披露，但三星HBM3E量產(chǎn)及HBM4研發(fā)的設(shè)備采購(gòu)，預(yù)計(jì)推動(dòng)SEMES半導(dǎo)體設(shè)備收入占比回升，HBM市場(chǎng)的爆發(fā)成為其業(yè)績(jī)反轉(zhuǎn)的核心驅(qū)動(dòng)力。

HBM的爆發(fā)式增長(zhǎng)，正重塑半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局。從DISCO憑借晶圓減薄、切割技術(shù)創(chuàng)下出貨新高，到BESI以混合鍵合設(shè)備卡位HBM4機(jī)遇，再到韓美半導(dǎo)體、ASMPT等在TCB設(shè)備領(lǐng)域的激烈角逐，后道設(shè)備廠商成為這場(chǎng)技術(shù)浪潮的核心受益者。

這些企業(yè)的共同特征在于，通過技術(shù)迭代響應(yīng)HBM對(duì)高精度、高層堆疊的需求——無(wú)論是混合鍵合的銅對(duì)銅連接，還是TCB設(shè)備的無(wú)助焊劑工藝，均指向更高效率與更低功耗的封裝目標(biāo)。同時(shí)，頭部存儲(chǔ)廠商供應(yīng)鏈的多元化（如SK海力士擴(kuò)圍供應(yīng)商）與自研內(nèi)化（如三星倚重SEMES），進(jìn)一步激活了設(shè)備市場(chǎng)的創(chuàng)新活力。

隨著HBM向16層以上堆疊演進(jìn)，設(shè)備技術(shù)壁壘將持續(xù)提升，而抓住這一機(jī)遇的廠商，不僅正在改寫行業(yè)格局，更將為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的高性能化升級(jí)提供關(guān)鍵支撐。

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