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來源：內容來自semiconductor-digest，謝謝。

明尼蘇達大學雙城分校的研究為一種可以使計算機內存更快、更節能的材料提供了新的見解。

這項研究最近發表在 同行評審科學期刊《先進材料》上。研究人員還擁有該技術的專利。

隨著技術的不斷發展，對新興內存技術的需求也日益增長。研究人員正在尋找現有內存解決方案的替代方案和補充方案，這些方案能夠高效運行且能耗低，從而提升日?？萍嫉墓δ?。

在這項新研究中，該團隊展示了一種更有效的方法，利用一種名為Ni?W（鎳和鎢的組合）的材料來控制微型電子設備中的磁化。研究團隊發現，這種低對稱性材料能夠產生強大的自旋軌道扭矩（SOT），這是下一代存儲器和邏輯技術中操控磁性的關鍵機制。

“Ni?W 降低了寫入數據的功耗，有可能顯著降低電子設備的能耗，”該論文的資深作者、明尼蘇達大學雙城分校電氣與計算機工程系 (ECE) 杰出麥克奈特教授兼羅伯特 F. 哈特曼主席王建平 (Jian-Ping Wang) 表示。

這項技術可以幫助減少智能手機和數據中心等設備的電力消耗，使未來的電子產品更加智能、更加可持續。

“與傳統材料不同，Ni?W 可以在多個方向上產生自旋電流，無需外部磁場即可實現磁態的‘無場’切換。我們觀察到 Ni?W 無論是單獨使用還是與鎢層疊時，都具有較高的自旋場效率和多方向性，這表明其在低功耗、高速自旋電子器件中具有巨大的應用潛力?！蓖踅淌趫F隊五年級博士生、論文共同第一作者楊逸飛說道。

Ni?W 由常見金屬制成，可通過標準工業流程制造。這種低成本材料對行業合作伙伴極具吸引力，并且很快就能應用于我們日常使用的技術，例如智能手表、手機等。

“我們非常高興地看到，我們的計算證實了材料的選擇和 SOT 實驗觀察，”ECE 博士后研究員、論文共同第一作者 Seungjun Lee 說道。

下一步是將這些材料培育成比之前更小的設備。

除了王、楊和李之外，ECE 團隊還包括 Paul Palmberg 教授 Tony Low、論文的另一位資深作者 Yu-Chia Chen、Qi Jia、Brahmudutta Dixit、Duarte Sousa、Yihong Fan、Yu-Han Huang、Deyuan Lyu 和 Onri Jay Benally。這項工作由明尼蘇達大學表征中心的 Michael Odlyzko、Javier Garcia-Barriocanal、Guichuan Yu 和 Greg Haugstad，以及化學工程與材料科學系的 Zach Cresswell 和 Shuang Liang 共同完成。

這項工作得到了SMART（先進信息技術自旋電子材料）的支持。SMART是一個世界領先的研究中心，匯集了來自全國各地的專家，致力于開發基于自旋的計算和存儲系統技術。SMART是nCORE的七個中心之一，nCORE是由美國國家標準與技術研究所（NIST）贊助的半導體研究公司項目。這項工作得到了全球研究合作組織邏輯和存儲項目的支持。這項研究是與 明尼蘇達大學特性實驗室和明尼蘇達納米中心合作完成的。

https://www.semiconductor-digest.com/researchers-demonstrate-a-new-material-to-reduce-power-consumption-of-electronics/

*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯系半導體行業觀察。

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